公开(公告)号：CN108977860A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810627346.2

申请日：2018-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张照景 ,  敖建平 ,  毕金莲 ,  郭佳佳 ,  高青 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  刘芳芳 ,  张毅 ,  孙云

IPC: C25D3/38 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23F1/18 ,  C25D5/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。

公开(公告)号：CN102051603B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201010518539.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙国忠 ,  敖建平 ,  李宝璋 ,  张超 ,  何青 ,  周志强

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置，设置于真空室内，包括壳体、阴极板和阳极板，阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器，阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽，阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为：1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层，然后放入阴极板的沟槽中；2)将其置于真空室内抽真空，打开电源加热阴极板和阳极板，启动等离子体发生器电源，并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点：硒原子的反应活性高，金属预制层的硒化反应完全，光电转换效率高；基片的加热温度低，不易变形；采用电子方式监控两电极间容抗的变化，了解转化的进展，减少工业化生产的废品率。

公开(公告)号：CN1257560C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200310107202.8

申请日：2003-12-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙云 ,  李长健 ,  刘唯一 ,  何清 ,  李凤岩 ,  周志强 ,  敖建平 ,  孙国忠

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/36 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热，电池基板的背部一面用接触式热源加热，镀覆金属预制层的基板-面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热，促使铜铟镓金属预制层转变成化合物半导体光电薄膜材料。本发明方法克服了600℃高温硒化或硫化造成的玻璃软化，适合于工业化生产。