公开(公告)号：CN1645643A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510023306.X

申请日：2005-01-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  王子君 ,  丁训民

IPC: H01L51/40 ,  H05B33/10

Abstract: 一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响这两个基本过程，即影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1－10nm进行铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1－10∶1。由于铝掺杂，器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。有机电致发光来源于电子和空穴在发光区域的复合，当在发光区域外的空穴传输区域一侧(远离发光位置，以排除金属猝灭的影响)的一个薄区域进行铝掺杂后器件不出现电致发光，说明空穴在铝掺杂区域被完全阻挡住了，实验表明在不同的有机半导体材料NPB和Alq中，进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。

公开(公告)号：CN100369293C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510023306.X

申请日：2005-01-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  王子君 ,  丁训民

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/54

Abstract: 一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1-10nm进行铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1-10∶1。由于铝掺杂，器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。实验表明在不同的有机半导体材料NPB和Alq中，进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。