公开(公告)号：CN103072938A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210556923.6

申请日：2012-12-18

Applicant: 厦门大学 ,  大连理工大学

Inventor： 王成 ,  时康 ,  康仁科 ,  田中群 ,  杨永学 ,  单坤 ,  张红万 ,  周剑章 ,  周平 ,  詹东平 ,  张艺程

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种平面碳膜电极的制备方法，涉及电化学微纳米加工技术领域。具体步骤是：将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，随后在具有一定压力的惰性气体保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成导电碳膜；最后采用树脂封装制成平面碳膜电极。由于采用程序升温使光刻胶层在发生碳化前先发生软化，利用并通过增加气体压力，延长在软化温度下的滞留时间，进一步增强光刻胶层的自流平作用，制得具有极高面形精度的大面积碳膜电极。

公开(公告)号：CN101880907B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010219037.5

申请日：2010-07-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 田中群 ,  时康 ,  詹东平 ,  田昭武 ,  韩联欢 ,  汤儆

IPC: C25F3/12 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/14 ,  C03C15/02 ,  C25F3/00 ,  C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684

Abstract: 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置，涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极，并与工件置于容器底部；刀具浸入溶液，启动电化学系统，在刀具表面生成刻蚀整平剂，将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度，再调控刻蚀整平剂液层厚度；驱动三维微驱动装置，将刀具不断地向工件逼近，调控工件表面与刀具之间的距离和平行度；将刀具向工件表面移动，使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触，直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。

公开(公告)号：CN113134784B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110426699.8

申请日：2021-04-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  乔立青 ,  欧李苇

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 半导体晶圆无线光电化学机械抛光方法：将晶圆固定在抛光头；抛光垫粘贴在同样直径的抛光盘底；在通孔底壁设置一对正负电极，并入盘顶的两条汇流线，经导电滑环接电源的正负端；加工时，紫外光穿过通孔照射到晶圆；抛光液滴入通孔在其底部形成由晶圆表面、抛光液层和正负电极构成的光电解池，电极与晶圆被抛光垫隔开；施加电压后，光电解池底的晶圆表面处于两极间的电场中，按双极电化学原理被氧化成软质的表面氧化膜；抛光盘/垫与晶圆同向旋转使晶圆所有表面都能在光电化学氧化和机械摩擦步骤间均匀地交替。本发明设计的装置能在常温常压下高效高质地加工以不导电蓝宝石为衬底的氮化镓晶圆等各种半导体晶圆，具有较大的经济意义和推广价值。

公开(公告)号：CN110201662B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201910379879.8

申请日：2019-05-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  张亮亮 ,  冯康康 ,  徐杨正

IPC: B01J23/42 ,  B01J23/46 ,  B01J23/755

Abstract: 本发明公开了一种碳载单原子金属催化剂的电化学制备方法，其包括如下三个步骤：采用电化学循环伏安法在工作液中交替地氧化还原碳材料电极；将碳电极浸入含有金属离子的溶液中后取出洗净；在另一电解液中电化学还原吸附在碳电极上的金属离子，即可。本方法可在温和条件下制备出性能优异的碳载单原子金属催化剂。

公开(公告)号：CN109848840A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811535752.2

申请日：2018-12-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  董志刚 ,  康仁科 ,  欧李苇 ,  胡慧勤 ,  田中群

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片固定在抛光头上，抛光垫粘贴在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面；抛光液通过通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点。

公开(公告)号：CN109648463A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811537195.8

申请日：2018-12-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  康仁科 ,  欧李苇 ,  董志刚 ,  胡慧勤 ,  田中群

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B7/22 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片通过导电胶粘接固定在抛光头上，晶片在其下方通过导电滑环内外圈的导线连接外电源正极。抛光垫粘贴在对电极盘底部，对电极盘固定在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，对电极盘通过其上方的导电滑环内外圈导线连接外电源负极。紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面，抛光液也可以喷射入通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光电化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点，加工氮化镓晶片的实际加工中可取得去除速率快，加工后表面质量好的效果。

公开(公告)号：CN103072938B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210556923.6

申请日：2012-12-18

Applicant: 厦门大学 ,  大连理工大学

Inventor： 王成 ,  时康 ,  康仁科 ,  田中群 ,  杨永学 ,  单坤 ,  张红万 ,  周剑章 ,  周平 ,  詹东平 ,  张艺程

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种平面碳膜电极的制备方法，涉及电化学微纳米加工技术领域。具体步骤是：将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，随后在具有一定压力的惰性气体保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成导电碳膜；最后采用树脂封装制成平面碳膜电极。由于采用程序升温使光刻胶层在发生碳化前先发生软化，利用并通过增加气体压力，延长在软化温度下的滞留时间，进一步增强光刻胶层的自流平作用，制得具有极高面形精度的大面积碳膜电极。

公开(公告)号：CN101880907A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010219037.5

申请日：2010-07-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 田中群 ,  时康 ,  詹东平 ,  田昭武 ,  韩联欢 ,  汤儆

IPC: C25F3/12 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/14 ,  C03C15/02 ,  C25F3/00 ,  C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684

Abstract: 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置，涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极，并与工件置于容器底部；刀具浸入溶液，启动电化学系统，在刀具表面生成刻蚀整平剂，将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度，再调控刻蚀整平剂液层厚度；驱动三维微驱动装置，将刀具不断地向工件逼近，调控工件表面与刀具之间的距离和平行度；将刀具向工件表面移动，使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触，直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。

公开(公告)号：CN1274582C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200410037771.4

申请日：2004-05-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  张力 ,  祖延兵 ,  蒋利民 ,  周勇亮 ,  田中群

IPC: B81C5/00 ,  C01B33/021

Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。

公开(公告)号：CN1569610A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410037771.4

申请日：2004-05-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  张力 ,  祖延兵 ,  蒋利民 ,  周勇亮 ,  田中群

IPC: B81C5/00 ,  C01B33/021

Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。