公开(公告)号：CN100378926C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 本发明提供一种在有孔结构表面上产生一薄膜的方法和产物，其中该方法包含以下步骤：提供一包含有机材料的有孔结构表面，一个或多个孔洞在该有孔结构表面上具有开口；以一超临界流体接触该有孔结构表面，其中该超临界流体包括一溶剂，以溶合该有孔结构表面和所述孔洞的壁面而形成一溶合有机材料；以及相转变该溶合有机材料，以在该有孔结构表面上形成一密度比该有孔结构的密度更高的、且无孔的薄膜，由该薄膜封闭所述孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。

公开(公告)号：CN1271686C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN1619782A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410062690.X

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  庄平 ,  周梅生

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明提供一种制造介电层的方法，包括下列步骤：提供一流体至一基底，其中该流体是一气胶态；于该基底附近产生一超临界制程环境，该超临界制程环境具有该选择流体的一超临界制程温度与一超临界制程压力；以及使该基底接触该选择流体，其中藉一介于该基底与该流体间的反应形成一于该基底上的介电层。本发明另提供一种制造介电层的系统。

公开(公告)号：CN2701069Y

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200420050779.X

申请日：2004-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  罗冠腾 ,  刘埃森 ,  林俞良

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型提供了一种可去除半导体晶片表面铜氧化物及水气的系统，其包括：超临界二氧化碳装置，提供超临界二氧化碳流体；反应前处理装置，添加助溶剂于所述超临界二氧化碳流体中及用以提升添加有助溶剂的超临界二氧化碳流体温度；反应腔体，提供一半导体晶片与添加有助溶剂并已提升温度的超临界化二氧化碳流体反应的空间，用以去除半导体晶片表面铜氧化物及水气。终点侦测器，与所述反应腔体连接以侦测半导体晶片的反应终点；以及回收装置，收集来自终点侦测器及超临界二氧化碳装置的流体。

公开(公告)号：CN2765320Y

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200420084350.2

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  庄平 ,  周梅生

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/76801

Abstract: 本实用新型提供一种制造介电层的系统。包括：一超临界制程环境，是包含一于一制程腔室中的基底，该制程腔室内具有一制程温度与一制程压力；一控制装置，是控制该制程腔室于一超临界状态；一流体扰乱装置，是提供一气胶态的非超临界流体至该制程腔室中；以及一加热装置，是加热该基底至一超临界温度，其中该流体是因该制程腔室中的该制程压力与该制程温度而转变为一超临界流体，且藉由该基底与该超临界流体的接触形成一介电层。

公开(公告)号：CN2756337Y

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200420104898.9

申请日：2004-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: B08B3/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本实用新型涉及一种清洗多孔材料的装置，至少包括：一流体储存槽，用以储放一流体；一泵，其中该泵连接该流体储存槽，且该泵提供具不同压力的该流体；一处理反应室，其中该处理反应室连接该泵，且该处理反应室用以放置并清洗该多孔材料；以及一终点检测器，其中该终点检测器连接该处理反应室，且该终点检测器用以检测出该多孔材料的清洗终点。运用此清洗多孔材料的装置时，可在利用超临界流体清洗多孔材料上的制备工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压。如此一来，可平衡多孔材料的内外压力，达到降低压力对多孔材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN2731706Y

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200420084786.1

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本实用新型揭示一种整合蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaningprocess)与沉积制程所形成的半导体装置，其包括一基底、一低介电常数材料层、以及一内联机结构。低介电常数材料层是设置于基底上方，其具有至少一镶嵌开口位于被一超临界流体所清洁过的一区域中。内联机结构设置于镶嵌开口内，且其是于实施清洁制程之后，利用超临界流体作为一反应媒介且利用一有机金属错合物作为一沉积前驱物而临场(in－situ)形成的。