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公开(公告)号：CN111129161A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911353459.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种柔性基板半嵌入式栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括柔性基板和柔性基板上的栅极，所述柔性基板上设有矩形凹槽，所述栅极下部矩形区域刚好嵌入至矩形凹槽内，栅极上部梯形区域凸出于矩形凹槽外。与现有的堆栈式底栅顶接触的薄膜晶体管和全嵌入式栅极的薄膜晶体管结构相比，本发明有利于绝缘层薄膜和有源层薄膜的内部及接触界面的缺陷减少，提高器件的性能。且本发明在对嵌入栅极后的柔性基板进行表明清洗时，可有效去除可能存在于凹槽内边角处的杂质和清洗剂，洁净度更高，器件质量更好。
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公开(公告)号：CN111081876A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911395923.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种以高介电、宽带隙金属氧化物为绝缘层的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用。本发明提供的有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底上依次设置的栅极、金属氧化物绝缘层薄膜、有机有源层和源漏电极；所述的金属氧化物为氧化铪、氧化钇和氧化钛中的至少一种。本发明通过采用粗糙度低的金属氧化物绝缘层薄膜(通过AFM测试，粗糙度均在0.2nm以下)，使绝缘层薄膜与有源层薄膜之间接触更好，更容易形成导电沟道，有源层中的载流子与空穴的更容易形成，且减少缺陷对载流子的捕获作用，使器件迁移率提高且阈值电压降低；同时，禁带间隙宽使得器件击穿电压更大、漏电流更小，使器件耐击穿性以及低功耗性得到提升。
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公开(公告)号：CN116445044A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310261443.5
申请日：2023-03-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09D129/04 , H01B13/00 , H01B5/14 , C09D7/61
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种复合结构柔性透明介电层及其低温制备方法与应用。将含有铪、镁、钛、钇、锆的前驱体溶液与含有极性基团的有机大分子前驱体溶液等体积混合，分散均匀，旋涂于衬底上，进行预退火，然后进行热退火，得到所述的复合结构柔性透明介电层。本发明通过结合低漏电流的高熵金属氧化物薄膜和高抗弯折性的有机大分子来制备柔性介电层。两者通过配位螯合以及氧化还原反应形成稳定的网络结构，可以增加薄膜抗弯折的能力，并且降低退火温度，使其符合柔性基板的要求。
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公开(公告)号：CN114347657B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202111623422.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种可变空间密度型的多色墨阵列化电喷印头及其控制方法。本可变空间密度型的多色墨阵列化电喷印头包括多个喷头容体、多个电喷印头、横梁、多个平移模块、切换模块、驱动模块；电喷印头与喷头容体连接；喷头容体内部设有多个电喷印头，喷头容体顶部与平移模块连接、底部与切换模块连接；横梁与平移模块连接；平移模块与驱动模块连接；切换模块用于驱动电喷印头绕喷头容体中轴线进行旋转；驱动模块用于驱动平移模块在横梁内平移。本发明的有益效果在于，避免了阵列式电喷印头的单一分辨率缺陷，便于组装和卸载，可以切换不同的色墨进行喷印，避免了现有电流体动力喷印技术中需要反复取针充墨的问题。
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公开(公告)号：CN113459671B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110717843.3
申请日：2021-06-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电磁耦合作用的柔性可变尺寸微压电喷头及调节方法，该喷头包括：流体输入管、螺纹直插头、固定密封组件、流道、压电主体、底座、强电螺纹管主体、喷嘴固定座和喷嘴主体；流体输入管同轴插入螺纹直插头内，压电主体在流道中产生按需式喷墨；强电螺纹管主体包括芯柱和强电螺线管，强电螺线管同轴围绕在芯柱上；喷嘴主体包括弱电螺线管、内侧柔性壁和喷嘴，弱电螺线管同轴围绕内侧柔性壁，弱电螺线管的内壁与内侧柔性壁的外壁贴合，弱电螺线管与强电螺线管处于同条轴线上；调节强、弱电螺线管的电流方向与大小，完成喷嘴尺寸大小调节。本发明实现传统压电喷头无法印刷的亚微米尺寸目标，并将同型号压电喷头拓宽至不同印刷场合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111446042B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010165375.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明导电薄膜材料领域，公开了一种高性能透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法为：将透明基板经清洗、烘干后，在室温下通过脉冲激光沉积GZO导电薄膜，得到高性能透明导电薄膜。本发明采用了GZO作为导电薄膜材料，绿色环保；且采用单层GZO薄膜，工艺简单；并通过脉冲激光沉积制备，无需退火处理，有效降低成本。所得GZO导电薄膜具有高透过率，低粗糙度，低电阻的优点，可用于电磁器件和设备屏蔽，例如：战斗机座舱盖和海军舰艇舷窗等。
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公开(公告)号：CN113211980A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110430569.1
申请日：2021-04-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于印刷OLED器件的压电控制系统及优化方法，系统通过上位机控制主像素墨滴喷射系统喷射有机材料，以在OLED基板表面上印刷形成机发光层，同时，空位像素监测系统实时采集印刷过程中OLED基板的像素群图像，并将像素群图像发送给上位机；上位机找出图像中的空位像素点以及空位像素点在OLED基板中的对应位置，并控制空位像素补偿系统对OLED基板中的空位像素点对应位置进行填补印刷，以消除有机发光层中的缺陷，达到优化印刷OLED制程的目的，避免了印刷OLED过程中由于少数空位像素导致的器件良品率低下的问题，可有效提升印刷OLED的工艺稳定性，进一步推进印刷OLED技术替代蒸镀技术的进度。
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公开(公告)号：CN111455324A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010315773.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于薄膜材料制备技术领域，公开了一种晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜的制备方法。以氧化锆为靶材，将玻璃基片放置在基板上，将真空腔室抽至2×10-4～5×10-4Pa，调整靶材与基板之间的距离，设置脉冲频率为4～6Hz，激光能量为150～350mJ，采用非圆形的激光光斑照射靶材，预沉积1～3min后将脉冲数设置为10000～30000次继续沉积，然后在空气环境中热退火，退火温度为300～400℃，得到晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜。本发明通过激光光斑的形状及基片放置的位置调控薄膜晶型，通过沉积时的脉冲数及靶材-基板距离等调节厚度，可以实现一次制样得到不同晶型及厚度的氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN111299604A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010135106.8
申请日：2020-03-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，公开了一种可用于柔性基底的室温涂敷超长银纳米线及制备方法。将PVP和乙二醇加热搅拌溶解均匀，冷却至室温，然后在搅拌条件下依次加入TMAC的乙二醇溶液和TPAB的乙二醇溶液，再加入AgNO3的乙二醇溶液搅拌混合均匀，将反应液转移至水热釜中，在密闭条件下140～170℃反应5～10h；反应完成后离心分离产物，得到可用于柔性基底的室温涂敷超长银纳米线。本发明能够在较短时间内制备出形貌均匀的超长银纳米线，成本低廉，工艺简单，可室温涂敷在柔性基底上制备成用于病毒防护的医用材料。
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公开(公告)号：CN111039573A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911352145.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明属于电致变色薄膜的技术领域，公开了一种WO3电致变色薄膜及其制备方法。所述方法：1)采用浓氨水将纳米氧化钨配成前驱体溶液；2)将前驱体溶液滴加至转动的衬底上，滴加完后，加大衬底的转速继续旋转，获得薄膜；3)将薄膜进行预退火；4)将预退火后的薄膜在空气氛围中进行快速退火，获得WO3电致变色薄膜。本发明的方法简单，原料成本低，溶液稳定性高，制备的薄膜均匀平滑，而且薄膜电致变色性能好。
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