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公开(公告)号：CN116435737A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310397197.6
申请日：2023-04-12
Applicant: 北京遥感设备研究所
IPC: H01P3/12
Abstract: 本公开的实施例提供了基于HTCC工艺的亚毫米波三维传输结构，包括：馈入亚毫米波并对亚毫米波进行第一级垂直传输的匹配腔；对亚毫米波进行水平传输的水平腔；对亚毫米波进行第二级垂直传输的垂直腔；匹配腔、水平腔与垂直腔均位于HTCC基板中；HTCC基板由多层带有金属化过孔和钨金属层的介质层组成，介质层根据金属化过孔的阵列排列堆叠，形成尺寸不同的各腔体；匹配腔内设置有匹配孔与匹配金属条带；匹配孔中设置有匹配金属柱；匹配金属柱一端连接匹配金属条带，另一端连接匹配腔底部的钨金属层；匹配金属条带一端连接匹配金属柱，另一端连接匹配腔腔体。以此方式，可以解决亚毫米波信号在高介电常数材料中三维传输复杂度高、差损大的问题。
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公开(公告)号：CN108011178B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610952955.6
申请日：2016-10-27
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于硅通孔的三维结构差分片上天线，包括：高阻硅基板（1）、顶层二氧化硅层（2）、底层二氧化硅层（3）和金属地板（4），还包括：硅通孔（5）、差分馈线（6）、顶层金属条带（7）、底层金属条带（8）和终端短路匹配线（9）。工作时，差分射频信号通过差分馈线（6）一端的信号硅通孔（5）进入与差分馈线（6）另一端连接的顶层金属条带（7），顶层金属条带（7）与底层金属条带（8）通过硅通孔（5）连接构成双层金属条带，射频信号通过双层金属条带向外辐射。本发明实现了基于硅通孔的片上天线三维化和小型化，满足天线与芯片互联时差分馈电的需求，适用于微系统天线与功能芯片的三维堆叠高度集成应用。
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公开(公告)号：CN109411858A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811351736.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 北京遥感设备研究所
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型基片集成波导到矩形波导过渡结构，包括：基片集成波导(1)和耦合缝隙(2)，还包括：台阶变换波导(3)。工作时，电磁波由基片集成波导(1)进入，通过耦合缝隙(2)，由台阶变换波导(3)上的长条缝进入台阶变换波导(3)；台阶变换波导(3)的台阶变换段使通过耦合缝隙(2)的电磁波良好转换为矩形波导中的传输主模，从而完成基片集成波导(1)到矩形波导的过渡。本发明解决了基片集成波导到矩形波导过渡结构占用体积大，不利于系统集成的问题。
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公开(公告)号：CN107611580B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710707437.2
申请日：2017-08-17
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于固体等离子体的极化可重构天线，包括：固体等离子体发生器阵列(1)、衬底基片(2)、偏置电极(3)、支柱(4)、金属底座(5)、馈线(6)和射频接头(7)，其中固体等离子体发生器阵列(1)由多个固体等离子体发生器呈辐射状排布或多个同心圆环状排布或两种排布方式相结合而成，衬底基片(2)盖在支柱(4)的上端口；固体等离子体发生器阵列(1)安装在衬底基片(2)上表面，固体等离子体发生器阵列(1)下方连接有多个偏置电极(3)，馈线(6)上端焊接在固体等离子体发生器阵列(1)上，下端与固定在金属底座(5)下方的射频接头(7)焊接。本发明天线能够在多极化雷达与通信系统中得以应用。
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公开(公告)号：CN119962169A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411969197.X
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京遥感设备研究所
IPC: G06F30/20 , H01L23/373 , H01L23/367 , G01K3/08 , G01K7/02 , G01M99/00 , H05K7/20 , H01C1/08 , G06F119/08
Abstract: 本说明书公开了一种大规模阵列微系统热控件结构，涉及大规模阵列微系统技术领域，包括7个微系统子模块、温度信息采集板、结构框架、盖板及导热垫；所述微系统子模块为多层结构，中间层为陶瓷载板、上层焊接有天线阵面和用于等效芯片进行发热的热电阻，下层焊接有钼铜板作为支撑结构；微系统子模块通过钼铜板上的螺孔与结构框架螺接，导热垫位于微系统子模块和结构框架之间；温度信息采集板，用于读取热电阻附近的温度，通过低频连接器与微系统子模块连接；盖板与结构框架螺接，以解决大规模型阵列微系统均温性差，影响性能的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119726062A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411964661.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明属于相控阵天线的技术领域，具体公开了一种用于相控阵系统的高增益太赫兹片上天线。该用于相控阵系统的高增益太赫兹片上天线包括：辐射贴片、介质载体、隔离墙、地板、传输馈线和屏蔽体；辐射贴片贴置于介质载体的上侧，传输馈线增长于辐射贴片的侧边，介质载体贴置于隔离墙的上侧，隔离墙增长于地板的上侧，屏蔽体增长于隔离墙的上侧并位于传输馈线的两侧；辐射贴片、介质载体和地板之间为空气；传输馈线与芯片的端口连接，地板与芯片的接地端连接，芯片产生的电磁信号通过传输馈线进入天线，再由辐射贴片辐射至自由空间。本方案解决了现有太赫兹片上天线的性能差的技术难题。
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公开(公告)号：CN118156315A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410281295.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京遥感设备研究所
IPC: H01L29/868 , H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明属于二极管技术领域，具体涉及一种二极管阵列的基本单元、结构、系统和制造方法。一种二极管的阵列基本单元，包括本征硅衬底和本征硅I区，本征硅I区的顶部嵌设有P掺杂区和N掺杂区；P掺杂区的顶部设有正电极片，该正电极片通过馈电结构用于与控制电路系统的正极相连，且该馈电结构贯穿本征硅I区和本征硅衬底后延伸至本征硅衬底的底部；N掺杂区的顶部设有负电极片，该负电极片通过馈电结构用于与控制电路系统的负极相连，且该馈电结构贯穿本征硅I区和本征硅衬底后延伸至本征硅衬底的底部。本发明所提供的二极管的阵列基本单元通过设计硅基背馈直流馈电结构，改变了传统直流控制电路与PIN二极管共面平行互连的形式。
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公开(公告)号：CN116505245A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310385472.2
申请日：2023-04-12
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种组合式亚毫米波相控阵天线及其工作方法，包括：HTCC基板、TR芯片、PCB基板、射频连接器和低频连接器；射频连接器，焊接在PCB基板的下表面，用于传输微波信号；低频连接器，焊接在PCB基板的下表面，用于TR芯片的供电；PCB基板的上表面与HTCC基板的下表面通过多个第一金属焊球连接，相邻的第一金属焊球之间形成TR芯片的安装空间；TR芯片位于HTCC基板与PCB基板之间，通过第二金属焊球焊接于HTCC基板的下表面。本发明可以降低相控阵天线的成本、满足相控阵天线小型化、轻量化的需求。
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公开(公告)号：CN116454593A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310389020.1
申请日：2023-04-12
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于HTCC工艺的相控阵辐射结构及其工作方法,包括：将信号导入并传输至过渡腔的传输腔；改变信号模式并将信号传输至辐射腔的过渡腔；将信号辐射至空中并形成辐射场的辐射腔；配合各腔体完成辐射的匹配条栅；传输腔、过渡腔、辐射腔位于HTCC基板中；HTCC基板由多层带有金属化过孔和钨金属层的介质层组成，介质层根据金属化过孔的阵列排列堆叠，形成尺寸不同的各腔体；匹配条栅均匀分布于辐射腔四侧壁中间位置；传输腔底部设置有信号导入接口；传输腔、过渡腔与辐射腔为同心同轴的垂直互连腔体。以此方式，可以解决相控阵天线封装工艺在亚毫米波相控阵上加工精度低、导热性能差、辐射效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114597627A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210156554.5
申请日：2022-02-21
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种高功率密度集成有源相控阵天线微系统，应用于高功率密度场景下，包括：天线单元、大功率芯片、高温共烧陶瓷、多功能芯片、石墨烯膜、第一支架组件、第二支架组件，天线单元工作频段为X‑Ku频段，天线单元与大功率芯片上表面焊接，所述大功率芯片与高温共烧陶瓷上表面焊接，石墨烯膜与多功能芯片下表面粘接，高温共烧陶瓷与第一支架组件焊接，第一支架组件与第二支架组件连接，石墨烯膜与第二支架组件粘接；大功率芯片的热量传导至高温共烧陶瓷，由高温共烧陶瓷传导至第一支架组件，再传导至冷端；大功率芯片的热量传导至天线单元；多功能芯片的热量传导至石墨烯膜，由石墨烯膜传导至第二支架组件再传导至冷端。解决了高功率密度集成的有源相控阵天线散热瓶颈问题。
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