公开(公告)号：CN103072938A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210556923.6

申请日：2012-12-18

Applicant: 厦门大学 ,  大连理工大学

Inventor： 王成 ,  时康 ,  康仁科 ,  田中群 ,  杨永学 ,  单坤 ,  张红万 ,  周剑章 ,  周平 ,  詹东平 ,  张艺程

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种平面碳膜电极的制备方法，涉及电化学微纳米加工技术领域。具体步骤是：将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，随后在具有一定压力的惰性气体保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成导电碳膜；最后采用树脂封装制成平面碳膜电极。由于采用程序升温使光刻胶层在发生碳化前先发生软化，利用并通过增加气体压力，延长在软化温度下的滞留时间，进一步增强光刻胶层的自流平作用，制得具有极高面形精度的大面积碳膜电极。

公开(公告)号：CN103072938B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210556923.6

申请日：2012-12-18

Applicant: 厦门大学 ,  大连理工大学

Inventor： 王成 ,  时康 ,  康仁科 ,  田中群 ,  杨永学 ,  单坤 ,  张红万 ,  周剑章 ,  周平 ,  詹东平 ,  张艺程

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种平面碳膜电极的制备方法，涉及电化学微纳米加工技术领域。具体步骤是：将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，随后在具有一定压力的惰性气体保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成导电碳膜；最后采用树脂封装制成平面碳膜电极。由于采用程序升温使光刻胶层在发生碳化前先发生软化，利用并通过增加气体压力，延长在软化温度下的滞留时间，进一步增强光刻胶层的自流平作用，制得具有极高面形精度的大面积碳膜电极。