公开(公告)号：CN222803316U

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202421425886.X

申请日：2024-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢炜业 ,  陈泓旭 ,  纪志坚 ,  简瑞宏 ,  张志维

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L23/48 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种半导体结构包含第一晶体管、第二晶体管、第一金属硅化物层、第一无氟钨层及第一钨接触。第一晶体管包含多个第一半导体片；包围第一半导体片中的每一者的第一栅极结构；及位于第一半导体片中的每一者的任一侧上的多个第一源极/漏极结构。第二晶体管位于第一晶体管上方。第二晶体管包含多个第二半导体片；包围第二半导体片中的每一者的第二栅极结构；位于第二半导体片中的每一者的任一侧上的多个第二源极/漏极结构。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极结构中的一者上。第一无氟钨层位于第一金属硅化物层上。第一钨接触位于第一无氟钨层上。

公开(公告)号：CN220172137U

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202321263658.2

申请日：2023-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林侃儒 ,  张阡 ,  周志勋 ,  张岱民 ,  戴谊宁 ,  李弘贸 ,  蔡彦明 ,  卢炜业 ,  简瑞宏 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  黄麟淯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体装置结构，包含基底；外延源极/漏极区，设置于基底上方；介电层位于外延源极/漏极区上方；导电部件延伸通过介电层。导电部件电性耦接至外延源极/漏极区。介电层形成围绕导电部件的侧壁；保护衬垫沿侧壁及导电部件延伸并物理接触侧壁及导电部件。保护衬垫被凹陷，以暴露侧壁的一部分，侧壁的此部分具有从介电层的顶表面延伸到保护衬垫的长度，且导电部件接触侧壁的此部分；金属盖层，设置于外延源极/漏极区与导电部件的底表面之间。半导体装置结构还包含硅化物层，设置于外延源极/漏极区与金属盖层之间。金属盖层包含钨、钼或前述的组合。