公开(公告)号：CN1208660C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02110871.4

申请日：2002-02-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘坚 ,  施斌 ,  樊永良 ,  赵登涛 ,  蒋最敏 ,  王迅

IPC: G02F1/03 ,  G02B6/12 ,  G02B6/28 ,  H04B10/00

Abstract: 本发明属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态，利用缺陷态之间的相互耦合，使得器件的透射频谱加宽，满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN1048356C

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN96116401.8

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  陈溪滢 ,  曹先安 ,  朱炜 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后，微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构，得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。

公开(公告)号：CN1257135A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99125713.8

申请日：1999-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 龚大卫 ,  樊永良 ,  蒋最敏 ,  候晓远 ,  王迅

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及的是一种溅射制备氧化铟锡/金属/氧化铟锡多层薄膜结构透明电极的工艺。现有溅射工艺要加热,不适合有机衬底,而且基体温度过高,不利于产品性能的提高。本发明室温条件下溅射制备氧化铟锡/金属/氧化铟锡复合透明导电薄膜电极,该工艺的优点是:基片不需要加热,电极导电性好,有较好的透光性,有优良的表面平整度,薄膜电气性能稳定。该工艺适用于各种有机薄膜发光器件和其他高温耐受性较差的薄膜发光器件的透明电极制备。

公开(公告)号：CN1048355C

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN96116400.X

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹先安 ,  陈溪滢 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  侯晓远 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长期稳定钝化效果的关键问题得以解决。

公开(公告)号：CN1367397A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02110871.4

申请日：2002-02-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘坚 ,  施斌 ,  樊永良 ,  赵登涛 ,  蒋最敏 ,  王迅

IPC: G02F1/03 ,  H04B10/00

Abstract: 本发明属光通讯技术领域,具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论,研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系,缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态,利用缺陷态之间的相互耦合,使得器件的透射频谱加宽,满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容,具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN1349115A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01132293.4

申请日：2001-11-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 施斌 ,  赵登涛 ,  樊永良 ,  王迅

IPC: G02B6/27 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大,消光比低,所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系,然后引入缺陷层,再调节缺陷层的参数,使得不同偏振态光的缺陷态对应的波长不同。本发明设计的平面波导偏振器可以是在硅衬底上用两套全同的多晶Si/非晶SiO2多层膜夹一层非晶SiO2芯层,利用不同偏振态的光对波导的透射率的显著不同而使自然光在经过很短的传输距离后就可获得很高的消光比,并且传输损耗很小。理论分析和实验结果都证明此种光波导偏振器不仅制备简单,能与硅平面集成工艺兼容,而且具有良好的传输特性和高的消光比。

公开(公告)号：CN1053063C

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN94112024.4

申请日：1994-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  李喆深 ,  蔡卫中 ,  王为 ,  丁训民 ,  董国胜 ,  王迅

IPC: H01L21/31

Abstract: 一种用氯化硫钝化Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度。本发明用氯化硫处理Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为Ⅲ－Ⅴ族半导体，如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。

公开(公告)号：CN1157617C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN01132293.4

申请日：2001-11-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 施斌 ,  赵登涛 ,  樊永良 ,  王迅

IPC: G02B6/27 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大，消光比低，所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系，然后引入缺陷层，再调节缺陷层的参数，使得不同偏振态光的缺陷态对应的波长不同。本发明设计的平面波导偏振器可以是在硅衬底上用两套全同的多晶Si/非晶SiO2多层膜夹一层非晶SiO2芯层，利用不同偏振态的光对波导的透射率的显著不同而使自然光在经过很短的传输距离后就可获得很高的消光比，并且传输损耗很小。理论分析和实验结果都证明此种光波导偏振器不仅制备简单，能与硅平面集成工艺兼容，而且具有良好的传输特性和高的消光比。

公开(公告)号：CN1146632A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96116401.8

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  陈溪滢 ,  曹先安 ,  朱炜 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后，微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构，得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。

公开(公告)号：CN1146631A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96116400.X

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹先安 ,  陈溪滢 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  侯晓远 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长期稳定钝化效果的关键问题得以解决。