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公开(公告)号：CN109130493A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810938139.9
申请日：2018-08-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: B41J2/01 , C09D11/033 , C09D11/03
CPC classification number: B41J2/01 , C09D11/03 , C09D11/033
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，涉及氧化物薄膜的喷墨打印制备工艺，具体涉及一种改善喷墨打印墨水沉积均匀性的方法。所述方法包括以下步骤：打印机基板保持50～60℃，墨滴速度10m/s，喷头不升温，墨滴间距取30～40μm，在衬底上进行多喷头喷墨打印，喷头数量为3～4个；打印结束后退火1h；喷墨打印中使用的墨水溶剂为以体积比1/2～2/1混合的乙二醇与乙二醇甲醚，墨水中还含有相当于所述溶剂质量3～5％的聚乙烯吡咯烷酮，以及浓度为0.1～1.0M的八水合氯氧化锆。相比传统的凝胶模板法，本发明通过对打印机参数的简单改进，解决了非牛顿流体墨水在快干打印工艺中的沉积不均问题。
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公开(公告)号：CN110543056B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910795071.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: G02F1/1524 , G02F1/1523
Abstract: 本发明公开了一种无机全固态电致变色器件及其制备方法；属于光电器件领域。本发明通过溶液法，以氧化镍为原料低温制备了氧化镍离子存储层，再制备氧化锆作为离子导电层，然后通过外加电场，将电解液中的氢离子注入离子存储层中，从而得到包含离子的叠层结构，使得原本不含自由移动工作离子的氧化锆能够作为离子导电层使用。然后在之上旋涂氧化钨电致变色薄膜以及透明电极，从而构成无机全固态电致变色器件。
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公开(公告)号：CN111269614A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010206138.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子材料领域，公开了一种减少喷墨打印凝胶薄膜开裂的方法。往乙二醇和去离子水的混合溶剂体系中加入质量分数0.3％～0.5％的聚丙烯酰胺，加热搅拌充分溶解，然后加入摩尔浓度为0.3～0.5M的八水合氯氧化锆，搅拌溶解后陈化，得到金属氧化物溶液；将所得金属氧化物溶液通过喷墨打印成膜，静置待液膜完全凝胶，即得到较少裂纹的金属氧化物薄膜。本发明方法通过在高沸点醇类体系中引入适量的水形成混合溶剂体系，使得体系中水解反应的比例升高，薄膜骨架结构的强度整体提高，在保证打印性较好的前提下显著减少了干燥过程中薄膜的开裂。
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公开(公告)号：CN109553126A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201910002046.X
申请日：2019-01-02
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种热蒸发制备二氧化锡晶体的方法。以SnO作为源材料，放置于管式炉中心加热区，将洗净的表面掺二氧化硅的硅片作为衬体，放置在距源材料12～20cm处；将管式炉内抽真空，然后通入Ar气；加热管式炉中心加热区温度为600～1200℃进行热蒸发沉积，在衬体上得到二氧化锡晶体。本发明的制备方法简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的方形二氧化锡晶体不易受到污染，形状规则。
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公开(公告)号：CN109266099A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810958604.5
申请日：2018-08-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子材料技术领域，公开了一种氧化锆喷墨打印墨水及制备氧化锆纳米晶薄膜的方法。所述喷墨打印墨水由乙二醇、八水氧氯化锆和聚丙烯酰胺组成。将氧化锆喷墨打印墨水通过喷墨打印制备成液膜，静置，待液膜完全凝胶后，将薄膜置于烘箱在70～80℃下干燥5～10h，然后升温至300～400℃退火处理，得到氧化锆纳米晶薄膜。本发明通过在体系引入聚合物聚丙烯酰胺，使墨水在升温后发生凝胶化反应从而形成凝胶网络，为氧化物前驱体提供反应位点，使其更容易在低温下形成氧化物结构乃至结晶。同时聚合物的热分解能够产生局部高温，进一步促进氧化物的结晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037052A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810728808.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/288 , H01L29/51
CPC classification number: H01L21/288 , H01L29/517
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管和印刷电子技术领域，具体涉及一种制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构的方法。所述薄膜由以下步骤制得：(1)将醋酸锆溶于乙二醇中，搅拌老化得到前驱体溶液；所述前驱体溶液中醋酸锆的浓度为0.3～0.6mol/L；(2)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得的前驱体溶液，然后在300℃退火处理1～2小时，得到氧化锆绝缘层薄膜。再在所得氧化锆绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀圆形Al电极，即可得到MIM叠层结构。由于退火中醋酸较容易去除，因此本发明采用醋酸锆作为锆盐可以减少ZrO2薄膜的缺陷态，从而提高绝缘性能；此外制备过程无需真空环境，成本低，操作简便。
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公开(公告)号：CN108766889A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810522017.1
申请日：2018-05-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种溶液法制备氧化物薄膜晶体管的方法。将Zr(NO3)4·5H2O和In(NO3)3分别溶于乙二醇单甲醚中，得到绝缘层前驱体溶液和有源层前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂绝缘层前驱体溶液，退火处理，得到氧化锆绝缘层薄膜；在氧化锆绝缘层薄膜上旋涂有源层前驱体溶液，退火处理，得到氧化铟有源层薄膜；在氧化铟有源层上蒸镀源/漏电极，得到氧化物薄膜晶体管。本发明通过制备氧化物前驱体溶液，结合旋涂以及退火工艺制备ZrO2和In2O3薄膜，并以这两种薄膜分别作为绝缘层和有源层制备TFT器件，无需真空环境，成本低，操作简便。
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公开(公告)号：CN111129161B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201911353459.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种柔性基板半嵌入式栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括柔性基板和柔性基板上的栅极，所述柔性基板上设有矩形凹槽，所述栅极下部矩形区域刚好嵌入至矩形凹槽内，栅极上部梯形区域凸出于矩形凹槽外。与现有的堆栈式底栅顶接触的薄膜晶体管和全嵌入式栅极的薄膜晶体管结构相比，本发明有利于绝缘层薄膜和有源层薄膜的内部及接触界面的缺陷减少，提高器件的性能。且本发明在对嵌入栅极后的柔性基板进行表明清洗时，可有效去除可能存在于凹槽内边角处的杂质和清洗剂，洁净度更高，器件质量更好。
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公开(公告)号：CN111545768A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010303098.3
申请日：2020-04-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于银纳米材料制备技术领域，公开了一种大环径银纳米环及其制备方法。将聚乙烯吡咯烷酮溶解于丙三醇中，然后加入四甲基氯化铵和NaBr的丙三醇溶液搅拌混合均匀，得到成核控制剂溶液；将AgNO3溶解于去离子水或乙二醇与丙三醇的混合溶液中，得到AgNO3溶液；将AgNO3溶液滴加入成核控制剂溶液中155～165℃反应，产物经分离洗涤后分散于乙醇中，得到大环径银纳米环分散液。本发明通过提升反应液的粘度与溶剂混合比例控制微环境差异，使所制备的银纳米环的环直径达到了25～41μm，工艺简单，成本低廉。该材料能够应用于透明电极及光学纳米天线、等离激元器件或光学操纵等器件中。
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公开(公告)号：CN109202061B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811156354.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米球及其制备方法与应用。本发明使用多元醇法制备直径为400‑550nm的银纳米球，其步骤为：将聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇加入反应器中，于140℃加热并搅拌至其完全溶解；向反应器中滴加NaBr乙二醇溶液；搅拌条件下向反应器中滴加AgNO3乙二醇溶液；然后在140℃及搅拌条件下继续反应90min，完成反应后离心分离产物，制得银纳米球。本发明能够在较短时间内制备出形貌均匀的银纳米球，成本低廉，工艺简单，可作为光电材料用于高灵敏度检测传感器件与太阳能电池中。
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