-
公开(公告)号：CN115116987A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210110675.6
申请日：2022-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/04 , H01L23/16 , H01L25/07 , H01L21/52
Abstract: 半导体结构包括：衬底；封装件，附接至衬底的第一表面，其中，封装件包括：中介层，其中，中介层的第一侧通过第一导电凸块接合至衬底的第一表面；管芯，附接至中介层的与第一侧相对的第二侧；以及模制材料，位于管芯周围的中介层的第二侧上；多个热界面材料(TIM)膜，位于封装件的远离衬底的第一表面上，其中，TIM膜的每个直接设置在管芯中的至少一个相应管芯上方；以及散热盖，附接至衬底的第一表面，其中，封装件和多个TIM膜设置在散热盖和衬底之间的封闭间隔中，其中，散热盖接触多个TIM膜。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
-
公开(公告)号：CN115084042A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210498931.3
申请日：2022-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置封装及其形成方法。所述半导体装置封装包括基板、电子组件、环结构、以及粘着层。电子组件位于基板的第一表面之上。环结构位于基板的第一表面之上且围绕电子组件。环结构具有面向基板的第一表面的底表面以及与底表面相对的顶表面。环结构包括多个侧部以及从顶表面凹陷且薄于侧部的多个角部。所述角部中的任两者通过所述侧部中的一者彼此间隔开。粘着层介于环结构的底表面与基板的第一表面之间。
-
公开(公告)号：CN114864507A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110894877.X
申请日：2021-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了利用盖子以限制退火期间的热膨胀的半导体器件和制造方法。在一些实施例中，将盖子放置在密封剂上并附接至密封剂，并且在一些实施例中，在第一半导体管芯的上方。因此，当施加热量并且密封剂试图膨胀时，盖子将起作用以限制膨胀，减少否则会在密封剂内累积的应力的量。本发明的实施例公开了一种半导体器件，包括：第一半导体管芯，连接至中介层；密封剂，密封第一半导体管芯；以及第一盖子，与第一半导体管芯和密封剂均接触，第一盖子横跨第一半导体管芯和密封剂之间的界面。本申请的还公开了另一种半导体器件和制造半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN114765150A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110892033.1
申请日：2021-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
Abstract: 一种电连接到导电凸块的金属化结构。所述金属化结构包括长圆形或椭圆形重布线焊盘、设置在所述长圆形或椭圆形重布线焊盘上的导通孔以及覆盖所述导通孔的凸块下金属，其中所述导电凸块设置在所述凸块下金属上。此外，提供一种包括上述金属化结构的封装结构。
-
公开(公告)号：CN114121871A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110805105.4
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种有机中介层及其制造方法，该有机中介层包括内埋重分布互连结构的介电材料层、位于介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构、以及位于介电材料层的第二侧的晶粒侧凸块结构。在包括第一晶粒侧凸块结构的第一区域与包括第二晶粒侧凸块结构的第二区域之间存在间隙区域。应力减轻线路结构位于在平面图中在间隙区域的范围内的介电材料层之上或之内。每个应力减轻线路结构包括沿各自的水平方向横向地延伸的多个直线段部，并且不电性连接到重分布互连结构。应力减轻线路结构可以包括与位于相同水平高度的重分布互连结构或凸块结构的金属材料相同或不同的材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113675161A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110665633.4
申请日：2021-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括集成电路管芯和接合到集成电路管芯的再分布结构。再分布结构包括第一绝缘层，插入在第一绝缘层和集成电路管芯之间的第二绝缘层以及在第一绝缘层和第二绝缘层中的第一金属化图案。第一金属化图案包括第一导电线和耦接到第一导电线的第一导电通孔。第一导电线在第二绝缘层中。第一导电通孔在第一绝缘层中。第一导电线包括耦接到第一导电通孔的第一导电焊盘、第二导电焊盘以及将第一导电焊盘连接到第二导电焊盘的弯曲部分。
-
公开(公告)号：CN113053757A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010879929.1
申请日：2020-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 一种方法包括形成再分布结构，该形成工艺包括在载体上方形成多个介电层，形成延伸到多个介电层中的多条再分布线，以及在载体上方形成增强贴片。该方法还包括将封装组件接合至再分布结构，封装组件具有与增强贴片的部分重叠的外围区域。并且将再分布结构和第一封装组件从载体脱粘。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN110364508B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201811311514.3
申请日：2018-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有接垫图案的装置，其包含第一介电层、接垫图案以及第二介电层。接垫图案设置在第一介电层上且包含接垫部分和外围部分。接垫部分嵌入于第一介电层中，其中接垫部分的下部表面与第一介电层的下部表面大体上共面。外围部分围绕接垫部分。第二介电层设置在接垫图案上且包含延伸穿过外围部分的多个延伸部分。
-
公开(公告)号：CN113053757B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010879929.1
申请日：2020-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 一种方法包括形成再分布结构，该形成工艺包括在载体上方形成多个介电层，形成延伸到多个介电层中的多条再分布线，以及在载体上方形成增强贴片。该方法还包括将封装组件接合至再分布结构，封装组件具有与增强贴片的部分重叠的外围区域。并且将再分布结构和第一封装组件从载体脱粘。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN115497886A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210137526.9
申请日：2022-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 在本公开实施例中，半导体封装包括：重布线结构，包括多个第一导电图案和多个第二导电图案，其中所述第一导电图案分别为类椭圆形，所述第二导电图案分别为圆形；管芯，设置在所述重布线结构上方且与所述重布线结构电连接；底胶，位于所述管芯和所述重布线结构之间；以及包封体，包封所述管芯且位于所述重布线结构上方。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.033 seconds)
