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公开(公告)号：CN101636521B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200880008619.X
申请日：2008-03-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/32495 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/345 , H01J37/3452
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在构成为利用旋转磁铁组使靶表面的磁场模式随时间移动的磁控溅射装置中，解决了在等离子点火和消去时被处理基板的不良率增高的问题，比以往降低了被处理基板的不良率的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置设有等离子遮挡部件，该等离子遮挡部件相对靶在旋转磁铁组的相反侧具有缝隙，该等离子遮挡部件与被处理基板之间的距离比电子的平均自由行程短，或比鞘层厚度短。并且，通过抑制缝隙宽度和长度，使得等离子不能到达被处理基板。由此，可降低被处理基板的不良率。
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公开(公告)号：CN101970713B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980107381.0
申请日：2009-03-02
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01J37/3497
Abstract: 本发明提供一种旋转磁铁溅射装置。该旋转磁铁溅射装置具备等离子体遮蔽构件和被接地了的外壁，在等离子体遮蔽构件与外壁之间，具有串联谐振电路及并联谐振电路。串联谐振电路仅在谐振频率下具有非常低的阻抗，并联谐振电路仅在谐振频率下具有非常高的阻抗。通过制成此种结构，基板RF电力与等离子体遮蔽构件之间的阻抗就变得非常高，可以抑制在被处理基板(10)与等离子体遮蔽构件之间的等离子体的产生。另外，由于靶子与地之间设有串联谐振电路，因此仅在被处理基板穿过靶子下方的区域有效地供给RF电力，产生自偏压。
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公开(公告)号：CN101641458A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009416.2
申请日：2008-03-28
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 在旋转磁铁溅射装置中，为了减少因靶的消耗而引起靶表面发生变化，导致成膜率经时变化的情况，对靶的消耗变位量进行测定，根据测定结果，调整旋转磁铁组与靶之间的距离，从而长时间实现均匀的成膜率。作为测定靶的消耗变位量的机构，可以使用超声波传感器，也可以使用激光发送接收装置。
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公开(公告)号：CN101622699A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006449.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/02115 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/312 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。
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公开(公告)号：CN101258261A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032514.9
申请日：2006-09-05
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种不浪费昂贵的有机EL原料，并且能够长时间地均匀地形成有机EL膜的成膜装置及用于该成膜装置的冶具。单一的原料容器部具备多个吹出容器，具备将原料容器部的有机EL原料气化后与载气一起供给到各吹出容器的配管系统切换到其他的吹出容器的配管系统的切换器。如此，通过将有机EL原料从单一的原料容器部切换供给到多个吹出容器，可以改善有机EL原料的利用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101652499B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200880011109.8
申请日：2008-04-04
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种通过升高靶子上的瞬时的等离子体密度而提高成膜速度的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置是如下的磁控溅射装置，其具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的旋转磁铁，在靶子表面形成多个等离子体环，并且该等离子体环随着旋转磁铁的旋转而在旋转磁铁的轴向上产生、移动、消除。
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公开(公告)号：CN101785095B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880103633.8
申请日：2008-08-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/312 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/02255 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76807 , H01L21/76828 , H01L21/76835 , H01L21/76897 , H01L21/823425 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L23/53295 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/32145 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102160152A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137204.7
申请日：2009-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/04
Abstract: 在大马士革制程中在对被堆积于由有机系的low-k膜构成的层间绝缘膜上的铜进行研磨时，CMP装置可以防止发生划痕或凹陷。在该CMP装置中，使粘贴了研磨垫(12)的旋转头(10)的旋转中心轴与将半导体晶片(100)面朝上安装的旋转台(14)的旋转中心轴在同一垂直线(N)上对齐，并一边使旋转头(10)及旋转台(14)向相同方向旋转，一边使旋转头(10)下降，从而使研磨垫(12)与旋转台(14)上的半导体晶片(100)抵接，使得研磨垫(12)在半导体晶片(100)表面的整个区域中不向相反方向摩擦。
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公开(公告)号：CN101652499A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011109.8
申请日：2008-04-04
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种通过升高靶子上的瞬时的等离子体密度而提高成膜速度的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置是如下的磁控溅射装置，其具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的旋转磁铁，在靶子表面形成多个等离子体环，并且该等离子体环随着旋转磁铁的旋转而在旋转磁铁的轴向上产生、移动、消除。
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公开(公告)号：CN101636521A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008619.X
申请日：2008-03-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/32495 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/345 , H01J37/3452
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在构成为利用旋转磁铁组使靶表面的磁场模式随时间移动的磁控溅射装置中，解决了在等离子点火和消去时被处理基板的不良率增高的问题，比以往降低了被处理基板的不良率的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置设有等离子遮挡部件，该等离子遮挡部件相对靶在旋转磁铁组的相反侧具有缝隙，该等离子遮挡部件与被处理基板之间的距离比电子的平均自由行程短，或比鞘层厚度短。并且，通过抑制缝隙宽度和长度，使得等离子不能到达被处理基板。由此，可降低被处理基板的不良率。
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