公开(公告)号：CN1146632A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96116401.8

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  陈溪滢 ,  曹先安 ,  朱炜 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后，微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构，得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。

公开(公告)号：CN1048356C

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN96116401.8

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  陈溪滢 ,  曹先安 ,  朱炜 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后，微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构，得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。