-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115694405B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211436386.1
申请日：2022-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种产生挠曲电的结构和方法，将叉指换能器和薄膜器件进行片上集成，同时给两侧的叉指换能器施加频率、相位、幅值相同的正弦波，由于薄膜器件的上电极未施加任何载荷，在声表面波的周期性拉伸的作用下薄膜器件的介质层会产生应变梯度，周期性变化的应变梯度会产生极化电荷，即产生了挠曲电效应。通过将薄膜器件设置于一对叉指换能器在被施加正弦波时产生的声表面波驻波的波腹处，位于波腹处的薄膜器件在声表波的作用下受到的拉伸强烈，产生的挠曲电效果更强。采用本发明的结构产生挠曲电效应对薄膜器件的表面无损伤，对挠曲电能量采集、挠曲电传感等方面的应用发展具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN111463290A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010284433.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
-
公开(公告)号：CN111463290B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010284433.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
-
公开(公告)号：CN111463268A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010284778.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法，二硫化钼半导体的欧姆接触结构，包括：基片、二硫化钼薄膜、掺杂二硫化钼薄膜、第一电极与第二电极；所述二硫化钼薄膜位于所述基片的一侧，所述掺杂二硫化钼薄膜形成于所述二硫化钼薄膜的与所述基片相背的一侧，所述第一电极设于所述掺杂二硫化钼薄膜的与所述二硫化钼薄膜相背的一侧，且与所述掺杂二硫化钼薄膜接触，所述第二电极设于所述第一电极的与所述掺杂二硫化钼薄膜相背的一侧，所述第一电极与所述第二电极为不同材料的金属。
-
公开(公告)号：CN115694405A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211436386.1
申请日：2022-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种产生挠曲电的结构和方法，将叉指换能器和薄膜器件进行片上集成，同时给两侧的叉指换能器施加频率、相位、幅值相同的正弦波，由于薄膜器件的上电极未施加任何载荷，在声表面波的周期性拉伸的作用下薄膜器件的介质层会产生应变梯度，周期性变化的应变梯度会产生极化电荷，即产生了挠曲电效应。通过将薄膜器件设置于一对叉指换能器在被施加正弦波时产生的声表面波驻波的波腹处，位于波腹处的薄膜器件在声表波的作用下受到的拉伸强烈，产生的挠曲电效果更强。采用本发明的结构产生挠曲电效应对薄膜器件的表面无损伤，对挠曲电能量采集、挠曲电传感等方面的应用发展具有重要的意义。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.017 seconds)
