一种氟磷酸盐荧光玻璃及基于该荧光玻璃的分光型光源设计

    公开(公告)号:CN118754434A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410834879.3

    申请日:2024-06-26

    Abstract: 本发明公开了一种氟磷酸盐荧光玻璃及基于该荧光玻璃的分光型光源设计,涉及光学器件技术领域。本发明的氟磷酸盐荧光玻璃组分摩尔百分比构成如下:AlF3 3‑10%,NaPO3 40‑70%,BaF2 2‑20%,CaF2 3‑30%,稀土氧化物或稀土氟化物0.05‑3%。本发明制备的氟磷酸盐荧光玻璃具有优异的光学性质和机械性质,在此基础上可获得制备简便、成本低、光谱可调性强、光效好、结构灵活、可分光、相干性低、光谱连续性强的单芯片分光型光源。本发明具有制备工艺简便、二次光学结构成型容易、辐射光谱空间分布设计灵活、应用前景广泛的优点。

    一种直读光谱仪的信号采集与处理方法

    公开(公告)号:CN106596404B

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201611174493.6

    申请日:2016-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种新型直读光谱仪的信号采集与处理方法,适用于直读光谱仪周期火花光源特点。首先根据直读光谱仪的分光光路结构,确定待测光各波段对应的分光光路所处的空间位置,放置与各光路波段相对应的光探测模块;对光探测模块输出的电信号进行倒相处理后送入锁相放大器的信号通道进行带通滤波和放大,减少杂散噪声;将与待测信号频率相同的周期信号送入参考通道,调节其相位与待测信号相同;对信号通道与参考信道的输出信号进行互相关运算,抑制与参考信号不相关的噪声;提取相关器输出的低频成分,得到待测信号的幅值和相位信息。本发明可缩小光学系统的体积,减少探测器投入,探测灵敏度高,噪声低,可提高直读光谱仪的分辨率。

    高V值和低温度系数重金属硼酸盐玻璃及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN108483902A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810266445.2

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明提供了一种高V值和低温度系数重金属硼酸盐玻璃及制备方法与应用。制备方法是将PbO、B2O3或H3BO3以及Bi2O3充分混合后进行熔融并澄清,还可添加稀土氧化物或过渡金属氧化物,并进行搅拌均化,通过熔融-浇注法制备出高V值和低温度系数重金属硼酸盐玻璃。本发明提供的重金属硼酸盐玻璃制作成本低,具有高Verdet常数和很低的温度依赖性,所述重金属硼酸盐玻璃可广泛用于各类磁光器件的设计且不需要采取温度补偿技术。该类玻璃具有优良磁旋光性能,近红外透过率可达到85%,适合制备磁光电流传感器、磁光开关、磁光调制器及磁光隔离器等各类磁光器件。

    一种针对面聚光太阳能电池的封装结构

    公开(公告)号:CN103579399A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310472587.1

    申请日:2013-10-11

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/048 H01L31/0521

    Abstract: 本发明公开了一种针对面聚光太阳能电池的封装结构,所述封装结构由一个电池模组构成,所述的电池模组又由若干个独立电池单元串/并联而成,其中每个独立电池单元从外到内依次由低铁高强度透光玻璃、若干片面聚光太阳能电池、陶瓷覆铜基板和水冷腔体组成。这样的结构特别适合在需要大面积高倍聚光的场合,能够有效避免采用常规点聚光太阳能电池所带来的一些问题,并且排列紧凑,结构简单,具有非常好的维护性和可生产性。

    一种基于多层异型阵列孔结构的近-中红外宽带光源

    公开(公告)号:CN111146686B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201911377624.4

    申请日:2019-12-27

    Inventor: 王双保 陶恺宇

    Abstract: 本发明公开了一种基于多层异型阵列孔结构的近‑中红外宽带光源,本发明采用近红外激光激发多层异型阵列孔结构的玻璃的荧光产生连续红外光,氟化物玻璃具有良好的近中红外透过性,各氟化物玻璃层中掺入的稀土离子在激光激发下释放出相应波段的荧光,通过该异型孔结构下各波段的荧光叠加实现2~4μm的近‑中红外宽带光的输出;该发明可根据宽带光的需要,灵活地调节对应层号上稀土离子掺杂浓度辅以玻璃厚度和孔阵列结构设计实现,具有体积小、功耗低、便于集成和造价低的优势。

    一种氟化物玻璃及其制备方法

    公开(公告)号:CN107285627A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710616513.9

    申请日:2017-07-25

    CPC classification number: C03C3/325 C03B19/02 C03B25/02 C03B37/012 C03B2201/82

    Abstract: 本发明公开了一种氟化物玻璃及其制备方法,氟化物玻璃包括摩尔百分比为16%~70%的ZrF4、13%~32%的BaF2、5%~18%的MF、0%~14%的MeF2和0%~28%的MfF3,其中,M为Na、Li中的一种或两种,Me为Zn、Mg、Ca中的一种或多种,Mf为Al、La中的一种或两种。本发明的氟化物玻璃的低成本,适用于在近紫外到中红外波段的光学窗口。本发明所得玻璃截止波长大于6um,成玻璃性能好,适合制备红外激光光纤和光纤放大器基质玻璃及其他光学材料。本发明获得玻璃具有良好的成玻璃性能,良好的化学稳定性,理论损耗低,适合制备低损耗氟化物光纤和掺杂光纤的基质。

    低成本ZBAN四元系氟化物光学玻璃及其制备方法

    公开(公告)号:CN106630599A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201611206078.4

    申请日:2016-12-23

    CPC classification number: C03C3/23

    Abstract: 本发明公开了一种低成本ZBAN四元系氟化物光学玻璃及其制备方法。本发明所述玻璃采用四元氟化物体系ZrF4、BaF2、AlF3和NaF制备而成,在2‑7.5um的近红外到中红外波段均有较好的透过特性,在4‑6um波段该氟化物玻璃透过率可达60%。本发明还提出该玻璃的制备方法,主要包括改进性熔制、成型和退火工艺。本发明基于简易制备条件,并且通过低温氟化等方法巧妙实现了原料熔制过程中的干燥、无氧环境,减少了实验成本,降低了对实验环境的要求,工艺简单、材料成本较低,大大降低了光学玻璃成本。

    双路干涉闭环检测的免温度补偿光纤电流互感器及方法

    公开(公告)号:CN102967747A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210447191.7

    申请日:2012-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种免温度补偿的电流测量方法,利用调制解调时分复用技术,对具有两个不同温度特性的光纤传感环的传感支路同时进行调制解调,获得两个传感环的测量值,再根据该两个传感环的温度模型进行数字计算获得最终测量值。本发明还公开了实现上述方法的装置,包括光源、光纤耦合器、双通道相位调制器、线双折射光纤延迟线、两个具有不同温度特性的传感光纤环、探测器以及电气信号解调单元,双通道相位调制器的两调制通道分别与一双折射光纤延迟线、一传感光纤环构成两传感支路。本发明利用两个不同温度性能光纤环对应的测试电流解调值计算得出消除了环温度影响的测量电流值,保证了全温范围内的精确性、可靠稳定性。

    一种二维光子晶体结构GaN基LED的制备方法

    公开(公告)号:CN102214742B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201110148202.7

    申请日:2011-06-02

    Abstract: 本发明公开了一种二维光子晶体结构GaN基LED的制备方法,包括首先在目标上旋涂一层紫外光刻胶,利用紫外软纳米压印将模板的二维光子晶体结构复制到光刻胶表面,刻蚀去掉残胶,在光子晶体紫外胶上蒸渡一层SiO2或Cr膜,经刻蚀在目标片上得到这种光子晶体图形,将所得的GaN经去胶、清洗、烘干处理即得光子晶体目标片,将所得的目标片进行后续工艺处理,即可完成器件的制作,得到高光提取效率的光子晶体GaN基LED。本发明的方法可以提高刻蚀的选择比,一定范围内可调节光子晶体得占空比,可克服LED芯片表面的不平整问题,较好地通过纳米压印技术制备光子晶体图案,适用于工业生产的GaN基光子晶体LED的制备。

    一种基于纳米压印的高出光效率LED的制备方法

    公开(公告)号:CN102157642A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110071200.2

    申请日:2011-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的GaN基LED制备方法,包括:(1)利用铝的阳极氧化方法制备纳米压印模板;(2)对所述纳米压印模板进行防粘处理;(3)在目标片上旋涂一层光刻胶;(4)将上述纳米压印模板与目标片进行纳米压印;(5)将上述压印处理后的纳米压印模板与目标片分离,从而在所述目标片表层的光刻胶上形成所需的图案;(6)利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀或者反应离子束(RIE)蚀刻,将上述图案转移到目标片上;(7)将目标片经后续工艺处理,制得所述GaN基LED。本发明的方法简便易行,通过阳极氧化方法制备纳米压印模板,适合于大规模工业生产的纳米压印技术来制作高出光效率的GaN基光子晶体LED。

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