公开(公告)号：CN1274582C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200410037771.4

申请日：2004-05-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  张力 ,  祖延兵 ,  蒋利民 ,  周勇亮 ,  田中群

IPC: B81C5/00 ,  C01B33/021

Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。

公开(公告)号：CN1569610A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410037771.4

申请日：2004-05-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  张力 ,  祖延兵 ,  蒋利民 ,  周勇亮 ,  田中群

IPC: B81C5/00 ,  C01B33/021

Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。