公开(公告)号：CN112100966A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010331620.9

申请日：2020-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄永旭 ,  周文昇 ,  黄介仁 ,  杨宇滔 ,  彭永州 ,  陈韵如

IPC: G06F30/392 ,  G06F115/06

Abstract: 本发明实施例涉及借助于可编程电路合成来制造集成电路的方法及系统。本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法。所述方法包含：根据预定准则将参数值集指派给所述集成电路的单位单元的单位单元示意图中的所述单位单元的尺寸参数集，其中以所述参数值集为特征的所述单位单元具有满足所述预定准则的电路特性；根据所述单位单元示意图生成所述单位单元的单位单元布局；生成包括所述单位单元布局的多个复制物的电路布局，所述单位单元布局的所述复制物分别与所述集成电路的电路平面规划中的电路块对应地布置；及根据所述电路布局制造所述集成电路。

公开(公告)号：CN110854071A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910773699.8

申请日：2019-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄永旭 ,  周文昇 ,  彭永州 ,  杨宇滔 ,  陈韵如

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体装置中布局的方法，其特征在于，包括：接收包括多个主动区域的初步装置布局；分析初步装置布局，以识别在多个主动区域之间的空区域；决定与空区域接界的主动区域的配置；从过渡单元库选择过渡单元，其中过渡单元具有用于降低相邻过渡单元的主动区域中的密度梯度效应的过渡配置；以及将过渡单元插入空区域中，以界定经修改的装置布局。