公开(公告)号：CN1913125A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610101503.3

申请日：2006-07-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·P·考利 ,  L·A·克莱文格 ,  杨智超 ,  K·占达 ,  J·P·吉尔 ,  李保振

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76886

Abstract: 一种制造器件的方法包括在衬底和布线层中形成的蚀刻沟槽中沉积电迁移(EM)阻抗材料。形成与下面的扩散阻挡层和布线层电接触的EM阻抗材料。该方法还包括形成与EM阻抗材料和布线层电接触的过孔结构。该方法产生防止断路的结构。

公开(公告)号：CN101299419B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810086076.5

申请日：2008-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  M·E·科尔伯恩 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  S·波诺斯 ,  G·布雷塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种在半导体器件内形成腔的方法。所述方法包括在半导体器件的ILD层内的腔的内表面上淀积抗成核层。所述抗成核层防止了在所述腔内形成随后淀积的介质层。通过防止这些层的形成，减小了电容，并由此改善半导体的性能。

公开(公告)号：CN100466287C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510114905.2

申请日：2005-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朱慧珑 ,  L·A·克莱文格 ,  O·H·多库马奇 ,  K·A·库马尔 ,  C·J·拉登斯 ,  D·奇丹巴拉奥

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种新颖晶体管结构及用于制造该结构的方法。该晶体管结构包括：(a)衬底；以及(b)在所述衬底上的半导体区域，栅极介质区域，和栅极区域，其中所述栅极介质区域夹在所述半导体区域和所述栅极区域之间，其中所述半导体区域通过所述栅极介质区域与所述栅极区域电绝缘，其中所述半导体区域包括沟道区域和第一和第二源极/漏极区域，其中所述沟道区域夹在所述第一和第二源极/漏极区域之间，其中所述第一和第二源极/漏极区域与所述栅极区域对准，其中所述沟道区域和所述栅极介质区域(i)共享基本上垂直于所述衬底的上表面的界面表面，以及(ii)不共享基本上平行于所述衬底的上表面的任何界面表面。

公开(公告)号：CN101299419A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810086076.5

申请日：2008-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  M·E·科尔伯恩 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  S·波诺斯 ,  G·布雷塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种在半导体器件内形成腔的方法。所述方法包括在半导体器件的ILD层内的腔的内表面上淀积抗成核层。所述抗成核层防止了在所述腔内形成随后淀积的介质层。通过防止这些层的形成，减小了电容，并由此改善半导体的性能。

公开(公告)号：CN1290199C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03155108.4

申请日：2003-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  L·L·许 ,  黄洸汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 公开了一种集成电路结构，它包括各有由一层绝缘体分隔开的金属板的一对电容器，以及与该电容器电连接的金属栅半导体晶体管。晶体管的金属栅和每一电容器的金属板之一在集成电路结构中包含同一金属层。更具体地说，每一电容器包含具有在一下金属板垂直上方的一上金属板的一个垂直电容器，而且晶体管的各金属栅和电容器的各上金属板在集成电路结构中包含同一金属层。

公开(公告)号：CN1485924A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03155108.4

申请日：2003-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  L·L·许 ,  黄洸汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 公开了一种集成电路结构，它包括各有由一层绝缘体分隔开的金属板的一对电容器，以及与该电容器电连接的金属栅半导体晶体管。晶体管的金属栅和每一电容器的金属板之一在集成电路结构中包含同一金属层。更具体地说，每一电容器包含具有在一下金属板垂直上方的一上金属板的一个垂直电容器，而且晶体管的各金属栅和电容器的各上金属板在集成电路结构中包含同一金属层。