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公开(公告)号：CN103035593B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210011507.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/42 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/17519 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及的是一种封装结构上的封装件，该封装结构上的封装件通过在第一封装件和第二封装件之间引入刚性热连接件来改进导热性和机械强度。该第一封装件具有第一衬底和穿过第一衬底的通孔。第一组传导元件与第一衬底的通孔相对准并且与其相连接。刚性热连接件与第一组传导元件以及第二封装件的管芯相连接。第二组传导元件与管芯相连接，底部衬底与第二组传导元件相连接。散热连接件可以是，例如，中介层、散热器或导热层。本发明还提供了一种封装结构上的封装件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102456638B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110314735.8
申请日：2011-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/10 , H01L21/563 , H01L23/36 , H01L23/3736 , H01L23/4006 , H01L23/433 , H01L23/562 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明用于倒装芯片封装的顺应式散热器描述了一种集成电路芯片封装件。该集成电路封装件包括：基板；芯片，连接到基板；以及散热器，安装在芯片上方，用于将其中的芯片密封。散热器包括：导热元件，一侧相对于芯片的顶部，用于将热量从芯片传送到散热器；以及顺应式元件，具有第一部分和第二部分，第一部分连接到并且位于导热元件的边缘周围，第二部分固定在基板的表面，其中，导热元件的导热系数高于顺应式元件的导热系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103107142A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210060346.1
申请日：2012-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L23/42 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括：基板、附接至基板的第一管芯和连接到基板的盖子。盖子限定出用于接合第一管芯的腔体，并且盖子包括具有向下延伸到腔体中的端部的管芯密封隔板。管芯密封隔板的端部附接至基板，并且将热界面材料设置在第一管芯和盖子之间，以将第一管芯热连接至盖子。本发明还提供了具有盖结构的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103035596A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210020437.2
申请日：2012-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05022 , H01L2224/05541 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/061 , H01L2224/06137 , H01L2224/06179 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/206
Abstract: 本发明提供了用于提供后钝化开口和接触下金属化层的系统和方法。实施例包括穿过后钝化层的开口，该开口具有第一尺寸和第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，其中，第一尺寸垂直于芯片的热膨胀系数失配方向进行对准。通过以这种方式成型和对准穿过后钝化层的开口，后钝化层有助于防护下面的层免受由材料的热膨胀系数的失配所生成的应力。本发明还提供了用于芯片级封装的电连接。
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公开(公告)号：CN103000591A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110426156.2
申请日：2011-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/10 , H01L21/563 , H01L23/16 , H01L23/36 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/29099 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 一种芯片封装件的环结构包括：适用于接合至衬底的框架部和至少一个角部。框架部围绕半导体芯片并限定内部开口，内部开口暴露衬底表面的一部分。至少一个角部从框架部的角部朝向芯片延伸，并且该角部没有尖角。本发明还提供了一种芯片封装件的环结构。
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公开(公告)号：CN220510018U
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202321427928.9
申请日：2023-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/427 , H01L23/24
Abstract: 一种半导体装置，封装结构包括封装组件及混合热界面材料。封装组件具有黏着到封装基板的一个或多个集成电路。混合热界面材料使用以聚合物为主的材料及以金属为主的材料的组合。以聚合物为主的材料具有高伸长率值，以金属为主的材料具有高导热率值。放置在封装组件的边缘上的以聚合物为主的热界面材料含有液态形式的以金属为主的热界面材料。
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公开(公告)号：CN222720407U
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202421250405.6
申请日：2024-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/24
Abstract: 一种半导体封装体，包含封装基底，第一半导体晶粒电性及机械性耦接至封装基底，第二半导体晶粒电性及机械性耦接至封装基底，非导电膜形成于第一半导体晶粒与封装基底之间，以及毛细管底部填充材料形成于第二半导体晶粒与封装基底之间。非导电膜可形成于封装基底的表面上方的第一区域中，毛细管底部填充材料可形成于封装基底的表面上方的第二区域中，使得在平面图中，第二区域围绕第一区域。半导体封装体可还包含围绕第一及第二半导体晶粒的多晶粒框架，使得形成包含第一及第二半导体晶粒及多晶粒框架的多晶粒芯片。
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