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公开(公告)号：CN110379866B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910568118.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p‑n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p‑n结太阳能电池较高的能量转换。
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公开(公告)号：CN111121964A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911285392.X
申请日：2019-12-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明公开了一种远场激光光斑测量装置，包括按序依次设置的探测层、采集层与控制层；探测层上设置用于探测远场激光的蜂房式结构排布的探测器阵列；采集层上设置多个与探测器对应的前置处理电路，用于将探测器阵列采集到的激光信号转换为模拟电信号，还设置多个与前置处理电路对应的AD转换单元，用于将模拟电信号转换为数字电信号；控制层上设置控制芯片及其外围电路，用于控制AD转换单元的采集时序、存储AD转换单元采集到的数据，还设置传输模块，用于将控制芯片存储的数据传输至上位机，由上位机对数据进行处理以获取远场激光光斑的参数。本发明能够实现对窄脉冲激光的测量，操作简单，结果准确，且可靠性高。
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公开(公告)号：CN110986903A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911240334.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于外场观测和校准的红外及可见光十字靶，包括靶盒、可见光光源、红外辐射光源、十字光源旋转装置、定位光源以及电源，其中十字光源旋转装置设置于靶盒一侧中心的十字窗口内，用于实现可见光与红外光的切换，切换为某一种光源时，设置于十字光源旋转装置上的该光源电极与设置于十字窗口内侧的电源电极相接触，该种光源接通的同时另一种光源断开，节省了能源消耗，有利于户外续航；定位光源设置于靶盒的另一侧，并通过该侧上设置的通光窗口照射在探测阵列靶上形成定位光斑，以确定十字靶中心与探测阵列靶中心的相对位置。本发明整体结构简单，使用方便，占用空间小，与探测阵列靶面配合性好，提高了测量的便捷性和准确性。
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公开(公告)号：CN110398286A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910345199.4
申请日：2019-04-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于阵列探测法的激光光斑恢复方法，包括以下步骤：对阵列探测器光强分布的四周非密集区域进行双线性插值和反双线性插值计算，对得到的双线性和反双线性插值进行加权平均融合，得到完整的光斑分布；根据初始的光强分布得到光斑中心，并且在光斑中心周围取若干探测点，通过光斑中心位置和探测点的高斯拟合得到理想的光斑的高斯分布图像；将高斯拟合得到理想光斑分布图像和完整的光斑分布图像进行融合，其中融合系数为各拟合像素位置到光斑中心距离的倒数。
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公开(公告)号：CN106950037A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710150648.0
申请日：2017-03-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种真空紫外波段像增强器光谱响应测试系统，该系统包括氘灯、能量优化器、单色仪、准直器、真空室、抽气系统、测试样品真空腔及其样品夹具、机械泵、分子泵、直流—交流电流计、高压电源、斩波器、锁相放大器、真空度测试仪、工控计算机。该系统使用氘灯作为光源，使用单色仪得到单色光，使用已定标的硅光电池测试得到单色光光功率，使用电流计直接测量直流光电流得到测试数据。本发明使用斩波器得到交流光信号，通过像增强器交流的光信号变成交流的电信号，经过交流放大电流和锁相放大器得到测试数据。本发明可以对真空紫外波段像增强器的光谱响应进行定量测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428183A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510791534.5
申请日：2015-11-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法，所述反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极是在Si或者SiC衬底的表面生长p型GaN纳米线，并对生长的纳米线阵列进行Cs/O激活得到，其包括衬底层、位于衬底层表面的纳米线阵列发射层；纳米线阵列发射层由若干p型GaN纳米线组成，p型GaN纳米线表面均吸附有Cs/O激活层；所述衬底层为Si或者SiC。本发明能够在降低材料发射率的同时，减少光电子的输运距离，控制纳米线的直径充分吸收光子，提高了GaN光电阴极量子效率。
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公开(公告)号：CN102610472B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210094925.8
申请日：2012-04-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种峰值响应在532nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上依此由GaAs衬底（1）、Ga1-x1Alx1As缓冲层（2）、Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层（3）以及Cs/O激活层（4）叠加而成。对生长好的GaAlAs光电阴极组件进行化学清洗、加热净化和（Cs，O）激活，最终在Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层表面形成Cs/O激活层。本发明解决了现有GaAs光电阴极响应波段宽、在532nm处噪声大、不能全天候使用的问题。
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公开(公告)号：CN103779436A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410012850.3
申请日：2014-01-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/102 , H01L31/03048 , H01L31/1848
Abstract: 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1-xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1-xN发射层由N个AlxGa1-xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1-xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn-1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，变组分的AlxGa1-xN发射层总厚度在20~150nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm-3≤Nc≤1×1018cm-3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。
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公开(公告)号：CN102610472A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210094925.8
申请日：2012-04-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种峰值响应在532nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上依此由GaAs衬底（1）、Ga1-x1Alx1As缓冲层（2）、Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层（3）以及Cs/O激活层（4）叠加而成。对生长好的GaAlAs光电阴极组件进行化学清洗、加热净化和（Cs，O）激活，最终在Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层表面形成Cs/O激活层。本发明解决了现有GaAs光电阴极响应波段宽、在532nm处噪声大、不能全天候使用的问题。
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公开(公告)号：CN115502978B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202211296346.1
申请日：2022-10-21
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种带有网络攻击的双边遥操作系统攻击检测和稳定控制方法。包括以下步骤：步骤1：建立双边遥操作机械臂系统的动力学方程；步骤2：建立网络中的丢包和网络攻击的模型，使用最小二乘算法对网络攻击进行检测；步骤3：基于检测结果设计自适应控制器，消除网络攻击对系统的稳定性的影响。本发明对网络中的丢包和虚假数据注入攻击进行了准确的描述，同时成功检测出双边遥操作系统中存在的虚假数据注入攻击，并设计控制器，消除了网络攻击对双边遥操作系统的稳定性的影响。本发明提高了在网络攻击下双边遥操作系统的抗干扰能力，在实际应用过程中，具有重要的意义。
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