公开(公告)号：CN100573800C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710043463.6

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁训民 ,  王希祖 ,  高歆栋 ,  侯晓远

IPC: H01J37/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属于高真空技术领域，具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口，另一端进入真空腔，移动支架另一端的标准接口与真空系统连接。本发明装置能精确调控其顶端与样品间距，适用于在高真空和超高真空系统中电离激活O2、H2等气体分子，实现对各种半导体、金属和氧化物电极材料的激活气体原位表面改性处理。该装置能在几伏到几十伏的直流低电压下实现局域高电场，从而导致周围气体离化，对真空系统中的其他工作部件不产生干扰和影响。

公开(公告)号：CN101093777A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710043463.6

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁训民 ,  王希祖 ,  高歆栋 ,  侯晓远

IPC: H01J37/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属于高真空技术领域，具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口，另一端进入真空腔，移动支架另一端的标准接口与真空系统连接。本发明装置能精确调控其顶端与样品间距，适用于在高真空和超高真空系统中电离激活O2、H2等气体分子，实现对各种半导体、金属和氧化物电极材料的激活气体原位表面改性处理。该装置能在几伏到几十伏的直流低电压下实现局域高电场，从而导致周围气体离化，对真空系统中的其他工作部件不产生干扰和影响。