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公开(公告)号：CN1564406A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410012961.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成模斑变换器的脊型波导偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层、无源波导层、有源区、脊型波导，其顶层和低层设有电极，其特征在于：在无源波导层与有源区之间设有第二级宽脊波导，所述脊型波导为侧向锥形结构，与第二级宽脊波导共同使光束远场与光纤远场匹配。上述脊型波导分为三部分，脊宽分两级侧向减小。本发明不仅具有工艺简单可靠，器件成品率高的特点，而且其偏振灵敏度底，远场特性好，可得到近似圆形的远场光斑，与波导或光纤具有极高的耦合效率和耦合对准容差。本发明可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。
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公开(公告)号：CN1295544C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410061394.8
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钒薄膜微型光开关及其制作方法。光开关的桥腿与桥面采用同一种介质薄膜制成，二者位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔；氧化钒薄膜制备在桥面之上，电极位于金属桥墩上，且与氧化钒薄膜相连。本发明采用微桥结构，不仅可以降低光开关的热容值，提高开关速度，而且通过改变微桥结构参数，还可以进一步调整光开关与衬底间的热导值。本发明为全固态器件，避免了MOMES光开关中的移动部件，提高了光开关的可靠性。本发明有利于研制高速或者低功耗的光开关阵列。
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公开(公告)号：CN1295138C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410061385.9
申请日：2004-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜微桥结构的制作方法，其步骤包括：①清洗衬底表面，并进行表面活化；②在衬底表面旋涂一层1-5μm厚的光敏聚酰亚胺薄膜；③对聚酰亚胺薄膜进行光刻处理，形成聚酰亚胺薄膜孤岛和桥墩孔，再进行亚胺化处理；④用金属填充桥墩孔；⑤在聚酰亚胺薄膜孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜，形成复合薄膜层，氧化硅厚度为0.1-1μm，氮化硅厚度0.1-1μm；⑥在上述复合薄膜层上光刻出微桥结构图形，刻蚀该复合薄膜层至聚酰亚胺薄膜层，形成桥面和桥腿图形，并用氧等离子体去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜，形成微桥结构。本发明解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题，并获得了具有较低应力的复合薄膜。
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公开(公告)号：CN1564407A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410012960.6
申请日：2004-04-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供的一种偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层，张应变量子阱结构有源区、p型InP包层、p型InGaAs接触层，其顶层和底层附有电极，其特征在于：张应变有源区的材料为AlGaInAs。本发明在光放大器有源区采用AlGaInAs材料，能更有效地阻止电子穿越势垒层泄漏，改善器件的高温特性。本发明偏振灵敏度底，温度特性好，可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。
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公开(公告)号：CN1624530A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410061394.8
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钒薄膜微型光开关及其制作方法。光开关的桥腿与桥面采用同一种介质薄膜制成，二者位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔；氧化钒薄膜制备在桥面之上，电极位于金属桥墩上，且与氧化钒薄膜相连。本发明采用微桥结构，不仅可以降低光开关的热容值，提高开关速度，而且通过改变微桥结构参数，还可以进一步调整光开关与衬底间的热导值。本发明为全固态器件，避免了MOMES光开关中的移动部件，提高了光开关的可靠性。本发明有利于研制高速或者低功耗的光开关阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1271765C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410012961.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成模斑变换器的脊型波导偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层、无源波导层、有源区、脊型波导，其顶层和底层设有电极，其特征在于：在无源波导层与有源区之间设有第二级宽脊波导，所述脊型波导为侧向锥形结构，与第二级宽脊波导共同使光束远场与光纤远场匹配。上述脊型波导分为三部分，脊宽分两级侧向减小。本发明不仅具有工艺简单可靠，器件成品率高的特点，而且其偏振灵敏度底，远场特性好，可得到近似圆形的远场光斑，与波导或光纤具有极高的耦合效率和耦合对准容差。本发明可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。
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公开(公告)号：CN1623887A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410061385.9
申请日：2004-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜微桥结构及其制作方法。其桥腿与桥面采用氧化硅和氮化硅复合薄膜制成，均位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔。其步骤包括：在衬底表面旋涂光敏聚酰亚胺薄膜，再进行光刻处理，形成孤岛和桥墩孔，再进行亚胺化处理；用金属填充桥墩孔；再在孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜，形成复合薄膜层；在复合薄膜层上光刻出微桥结构图形，刻蚀至聚酰亚胺薄膜层，形成桥面和桥腿图形，并去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜，形成微桥结构。本发明解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题，并获得了具有较低应力的复合薄膜。
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公开(公告)号：CN1619259A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410061275.2
申请日：2004-12-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性传感器的制作方法，步骤为：制作刚性传感器；在刚性传感器的晶片前表面上旋涂一层10－15μm厚的聚酰亚胺，再甩20－30μm厚的光刻胶；晶片后表面被深刻蚀减至60－80μm厚，形成硅岛；在后表面沉积一层300－500nm厚的氮化硅，光刻成形后，刻蚀硅片直到金属层；然后采用反应离子刻蚀方法刻蚀步骤(4)沉积的氮化硅；旋涂另一层10－15μm厚的聚酰亚胺于后表面来覆盖硅岛，即获得传感器可以卷曲起来，并广泛应用于非平面表面。柔性传感器制作成创可贴式的，随意贴于人体皮肤上，也可以运用于飞行器的控制领域。柔性传感器作为一个的新发展领域，将大大促进MEMS传感器的应用前景和应用范围。
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公开(公告)号：CN2689539Y
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200420017634.X
申请日：2004-04-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 本实用新型公开了一种脊型波导偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层、无源波导层、有源区、脊型波导，其顶层和低层设有电极，其特征在于：在无源波导层与有源区之间设有第二级宽脊波导，所述脊型波导为侧向锥形结构，与第二级宽脊波导共同使光束远场与光纤远场匹配。上述脊型波导分为三部分，脊宽分两级侧向减小。本实用新型不仅具有工艺简单可靠，器件成品率高的特点，而且其偏振灵敏度低，远场特性好，可得到近似圆形的远场光斑，与波导或光纤具有极高的耦合效率和耦合对准容差。本实用新型可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。
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公开(公告)号：CN2762175Y
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200420057891.6
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种氧化钒薄膜微型光开关。光开关的桥腿与桥面采用同一种介质薄膜制成，二者位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔；氧化钒薄膜制备在桥面之上，电极位于金属桥墩上，且与氧化钒薄膜相连。本实用新型采用微桥结构，不仅可以降低光开关的热容值，提高开关速度，而且通过改变微桥结构参数，还可以进一步调整光开关与衬底间的热导值。本实用新型为全固态器件，避免了MOMES光开关中的移动部件，提高了光开关的可靠性。本实用新型有利于研制高速或者低功耗的光开关阵列。
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