-
公开(公告)号：CN108183169A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711453211.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
-
公开(公告)号：CN107564989A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710594187.6
申请日：2017-07-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，提出了一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计，该结构是在叠层电池顶、底电池反向p-n结处添加一层窄带隙、高掺杂浓度的隧穿复合层TRL，其导带与价带间较小的能级差值可以有效的增强隧穿结处的载流子复合。此外，底电池p层与隧穿结处的梯度带阶有效的促进了底电池与隧穿结处的空穴抽取，避免了隧穿结界面间电荷的大量累积。而且添加高掺杂浓度的TRL后，隧穿结处缺陷态密度增加，电子空穴通过缺陷辅助隧穿，复合和隧穿几率增加。该结构所采用的异质结可有效提升底电池的光谱响应，减小开压损失，且其制备方法简单，易于实施。
-
公开(公告)号：CN105297072B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510702423.2
申请日：2015-10-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种含硒的ZnO光阳极，包括FTO衬底和在FTO衬底表面依次沉积的ZnO:B薄膜、ZnO薄膜和ZnSe薄膜；以含硒的ZnO光阳极组装光电化学电池用于光电化学电解水，提高ZnO光阳极的光电化学性能。本发明利用热蒸发设备在绒面的ZnO:B‑ZnO光阳极上蒸硒原子，降低了光阳极内光生载流子复合速度、提供了PEC性能；利用MOCVD沉积系统和热蒸发沉积系统来制备含硒的ZnO光阳极，制备步骤简单，易操作，可重复性强和易于大面积沉积。
-
公开(公告)号：CN106449780A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610857001.7
申请日：2016-09-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0264 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02167 , H01L31/0264 , H01L31/072 , H01L31/1876
Abstract: 本发明提供了一种氧化物载流子传输层的硅异质结太阳电池及其制备方法，该方法在沉积有双面钝化层I的衬底S的一面沉积金属氧化物电子选择层ESL，而后于ESL的相对面上在较低的反应前驱物能量的情况下沉积高功函数的金属氧化物空穴选择层HSL，与低功函数的硅衬底形成了界面反型层，产生空穴选择的效果，而后在HSL层上沉积透明电极T，最后于电池正、反两面分别沉积金属电极M1和M2。该结构所采用的高功函数的HSL层兼具高透过、低吸收较的特性，可有效提升电池的光谱相应，且其制备方法简单，易于实施。
-
公开(公告)号：CN104593749B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510071882.5
申请日：2015-02-11
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明公开一种PECVD系统真空腔室中辉光放电时屏蔽干扰的方法，是在真空腔室内设有一矩形或圆形围护结构的屏蔽框，并具有辉光观察窗孔和良好的接地措施，可以有效地规避真空腔室内复杂结构和几何特征对辉光所带来的不良影响，将不规则的机械结构屏蔽在限定的辉光区域之外，即屏蔽了可能带来的尖端放电效应又收敛了辉光区域的扩散，增强辉光区域的稳定性和辉光颜色的均匀性，降低辉光功率的损耗，为沉积优质的层膜提供了保证。本发明适用于正方体形或圆柱体形的真空腔室，结构简单可靠，对整体设备布局和真空腔室内的结构不构成负面影响，辉光观察窗孔可以很方便地实时查视辉光状态，成本低，易于实施。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN101562215B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910069034.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
-
公开(公告)号：CN103635004A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310677178.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 南开大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 一种等离子体中离子种类与数量密度分布的测量方法，在测量装置上进行，测量步骤如下：1）将用于测量等离子体的金属探针置入待测等离子体的真空腔室内并通过真空封接装置将真空腔室密封；2）在真空腔室内通入沉积镀膜气体硅烷和平衡气体氢气；3）采用数字存储示波器记录不同硅烷气体流量情况下所测得的电流、电压信号的时域波形和频域波形；4）通过分析波形的谐波组成和震荡幅度，获得等离子体中的离子种类与数量密度分布。本发明的优点是：该测量方法设施简单，无需频率补偿电路，成本低廉；同时不受反应气体对金属导体表面污染的影响，可分析反应活性较强的气体等离子体，适用范围广。
-
公开(公告)号：CN103515484A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310416643.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/35
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L31/022483 , H01L31/074 , H01L31/1884
Abstract: 一种周期性结构的绒面透明导电薄膜，包括玻璃衬底层、起模板作用的第一层ZnO薄膜和起修饰作用的第二层ZnO薄膜并依次形成叠层结构，第一层ZnO薄膜厚度为300-1500nm，第二层ZnO薄膜的厚度为400-1000nm，构成具有散射作用的周期性结构绒面透明导电薄膜；其制备方法：利用水浴方法组装PS微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用PS微球的模板作用，得到具有周期性结构的陷光ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：制备的ZnO薄膜具有良好的陷光效果，作为前电极用于薄膜太阳电池，对400-1100nm电池所能利用的波长范围内有良好散射作用，可增加入射光在硅基薄膜电池中的光程，提高光利用率。
-
公开(公告)号：CN103489942A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310477860.X
申请日：2013-10-14
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L31/022483 , H01L31/074 , H01L31/1884
Abstract: 一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构，包括湿法刻蚀制备金字塔形貌的硅衬底、ZnO种子层和在种子层基础上生长的氧化锌纳米柱或纳米锥，纳米柱或纳米锥的长度范围为200-1500nm，直径为20-200nm；其制备方法是，利用湿法刻蚀制备金字塔形貌，采用溶液浸沾法制备种子层，用水热法进行氧化锌纳米柱或纳米锥的生长制得。本发明的优点是：该陷光结构用于Si衬底太阳电池上，在400-1100nm范围内，长有氧化锌纳米柱的新型陷光结构的平均积分反射为5.1%，长有氧化锌纳米锥的新型陷光结构的平均积分反射率仅为2.5%，与传统的金字塔形貌陷光结构的平均积分反射10.9%相比，积分反射明显降低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
244
records
(took 0.046 seconds)
