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公开(公告)号：CN113053851A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010459488.X
申请日：2020-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/50
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有集成电感器的半导体封装元件及其制造方法。一种半导体元件包含半导体衬底、互连结构及坡莫合金元件。所述互连结构安置于所述半导体衬底上方。所述互连结构包含导电线圈。所述导电线圈包含数个水平延伸的金属线及电连接所述金属线的数个垂直延伸的通路。所述坡莫合金元件安置于所述互连结构中且由所述导电线圈缠绕且与所述导电线圈绝缘，其中所述坡莫合金元件及所述导电线圈组合地界定电感器，且所述坡莫合金元件用作所述电感器的磁心。
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公开(公告)号：CN112152439A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010503708.4
申请日：2020-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种DC‑DC转换器。DC‑DC转换器包含功率级、误差放大器、脉冲宽度调制(PWM)产生器以及栅极控制器。功率级包含第一晶体管和第二晶体管。功率级配置成产生第一节点处的输出。误差放大器配置成从第一节点接收输出且产生误差信号。脉冲宽度调制产生器配置成从误差放大器接收误差信号且产生脉冲宽度调制信号。栅极控制器包含多个分压器和比较器。分压器配置成对第一节点和第二节点执行分压以产生第一电压和第二电压。第一节点是DC‑DC转换器的输出节点且第二节点是DC‑DC转换器的第一晶体管与第二晶体管之间的节点。比较器配置成将第一电压与第二电压进行比较以根据比较结果来产生第一晶体管的接通时间信号。
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公开(公告)号：CN108122867A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710984940.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 一种封装结构包括第一封装层、第二封装层和位于第一封装层和第二封装层之间的芯片层。第一封装层包括与第一导热结构电隔离的电信号结构。芯片层包括电连接至电信号结构的集成电路(IC)芯片、模制材料和位于模制材料中的贯通孔。第一导热结构、贯通孔和第二导热结构配置为从IC芯片至第二封装层的芯片层相对的表面的低热阻路径。本发明的实施例还涉及用于IC封装件的热传递结构和方法。
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公开(公告)号：CN101753144A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910146981.X
申请日：2009-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03M1/66
CPC classification number: H03M1/0651 , H03M1/0648 , H03M1/682 , H03M1/687 , H03M1/747
Abstract: 一种用于将数字信号转换为模拟信号的数模转换器(DAC)，包括第一温度计解码器和第二温度计解码器。所述第一温度计解码器配置为解码所述数字信号的最高有效位(MSB)以生成第一温度计码。所述第二温度计解码器配置为解码所述数字信号的中间位以生成第二温度计码。所述DAC进一步包括多个宏单元，每个宏单元由所述第一温度计码的一个位所控制。所述多个宏单元配置为根据所述第一温度计码提供第一模拟信号。所述DAC进一步包括被配置为根据所述第二温度计码提供第二模拟信号的一个宏单元，所述宏单元进一步配置为根据所述数字信号的最低有效位(LSB)提供第三模拟信号。
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公开(公告)号：CN113113397A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110162284.4
申请日：2021-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一基板一第一裸晶及一第二裸晶设置在第一基板之上，并且彼此相邻。多个第一导电凸块设置在第一基板及第一裸晶之间，与第一基板及第二裸晶之间。一第二基板设置在第一基板下方。多个第二导电凸块设置在第一基板及第二基板之间。一封装内电压调节器芯片设置在第二基板之上。模塑材料设置在第一基板之上，并且围绕第一裸晶、第二裸晶、第一导电凸块、第二导电凸块及封装内电压调节器芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102237876B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201010550115.X
申请日：2010-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03M1/66
CPC classification number: H03M1/0648 , G06F17/5063 , H03M1/742
Abstract: 本发明公开了一种排列电流源单元的方法与应用此方法的电流源单元阵列。此电流源单元阵列包含多个电流源单元群组，每一电流源单元群组包含多个电流源单元。在排列电流源单元的方法中，首先提供初始的电流源单元阵列。接着，将电流源单元阵列中的电流源单元分成多个电流源单元群组。然后，指派第一识别码给每一电流源单元群组，以及指派第二识别码给每一电流源单元，其中第一识别码和第二识别码是以初始电流源单元阵列的梯度为基础。接着，基于第一识别码和第二识别码来排列电流源单元，以提供最终电流源单元阵列的布局。接着储存最终电流源单元阵列的布局于计算机可读取储存媒体中。
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公开(公告)号：CN102043417A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010518056.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05F1/575 , H02M3/07 , H02M2001/0045
Abstract: 一种低压降稳压器、直流对直流转换器以及低压降稳压方法，该稳压器包括：一放大器，具有一正端，用以接收一参考电压；一主要源极随耦器，具有一源极，耦接至放大器的一负端，其中放大器的一输出端用以驱动主要源极随耦器的一栅极；以及至少一从属源极随耦器，具有一栅极，与主要源极随耦器的栅极为共栅极，以及一源极，用以作为低压降稳压器的一输出端。本发明当输出端进行繁重的切换时，直流对直流转换器无浪费很多能量；可驱动巨大的电容性负载；源极随耦器的直流能量损耗是非常小的。
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公开(公告)号：CN110610926B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910106363.6
申请日：2019-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本发明的实施例，提供了半导体结构和形成半导体结构的方法，其中，在IC器件封装结构中形成电感器。结构包括密封材料，其中，铁磁芯位于密封材料中。在密封材料中提供多个金属层，从而形成围绕铁磁芯延伸的电感线圈以形成电感器。
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公开(公告)号：CN102043417B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201010518056.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05F1/575 , H02M3/07 , H02M2001/0045
Abstract: 一种低压降稳压器、直流对直流转换器以及低压降稳压方法，该稳压器包括：一放大器，具有一正端，用以接收一参考电压；一主要源极随耦器，具有一源极，耦接至放大器的一负端，其中放大器的一输出端用以驱动主要源极随耦器的一栅极；以及至少一从属源极随耦器，具有一栅极，与主要源极随耦器的栅极为共栅极，以及一源极，用以作为低压降稳压器的一输出端。本发明当输出端进行繁重的切换时，直流对直流转换器无浪费很多能量；可驱动巨大的电容性负载；源极随耦器的直流能量损耗是非常小的。
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公开(公告)号：CN102684674A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110382515.9
申请日：2011-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/018507 , H03K3/037
Abstract: 本发明涉及电平移位器设计，其中涉及一种电平移位器接收输入电压信号，并且产生输出电压信号。该电平移位器包括第一反相器，配置为在第一电压V1和第二电压V2之间的电位差下工作。来自该反相器的输出通过电容器电容连接到锁存器电路的输入端。该电容器具有第一端和第二端，该第一端连接第一反相器的输出端。该电平移位器具有电阻器，为了将进入到锁存器电路的输入固定在期望电压，该电阻器连接到第三电压V3，并且连接到电容器。锁存器电路配置为在第四电压V4和第五电压V5之间的电位差下工作。该锁存器具有输入节点和输出节点，该输入节点连接到电阻器和电容器，该输出节点连接到电平移位器的输出节点。
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