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公开(公告)号：CN1295138C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410061385.9
申请日：2004-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜微桥结构的制作方法，其步骤包括：①清洗衬底表面，并进行表面活化；②在衬底表面旋涂一层1-5μm厚的光敏聚酰亚胺薄膜；③对聚酰亚胺薄膜进行光刻处理，形成聚酰亚胺薄膜孤岛和桥墩孔，再进行亚胺化处理；④用金属填充桥墩孔；⑤在聚酰亚胺薄膜孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜，形成复合薄膜层，氧化硅厚度为0.1-1μm，氮化硅厚度0.1-1μm；⑥在上述复合薄膜层上光刻出微桥结构图形，刻蚀该复合薄膜层至聚酰亚胺薄膜层，形成桥面和桥腿图形，并用氧等离子体去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜，形成微桥结构。本发明解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题，并获得了具有较低应力的复合薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1295544C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410061394.8
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钒薄膜微型光开关及其制作方法。光开关的桥腿与桥面采用同一种介质薄膜制成，二者位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔；氧化钒薄膜制备在桥面之上，电极位于金属桥墩上，且与氧化钒薄膜相连。本发明采用微桥结构，不仅可以降低光开关的热容值，提高开关速度，而且通过改变微桥结构参数，还可以进一步调整光开关与衬底间的热导值。本发明为全固态器件，避免了MOMES光开关中的移动部件，提高了光开关的可靠性。本发明有利于研制高速或者低功耗的光开关阵列。
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公开(公告)号：CN1624530A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410061394.8
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钒薄膜微型光开关及其制作方法。光开关的桥腿与桥面采用同一种介质薄膜制成，二者位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔；氧化钒薄膜制备在桥面之上，电极位于金属桥墩上，且与氧化钒薄膜相连。本发明采用微桥结构，不仅可以降低光开关的热容值，提高开关速度，而且通过改变微桥结构参数，还可以进一步调整光开关与衬底间的热导值。本发明为全固态器件，避免了MOMES光开关中的移动部件，提高了光开关的可靠性。本发明有利于研制高速或者低功耗的光开关阵列。
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公开(公告)号：CN1623887A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410061385.9
申请日：2004-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜微桥结构及其制作方法。其桥腿与桥面采用氧化硅和氮化硅复合薄膜制成，均位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔。其步骤包括：在衬底表面旋涂光敏聚酰亚胺薄膜，再进行光刻处理，形成孤岛和桥墩孔，再进行亚胺化处理；用金属填充桥墩孔；再在孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜，形成复合薄膜层；在复合薄膜层上光刻出微桥结构图形，刻蚀至聚酰亚胺薄膜层，形成桥面和桥腿图形，并去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜，形成微桥结构。本发明解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题，并获得了具有较低应力的复合薄膜。
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公开(公告)号：CN2762175Y
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200420057891.6
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种氧化钒薄膜微型光开关。光开关的桥腿与桥面采用同一种介质薄膜制成，二者位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔；氧化钒薄膜制备在桥面之上，电极位于金属桥墩上，且与氧化钒薄膜相连。本实用新型采用微桥结构，不仅可以降低光开关的热容值，提高开关速度，而且通过改变微桥结构参数，还可以进一步调整光开关与衬底间的热导值。本实用新型为全固态器件，避免了MOMES光开关中的移动部件，提高了光开关的可靠性。本实用新型有利于研制高速或者低功耗的光开关阵列。
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公开(公告)号：CN2761576Y
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200420057831.4
申请日：2004-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种薄膜微桥结构。其桥腿与桥面采用氧化硅和氮化硅复合薄膜制成，均位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔。本实用新型解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题；并采用了应力平衡技术，利用二氧化硅薄膜的压应力来平衡氮化硅薄膜的张应力，可以获得具有较低应力的复合薄膜。
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