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公开(公告)号:CN1195097C
公开(公告)日:2005-03-30
申请号:CN02138793.1
申请日:2002-07-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种制备氧化钒薄膜的方法,包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜:充入氩气至安放衬底的真空室,分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材;溅射镀制钒膜,直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火:在氩气气氛下加热退火炉,升温后充入氧气,氧气和氩气的流量比为1∶10~10∶1;氧化钒膜,制备氧化钒薄膜;钒膜氧化充分后,关闭氧气阀,氧化钒膜在纯氩气中退火;退火结束后,关闭退火炉,在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷,避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤,增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性;不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量,降低了方法难度,增加了方法的可重复性,能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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公开(公告)号:CN116819804A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202310690145.8
申请日:2023-06-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于红外调制器件技术领域,公开了一种石墨烯长波红外可调谐表面声子‑等离激元耦合器件,自下而上包括基底层(1)、介质层(2)、石墨烯层(3)和金属结构层;其中,基底层为SiC同质外延片,自下而上包括重掺SiC衬底(101)和SiC外延层(103);重掺SiC衬底的掺杂浓度不低于1×1018cm‑3;SiC外延层为本征态或者为掺杂浓度不高于1×1017cm‑3的轻掺杂态。本发明得到的器件可结合连续泵浦光源(如紫外连续激光器、LED等)、内建电场和外电场进行调控,泵浦功率密度低、热效应小、成本低廉,解决了现有石墨烯与SiC集成器件调控困难的问题,并实现了SiC表面声子模式的稳态响应调控。
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公开(公告)号:CN103178351A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201310062527.2
申请日:2013-02-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种频率可调的太赫兹波超材料调制器,包括周期排列的单元器件,每一个单元器件包括衬底、位于衬底上的功能材料层以及位于功能材料层上的金属谐振单元;当功能材料层从绝缘相变成金属相,功能材料层的电导率呈指数倍增加使得金属谐振单元的中间开口电容的面积增加,金属谐振单元的谐振频率随着电容的增大而变小实现了对单元器件的频率调谐。本发明采用在太赫兹波段低传输损耗衬底上制作周期排列的金属开口谐振单元、利用金属绝缘相变材料相变前后的电导率变化改变谐振单元开口电容的面积,实现了谐振频率可以调谐的太赫兹波超材料调制器,达到了在太赫兹波段对某一频率处的电磁传输特性进行主动性控制,获得大的开关比或高调制深度。
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公开(公告)号:CN104993250B
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201510283716.1
申请日:2015-05-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01Q21/00
Abstract: 本发明提供了一种基于电磁感应透明的红外超增强收集天线,包括多个周期性阵列排布的天线单元,所述天线单元包括第一谐振单元和第二谐振单元;所述第一谐振单元的谐振频率与所述第二谐振单元的谐振频率相同或相近;通过所述第一谐振单元与所述第二谐振单元之间的耦合作用实现了在红外波段的电磁感应透明现象,提高了对目标频率红外辐射的收集效率。本发明提供的电磁感应透明红外超增强收集天线能使入射的偏振光能量重新分布,将能量转移至与入射偏振方向垂直的方向,实现了对入射电磁波的偏振转换,此时在该频率处形成的局域电场明显比直接激发的局域电场大,在实现超增强收集的同时也可以在目标频率处实现偏振无关探测。
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公开(公告)号:CN106842633A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710210286.X
申请日:2017-03-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种中长波红外热光上转换的全光光子集成器件,自上而下包括衬底层、光隔离层、光传输层和吸收增强层;其中,光传输层包括光传输波导、耦合波导、相移光栅、支撑结构、相移光栅与支撑结构连接结构、光传输波导两侧浅刻蚀结构、光传输波导与耦合波导间隙;耦合波导、相移光栅、支撑结构、相移光栅与支撑结构连接结构连为一体,并且其下方镂空、通过支撑结构与光传输层其余部分相连;本发明提供的中长波红外热光上转换的全光光子集成器件可将中长波红外信号直接转换为通讯波段的近红外信号,接入到现有光纤网路中传输,可起到简化系统结构的作用;并通过隔离层设计减弱了外界噪声的干扰,降低外界噪声对器件性能的影响。
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公开(公告)号:CN1598040A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN200410060770.1
申请日:2004-08-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法,包括:在硅片上沉积氧化硅薄膜、氮化硅薄膜;采用离子束反应溅射法沉积氧化钒薄膜,工艺条件为:背底真空4×10-4Pa~3×10-3Pa,氧气压强6×10-4Pa~8×10-3Pa,氩气压强1×10-2Pa~2.3×10-2Pa,离子束流功率8W~60W,衬底温度120℃~450℃,溅射时间10~45分钟,靶材为钒靶;对样片进行退火处理,工艺条件为:气体为氩气或氮气,退火温度250℃~580℃,退火时间20~240分钟,得到相变的氧化钒薄膜。由本发明制备的氧化钒薄膜具有不同的相变温度点,可作成适用于不同温度的开关;保证温度控制操作时的高质量、高速度、高响应率。
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公开(公告)号:CN106772742A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611238216.7
申请日:2016-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种宽带偏振无关长波红外吸收板,属于红外吸收器件,解决现有红外吸收器不能够兼顾吸收率、吸收带宽和占空比的缺陷,以能够兼顾宽带、偏振无关且结构紧凑。本发明自下而上依次包括衬底层、底层金属层、介质层和顶层金属层,所述顶层金属层由多个周期性阵列排布的金属图形组构成,各金属图形组的结构相同,分别均由对称性排列的多个金属图形单元构成,各金属图形单元尺寸相近,各金属图形单元连同其垂直投影下的介质层和底层金属层形成谐振单元。本发明可实现对特定波长电磁波的完美吸收,各组谐振单元可实现偏振无关吸收以及超宽带吸收,优化各组谐振单元结构及间距,还可提高结构占空比,实现器件的小型化。
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公开(公告)号:CN104124531B
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201410261631.9
申请日:2014-06-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件。该器件包括基板和位于基板上的能产生电磁感应透明现象的金属单元阵列;所述金属单元阵列包括多个阵列分布的金属单元,所述金属单元包括第一金属微结构和第二金属微结构,所述第一金属微结构包括第一金属图形,所述第二金属微结构包括第二金属图形,所述第一金属微结构和/或所述第二金属微结构还包括半导体元件。本发明能有效解决现有技术中不能简单快速地对电磁感应透明超材料的工作频率进行调控的问题,能获得较高的调制深度和开关速度。该器件能广泛应用于慢光调制、光开关、传感器、无线通信等技术领域。
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公开(公告)号:CN103545618B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201310443091.1
申请日:2013-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段宽带吸收超材料,属于电磁通信领域。所述超材料包括金属反射层、介质层和金属图案层,介质层位于金属反射层和金属图案层之间,金属反射层为连续金属薄膜,其厚度大于太赫兹波的趋肤深度,金属图案层由周期性排列的单元器件构成,单元器件为多个同心金属环,其中相邻单环的吸收带宽部分重叠,形成太赫兹波段宽带吸收。本发明提供的太赫兹波段宽带吸收材料,大大提高了超材料周期结构的占空比及平均吸收率,并可通过增减同心金属环的数量实现太赫兹波段吸收的带宽控制,调整吸收带宽方便灵活、图形结构简单、不需要多层材料堆叠、周期小、制作精度要求低、便于批量生产。
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公开(公告)号:CN103247839A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201310112820.5
申请日:2013-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及超材料器件领域,提供了一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法;包括衬底,位于衬底上的MIT层,位于MIT相变层上的介质层以及位于介质层上的周期排列的金属开口谐振单元;通过改变MIT相变层的电导率实现在金属开口谐振单元谐振频率处吸收器的开或关;本发明利用MIT相变材料相变前后电导率的变化来改变吸收器的吸收率,实现了在金属开口谐振单元谐振频率附近可以实现开与关的太赫兹波MPA,达到了在太赫兹波段对特定频率处的电磁传输特性进行主动性控制,获得大的开关比或调制深度;采用衬底-二氧化钒-介质层-SRRs四层结构的开关可调MPA,通过外场控制二氧化钒的电导率,从而实现对MPA吸收率的控制。
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