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公开(公告)号：CN112100966A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010331620.9
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F115/06
Abstract: 本发明实施例涉及借助于可编程电路合成来制造集成电路的方法及系统。本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法。所述方法包含：根据预定准则将参数值集指派给所述集成电路的单位单元的单位单元示意图中的所述单位单元的尺寸参数集，其中以所述参数值集为特征的所述单位单元具有满足所述预定准则的电路特性；根据所述单位单元示意图生成所述单位单元的单位单元布局；生成包括所述单位单元布局的多个复制物的电路布局，所述单位单元布局的所述复制物分别与所述集成电路的电路平面规划中的电路块对应地布置；及根据所述电路布局制造所述集成电路。
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公开(公告)号：CN110854071A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910773699.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置中布局的方法，其特征在于，包括：接收包括多个主动区域的初步装置布局；分析初步装置布局，以识别在多个主动区域之间的空区域；决定与空区域接界的主动区域的配置；从过渡单元库选择过渡单元，其中过渡单元具有用于降低相邻过渡单元的主动区域中的密度梯度效应的过渡配置；以及将过渡单元插入空区域中，以界定经修改的装置布局。
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公开(公告)号：CN110277385A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910197192.2
申请日：2019-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明实施例涉及具有非对称镜像布局模拟单元的集成电路。根据本发明的一些实施例，在第一集成电路列中，第一单元有源区域顶部边缘与第一阻障线分隔开第一分隔距离，第一单元有源区域底部边缘与第二阻障线分隔开第二分隔距离，第二单元有源区域顶部边缘与第三阻障线分隔开所述第二分隔距离，且第二有源区域底部边缘与第四阻障线分隔开所述第一分隔距离。在第二列中，第三单元有源区域顶部边缘与第五阻障线分隔开所述第一距离，且第三单元有源区域底部边缘与第六阻障线分隔开第三距离。所述第一分隔距离和所述第三分隔距离不同于所述第二分隔距离。所述第一阻障线与所述第五阻障线对准。
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公开(公告)号：CN108123710A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711219152.0
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185 , H03M1/66
CPC classification number: H03K19/01721 , H01L27/0207 , H01L27/092 , H01L29/0619 , H03K19/018521 , H03K19/018507 , H03M1/66
Abstract: 本发明实施例涉及一种高速电平位移器。在一方面，本发明实施例涉及一种电平位移器电路，其包含：锁存器模块，其具有第一多个PMOS晶体管及第二多个NMOS晶体管；MOS模块，其具有可操作地连接到所述锁存器模块的第三多个MOS晶体管；第四多个晶体管，其可操作地连接于所述MOS模块与接地之间；及第五多个电容器，其可操作地连接于所述锁存器模块与第四多个晶体管的栅极之间。
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公开(公告)号：CN102237876B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201010550115.X
申请日：2010-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03M1/66
CPC classification number: H03M1/0648 , G06F17/5063 , H03M1/742
Abstract: 本发明公开了一种排列电流源单元的方法与应用此方法的电流源单元阵列。此电流源单元阵列包含多个电流源单元群组，每一电流源单元群组包含多个电流源单元。在排列电流源单元的方法中，首先提供初始的电流源单元阵列。接着，将电流源单元阵列中的电流源单元分成多个电流源单元群组。然后，指派第一识别码给每一电流源单元群组，以及指派第二识别码给每一电流源单元，其中第一识别码和第二识别码是以初始电流源单元阵列的梯度为基础。接着，基于第一识别码和第二识别码来排列电流源单元，以提供最终电流源单元阵列的布局。接着储存最终电流源单元阵列的布局于计算机可读取储存媒体中。
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公开(公告)号：CN102243837A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110125741.9
申请日：2011-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/027
Abstract: 本发明揭露了一种驱动器、n位驱动器系统与运算放大器缓冲器。驱动器利用运算放大器的终端的选择性偏压，来减少运算放大器输出的偏移。每一运算放大器输入包含晶体管差动输入对，此晶体管差动输入对包含一NMOS晶体管和一PMOS晶体管。在输入电压范围的低端和高端处，这些晶体管是选择性的或分别的耦合至一标准输入或将启动的偏压，以有助于抵消偏差补偿(offset compensation)。对于介于电压范围低端和高端间的输入电压，这些晶体管是以传统方式加以偏压。
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公开(公告)号：CN102043417A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010518056.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05F1/575 , H02M3/07 , H02M2001/0045
Abstract: 一种低压降稳压器、直流对直流转换器以及低压降稳压方法，该稳压器包括：一放大器，具有一正端，用以接收一参考电压；一主要源极随耦器，具有一源极，耦接至放大器的一负端，其中放大器的一输出端用以驱动主要源极随耦器的一栅极；以及至少一从属源极随耦器，具有一栅极，与主要源极随耦器的栅极为共栅极，以及一源极，用以作为低压降稳压器的一输出端。本发明当输出端进行繁重的切换时，直流对直流转换器无浪费很多能量；可驱动巨大的电容性负载；源极随耦器的直流能量损耗是非常小的。
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公开(公告)号：CN101577550A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910136623.0
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种将具有预定位数的数字信号转换为对应的模拟信号的数模转换器，所述数模转换器包括：具有第一控制信号的第一电流源元件，所述第一控制信号对所述第一电流源元件提供的传导电流进行控制；以及具有第二控制信号的第二电流源元件，所述第二控制信号对所述第二电流源元件提供的传导电流进行控制，其中所述第一控制信号和所述第二控制信号在所述数模转换器的操作过程中具有不同的电压。
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公开(公告)号：CN218182217U
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202221641759.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括第一半导体阱。该半导体器件包括设置在第一半导体阱上方并沿第一横向方向延伸的通道结构。该半导体器件包括沿第二横向方向延伸并跨越通道结构的栅极结构。该半导体器件包括设置在通道结构的第一侧上的第一外延结构。半导体器件包括设置在通道结构的第二侧上的第二外延结构，第一侧和第二侧在第一横向方向上彼此相对。第一外延结构通过第一半导体阱中的第二半导体阱与第一半导体阱电耦合，且第二外延结构通过介电层与第一半导体阱电隔离。
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