低泄漏电压电平转换电路

    公开(公告)号:CN101686048B

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN200910158539.9

    申请日:2009-07-10

    CPC classification number: H03K3/35613 H03K3/012

    Abstract: 本发明公开了一种用于具有内部低压电源(VCCL)和外部高压电源(VCCH)的集成电路系统的电压电平转换电路,该电压电平转换电路包括:一对连接到VCCH的交叉耦合的PMOS晶体管;NMOS晶体管,其源极连接到地(VSS),其栅极连接到在VCCL和VSS之间摆动的第一信号;以及开关器件,其连接到一对PMOS晶体管其中一个的漏极和NMOS晶体管的漏极之间,其中一对PMOS晶体管为高压晶体管,当VCCL低于预定电压电平时,开关器件关断,当VCCL高于预定电压电平时,开关器件开启。

    阈值电压检测装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102647179A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201110235992.2

    申请日:2011-08-16

    Inventor: 陈柏廷 王光丞

    CPC classification number: H03K19/018521

    Abstract: 一种包括电压电平向上移位器和电压电平向下移位器的阈值电压检测装置。阈值电压检测装置放置在电路中,该电路在低电压半导体工艺中制造。阈值电压检测装置接收宽范围的输入信号和产生包括输入信号的逻辑的输出信号,输出信号的电压范围是适合低电压电路的。阈值电压检测装置确保低电压电路在被低电压半导体工艺指定的范围中运行。

    低泄露电压电平转换电路

    公开(公告)号:CN101686048A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200910158539.9

    申请日:2009-07-10

    CPC classification number: H03K3/35613 H03K3/012

    Abstract: 本发明公开了一种用于具有内部低压电源(VCCL)和外部高压电源(VCCH)的集成电路系统的电压电平转换电路,该电压电平转换电路包括:一对连接到VCCH的交叉耦合的PMOS晶体管;NMOS晶体管,其源极连接到地(VSS),其栅极连接到在VCCL和VSS之间摆动的第一信号;以及开关器件,其连接到一对PMOS晶体管其中一个的漏极和NMOS晶体管的漏极之间,其中一对PMOS晶体管为高压晶体管,当VCCL低于预定电压电平时,开关器件关断,当VCCL高于预定电压电平时,开关器件开启。

    阈值电压检测装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102647179B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201110235992.2

    申请日:2011-08-16

    Inventor: 陈柏廷 王光丞

    CPC classification number: H03K19/018521

    Abstract: 一种包括电压电平向上移位器和电压电平向下移位器的阈值电压检测装置。阈值电压检测装置放置在电路中,该电路在低电压半导体工艺中制造。阈值电压检测装置接收宽范围的输入信号和产生包括输入信号的逻辑的输出信号,输出信号的电压范围是适合低电压电路的。阈值电压检测装置确保低电压电路在被低电压半导体工艺指定的范围中运行。

    正反器
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221784151U

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202323123793.X

    申请日:2023-11-20

    Abstract: 本揭露提供一种正反器。正反器包括:第一类型的第一组晶体管,位于第一行中;以及第二类型的第二组晶体管,位于第二行中。第二类型不同于第一类型。第一组晶体管及第二组晶体管包括第一主锁存电路及第二主锁存电路。第一主锁存电路与第二主锁存电路在第一方向上彼此分开第一距离。第一主锁存电路及第二主锁存电路的第一输出信号是第一主锁存电路及第二主锁存电路的第一输入信号。第一主锁存电路及第二主锁存电路的第二输出信号是第一主锁存电路及第二主锁存电路的第二输入信号。

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