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公开(公告)号:CN1274582C
公开(公告)日:2006-09-13
申请号:CN200410037771.4
申请日:2004-05-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C5/00 , C01B33/021
Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置,将模板固定于架上,浸入电化学刻蚀溶液,以模板作为工作电极,另在容器中设辅助电极和参比电极,启动电化学系统,将模板逐步移向硅片,进行刻蚀,刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离,所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄,以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下,以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度,分辨率达0.1微米以上。
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公开(公告)号:CN1569610A
公开(公告)日:2005-01-26
申请号:CN200410037771.4
申请日:2004-05-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C5/00 , C01B33/021
Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置,将模板固定于架上,浸入电化学刻蚀溶液,以模板作为工作电极,另在容器中设辅助电极和参比电极,启动电化学系统,将模板逐步移向硅片,进行刻蚀,刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离,所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄,以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下,以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度,分辨率达0.1微米以上。
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