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公开(公告)号：CN1453674A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03128026.9
申请日：2003-05-23
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02B30/66 , Y02B30/765
Abstract: 本发明公开了一种用于热电制冷器的高精度温度控制电路，包括五个部分：温度设定部分用于设定TEC所需的工作温度，并将温度设定信号输出到PID控制器；温度采集部分由温度传感器和激励源组成，用于采集TEC的工作温度，并将温度信号输出到PID控制器；PID控制器将温度设定信号与采集的温度信号相比较，其差分信号经过PID运算产生TEC控制信号，送入PWM功率驱动器；PWM功率驱动器根据TEC控制信号，产生PWM信号，并经滤波电路滤波后提供直流输出给TEC。本发明利用脉宽调制(PWM)方法设计出高精度、低成本温控电路，不采用传统的电桥平衡方法检测温度，不需要多个精密电阻，集成度高，控制精度高，而且便于实时设定温度，温度控制精度由国际上通用的±10mK，提高到±5mK。
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公开(公告)号：CN1402047A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02138792.3
申请日：2002-07-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种制作多位相衍射光学元件的工艺，在初始的光学元件基片上首先溅射一层铬膜，当从背面对负性光刻胶曝光时形成掩蔽；各位相台阶的位置由第一块掩模版决定，后面的各制作步骤不再涉及确定台阶的位置，且后续的掩模版使用只要求与第一块掩模版确定的位相台阶位置粗略对准；在负性光刻胶掩蔽下刻蚀透紫外基底材料(如SiO2)时采用具有选择刻蚀比很大的反应离子刻蚀，使部分基底材料被刻蚀掉，而负性光刻胶被保留。对掩模版的制作精度除了第一块要求较高外，其余均要求较低，可降低掩模版的制作成本；只需考虑纵向刻蚀的误差对衍射效率的影响，而横向对准误差的影响无需考虑，通过反应离子刻蚀工艺的终点监控手段，可以高精度地控制纵向制作误差，因而可以得到比现有制作工艺更高的衍射效率。
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公开(公告)号：CN1295567C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410061274.8
申请日：2004-12-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性光学传感器的制作方法，步骤为：①光刻成形；②热熔；③离子刻蚀；④淀积保护层；⑤在正面淀积一层Cr或Al金属，光刻、刻蚀出金属图形，接着，在金属层上旋转涂覆聚酰亚胺，再进行固化；⑥在背面深刻蚀硅，直至硅底减薄至60-80μm，形成硅岛结构，最后再涂覆聚酰亚胺，并固化，即得到所需的柔性光学传感器。本发明的关键在于采用曲面微透镜技术制作柔性光学传感器。这种技术所制作的微传感器兼具柔性和强度，且与硅工艺相兼容。本发明制作的光学传感器能同时测量目标距离和方位角、并具有自动绕行或跨越障碍物的能力，在智能微型探测系统、智能机器人视觉系统等方面有广泛的应用空间。
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公开(公告)号：CN1271765C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410012961.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成模斑变换器的脊型波导偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层、无源波导层、有源区、脊型波导，其顶层和底层设有电极，其特征在于：在无源波导层与有源区之间设有第二级宽脊波导，所述脊型波导为侧向锥形结构，与第二级宽脊波导共同使光束远场与光纤远场匹配。上述脊型波导分为三部分，脊宽分两级侧向减小。本发明不仅具有工艺简单可靠，器件成品率高的特点，而且其偏振灵敏度底，远场特性好，可得到近似圆形的远场光斑，与波导或光纤具有极高的耦合效率和耦合对准容差。本发明可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。
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公开(公告)号：CN1209619C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03128346.2
申请日：2003-07-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种塑料生物芯片的键合和封装装置。该装置包括激光器光源系统、激光光束变换系统、工件对准平台、位移台、伺服控制器和微机主控系统。其优点在于：被键合材料吸收后局部升温快，热影响区小，对周围部件无损害；对键合材料无污染；易于计算机自动控制，键合速度高。装置结构简单、易于自动控制、键合效率高和可靠性高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1623887A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410061385.9
申请日：2004-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜微桥结构及其制作方法。其桥腿与桥面采用氧化硅和氮化硅复合薄膜制成，均位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔。其步骤包括：在衬底表面旋涂光敏聚酰亚胺薄膜，再进行光刻处理，形成孤岛和桥墩孔，再进行亚胺化处理；用金属填充桥墩孔；再在孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜，形成复合薄膜层；在复合薄膜层上光刻出微桥结构图形，刻蚀至聚酰亚胺薄膜层，形成桥面和桥腿图形，并去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜，形成微桥结构。本发明解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题，并获得了具有较低应力的复合薄膜。
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公开(公告)号：CN1619259A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410061275.2
申请日：2004-12-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性传感器的制作方法，步骤为：制作刚性传感器；在刚性传感器的晶片前表面上旋涂一层10－15μm厚的聚酰亚胺，再甩20－30μm厚的光刻胶；晶片后表面被深刻蚀减至60－80μm厚，形成硅岛；在后表面沉积一层300－500nm厚的氮化硅，光刻成形后，刻蚀硅片直到金属层；然后采用反应离子刻蚀方法刻蚀步骤(4)沉积的氮化硅；旋涂另一层10－15μm厚的聚酰亚胺于后表面来覆盖硅岛，即获得传感器可以卷曲起来，并广泛应用于非平面表面。柔性传感器制作成创可贴式的，随意贴于人体皮肤上，也可以运用于飞行器的控制领域。柔性传感器作为一个的新发展领域，将大大促进MEMS传感器的应用前景和应用范围。
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公开(公告)号：CN1195240C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02138792.3
申请日：2002-07-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种制作多位相衍射光学元件的工艺，在初始的光学元件基片上首先溅射一层铬膜，当从背面对负性光刻胶曝光时形成掩蔽；各位相台阶的位置由第一块掩模版决定，后面的各制作步骤不再涉及确定台阶的位置，且后续的掩模版使用只要求与第一块掩模版确定的位相台阶位置粗略对准；在负性光刻胶掩蔽下刻蚀透紫外基底材料(如SiO2)时采用具有选择刻蚀比很大的反应离子刻蚀，使部分基底材料被刻蚀掉，而负性光刻胶被保留。对掩模版的制作精度除了第一块要求较高外，其余均要求较低，可降低掩模版的制作成本；只需考虑纵向刻蚀的误差对衍射效率的影响，而横向对准误差的影响无需考虑，通过反应离子刻蚀工艺的终点监控手段，可以高精度地控制纵向制作误差，因而可以得到比现有制作工艺更高的衍射效率。
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公开(公告)号：CN1599114A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN03160005.0
申请日：2003-09-19
Applicant: 华中科技大学机械科学与工程学院
CPC classification number: Y02P70/56
Abstract: 一种微电子机械系统用微燃料电池，其特征是：它包括外膜(4、6)、燃料输送口(7)、空气输送口(8)、质子交换膜(5)、阴极多孔催化剂薄膜(3)、阳极多孔催化剂薄膜(1)，在所述的质子交换膜(5)的一个表面上覆有所述的阳极多孔催化剂薄膜(1)，形成阳极；在其另一个表面上覆有所述的阴极多孔催化剂薄膜(3)，形成阴极；在所述的二多孔催化剂薄膜(1、3)的外表面各覆有一带有燃料输送口(7)的外膜(4)，和一带有空气输送口(8)的外膜(6)；本发明电池具有尺寸较小、能量密度较高，寿命较长的优点，并可作为电子机械系统中持续充电的微能源使用。可与微锂电池组装后，用作电子机械系统微能源。也可作为手机、笔记本电脑等供电的小型便携式电源。
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公开(公告)号：CN1598040A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410060770.1
申请日：2004-08-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法，包括：在硅片上沉积氧化硅薄膜、氮化硅薄膜；采用离子束反应溅射法沉积氧化钒薄膜，工艺条件为：背底真空4×10－4Pa～3×10－3Pa，氧气压强6×10－4Pa～8×10－3Pa，氩气压强1×10－2Pa～2.3×10－2Pa，离子束流功率8W～60W，衬底温度120℃～450℃，溅射时间10～45分钟，靶材为钒靶；对样片进行退火处理，工艺条件为：气体为氩气或氮气，退火温度250℃～580℃，退火时间20～240分钟，得到相变的氧化钒薄膜。由本发明制备的氧化钒薄膜具有不同的相变温度点，可作成适用于不同温度的开关；保证温度控制操作时的高质量、高速度、高响应率。
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