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公开(公告)号：CN111463290B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010284433.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
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公开(公告)号：CN112687801A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011554008.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘干得到前驱体溶质；用红外激光器照射所述前驱体溶质，所述红外激光器输出功率为15W～18W、扫描速度为5～20mm/s、线间距为0.01～0.1mm，照射在真空环境或者惰性气氛下进行，得到IV‑VI族半导体薄膜。本发明采用的激光合成制备IV‑VI族半导体薄膜，其工艺流程简单、所得薄膜形状可控，能在柔性衬底上直接成膜，可以在短时间内获得高质量的IV‑VI族半导体薄膜，适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN111463268A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010284778.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法，二硫化钼半导体的欧姆接触结构，包括：基片、二硫化钼薄膜、掺杂二硫化钼薄膜、第一电极与第二电极；所述二硫化钼薄膜位于所述基片的一侧，所述掺杂二硫化钼薄膜形成于所述二硫化钼薄膜的与所述基片相背的一侧，所述第一电极设于所述掺杂二硫化钼薄膜的与所述二硫化钼薄膜相背的一侧，且与所述掺杂二硫化钼薄膜接触，所述第二电极设于所述第一电极的与所述掺杂二硫化钼薄膜相背的一侧，所述第一电极与所述第二电极为不同材料的金属。
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公开(公告)号：CN108899267B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810648685.9
申请日：2018-06-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二硫化钼薄膜。本发明的制备方法可以实现硫化钼生长与掺杂一步完成。使用该方法制备金属掺杂的二硫化钼薄膜均匀性好，面积大，并且可以根据金属盐溶液的浓度调节掺杂浓度。通过改变激光辐射的功率、光斑大小和脉冲数目能够实现对晶体结晶形貌的控制。本发明制备方法容易操作，重复率高，制备时间短，效率高。
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公开(公告)号：CN109273543A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811268952.6
申请日：2018-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/103 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中1T-WS2与2H-WS2通过范德华力相连，使得光生载流子能够在交界面上分离，且1T-WS2具有很高的电子迁移率，能够极大地提升光响应；另外，纳米颗粒的近场振荡、散射效应以及从纳米颗粒到WS2的载流子的注入效应能增加光电流、加快响应速率。这种光探测器不仅具有优异的响应特性，而且制备方法简单、成本较低，在光电领域具有非常好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107403847B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710569811.7
申请日：2017-07-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3粉末作为钼源，硫粉作为硫源，通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度，制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼薄膜，对设备要求低，实验过程简单方便、重复性高。
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公开(公告)号：CN105161576B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510677976.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN112687801B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011554008.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘干得到前驱体溶质；用红外激光器照射所述前驱体溶质，所述红外激光器输出功率为15W～18W、扫描速度为5～20mm/s、线间距为0.01～0.1mm，照射在真空环境或者惰性气氛下进行，得到IV‑VI族半导体薄膜。本发明采用的激光合成制备IV‑VI族半导体薄膜，其工艺流程简单、所得薄膜形状可控，能在柔性衬底上直接成膜，可以在短时间内获得高质量的IV‑VI族半导体薄膜，适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN108091699B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201711358320.4
申请日：2017-12-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化钼薄膜采用激光照射方法合成，源漏电极材料为双层金属，采用电子束蒸发工艺制备而成，源漏电极材料与二硫化钼薄膜表面接触紧密，接触电阻小。本发明制备的柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件，工艺简单方便，并且在整个工艺流程中的制备温度低于150度，适合于制备柔性电子器件。此制备方法制备出的柔性底栅结构的MoS2TFT器件不仅结构简单、性能稳定，而且载流子迁移率高、开关比大。
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公开(公告)号：CN109616541A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811268681.4
申请日：2018-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p-n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p-n结有效降低了p-n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。
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