集成电路结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN111599803A

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN202010044975.X

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 一种方法包括布局标准单元区域,在标准单元区域内具有矩形空间。标准单元区域包括具有面向矩形空间的第一底部边界的第一行标准单元;以及多个标准单元,具有面向矩形空间的侧边界。多个标准单元包括底行的标准单元。在矩形空间中布局存储器阵列,并且底行的第二底部边界和存储器阵列的第三底部边界与同一直线对准。在矩形空间中布局填充单元区域。填充单元区域包括与第一行标准单元的第一底部边界接触的第一顶部边界;以及与存储器阵列的第二顶部边界接触的第四底部边界。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其制造方法。

    半导体器件及其布局和制造方法

    公开(公告)号:CN106158852B

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201510133500.7

    申请日:2015-03-25

    Abstract: 一种半导体器件包括:具有有源区的衬底、位于有源区上方的栅极结构、位于有源区上方并且电连接至有源区的下部导电层、以及位于下部导电层上方并且电连接至下部导电层的上部导电层。下部导电层与栅极结构至少部分地共高度。下部导电层包括相互间隔开的第一和第二导电区段。上部导电层包括与第一和第二导电区段重叠的第三导电区段。第三导电区段电连接至第一导电区段,并且与第二导电区段电隔离。本发明还涉及半导体器件的布局和制造方法。

    用于制造集成电路(IC)的方法

    公开(公告)号:CN109427654A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201711275931.2

    申请日:2017-12-06

    Abstract: 本公开提供了一种用于制造集成电路(IC)的方法。该方法包括接收IC布局,IC布局具有有源区、接合在有源区上的导电接触部件、以及待接合在所述导电接触部件的第一子集上并与导电接触部件的第二子集分隔开的导电通孔部件;评估导电通孔部件至导电接触部件的空间参数;以及根据空间参数修改IC布局,使得导电通孔部件具有S形弯曲形状。本公开还提供了另外的用于制造集成电路(IC)的方法。

    形成布局设计的方法
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105428352B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201510573824.2

    申请日:2015-09-10

    Abstract: 本发明公开了一种形成用于制造集成电路(IC)的布局设计的方法。该方法包括识别由布局设计的多个栅极结构布局图案的一个或多个片段占据的布局设计中的一个或多个区域;以及生成与识别的一个或多个区域重叠的布局图案组。多个栅极结构布局图案具有预定间距,预定间距小于预定光刻技术的空间分辨率。布局图案组的第一布局图案的宽度小于预定间距的两倍。本发明还涉及形成布局设计的方法。

    集成电路结构
    26.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220510038U

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202321412869.8

    申请日:2023-06-05

    Abstract: 提供一种集成电路(IC)结构,包括自基板突出的鳍片结构,包含具第一宽度的第一部分、具不同于第一宽度的第二宽度的第二部分及基板上沿第一方向连续延伸的第三部分,第一及第二宽度沿垂直第一方向的第二方向测量。IC结构包括含有接合第一部分的第一金属栅极堆叠的第一标准单元、含有接合第二部分的第二金属栅极堆叠的第二标准单元及设置于第一与第二标准单元之间的填充单元,其包括连接第一部分至第二部分的第三部分。IC结构更包括定义填充单元的第一及第二边界的介电栅极及第三金属栅极堆叠,介电栅极以单间距间隔与第三金属栅极堆叠分隔。

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