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公开(公告)号：CN116314497A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310116610.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基自旋发光器件及其制备方法，该器件包括由上至下层叠设置的金属基板、GaN基量子发光结构、绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层，GaN基量子发光结构包括沿金属基板表面依次层叠设置的电子阻挡层、空穴传输层、辐射复合层和电子传输层；绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间设有1～3层的石墨烯构成的二维材料插入层。通过在绝缘隧穿层上方或下方插入少层的石墨烯，避免铁磁金属电极通过绝缘层孔洞直接与半导体接触而导致的阻抗失配，有利于自旋流的高效隧穿，还能对自旋流起到电流拓展作用，从而提升自旋流的注入效率；通过改变二维材料插入层的插入位置可调控注入电流的极化方向，调控自旋发光特性。
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公开(公告)号：CN112635657A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011593539.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法,包括依次相连的微波天线、阻抗匹配电路、微波整流器和储能单元；该微波整流器采用基于纳米磁性隧道结的自旋二极管。本发明的系统，采用自旋二极管，具有高工作带宽、宽动态范围的特性，且在低输入功率下具有较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN108735806B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III‑VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III‑VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III‑VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
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公开(公告)号：CN108535890B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810541755.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中，激发III‑VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁，产生旋光现象，通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场，在0～100％范围内调控自旋极化电子的自旋极化率，实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。
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公开(公告)号：CN108682703B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810540087.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L33/26 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX3二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和绝缘介质层分别设置于磁性MnPX3二维晶体的上表面；所述栅电极设置于绝缘介质层的上表面；通过控制III族氮化物的掺杂类型和掺杂浓度，通过调控栅压对磁性MnPX3二维晶体进行静电掺杂，使器件具有I型和II型的可调能带结构和带隙宽度，使得器件在I型能带结构的栅压范围内产生具有可控极化率的旋光效应，在II型能带结构的栅压范围内且在入射光激发下产生具有可控极化率的光电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106637416B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201611236161.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点，使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
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公开(公告)号：CN108767107A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN118731418A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749995.5
申请日：2024-06-12
Abstract: 本发明属于显微分析技术领域，具体公开了一种适用于扫描探针显微分析的层状材料转移方法，包括以下步骤：将PDMS薄膜平整地贴合于初始生长衬底上的待转移的层状材料表面，获得PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底置于去离子水中浸泡，随后在去离子水中将PDMS薄膜/层状材料与初始生长衬底剥离；将获得的PDMS薄膜/层状材料拾取并贴合于目标衬底，得到PDMS薄膜/层状材料/目标衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/目标衬底加热后，趁热将PDMS薄膜剥离，获得层状材料/目标衬底，实现单一的层状材料转移至目标衬底。同时采用本发明还可以实现界面高质量的层状材料同质结或异质结的制备。
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公开(公告)号：CN117538264A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311820654.4
申请日：2023-12-27
Abstract: 本发明涉及光电测试领域，提供一种多功能光谱光电测试系统，其中多功能光谱光电测试系统包括：激光器，用于发射不同波长的激光，激光照射到待测目标后形成激光光谱，激光光谱用于表征待测目标的物理特性；显微物镜，设置在激光器发射的激光的光路上，用于将激光器发出的激光汇聚到待测目标表面，并用于对待测目标表面进行宏观观测；光谱仪，用于对待测目标表面的激光光谱进行线偏振测试和/或圆偏振测试。用以解决现有技术中的光电测试仪器功能单一，难以对待测物体进行全方位的测试，因此测试结果不准确的缺陷，集成了线偏振和圆偏振的多种光谱光电测试，灵活可变，功能多样、且便于功能进一步拓展。
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公开(公告)号：CN109216401B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III‑VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
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