一种波束倾角可变连续断面短枝节阵列天线

    公开(公告)号:CN109244680B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201811060095.0

    申请日:2018-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种波束倾角可变连续断面短枝节阵列天线,包括:辐射金属盘(1),馈电金属盘(3),线性射频馈源(5),吸波材料(6),扼流槽和轴承(8),还包括:长直矩形缝隙(2)和平行慢波结构(4)。其中辐射金属盘(1)上开有多个等间距排布、宽度渐宽的长直矩形缝隙(2)。馈电金属盘(3)的上表面附有平行慢波结构(4)。平行慢波结构(4)由多个尺寸相同、等间距、平行排列的矩形金属长齿组成。本发明通过在辐射金属盘(1)上开多个宽度逐渐增大的长直矩形缝隙(2),实现了天线的低副瓣,解决了在卫星通信应用中容易造成邻星干扰的问题。

    一种全金属结构的极化旋转系统

    公开(公告)号:CN109361066A

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201811363175.3

    申请日:2018-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种全金属结构的极化旋转系统,包括:金属极化栅(1),轴承(2)和天线(3)。金属极化栅(1)由金属圆盘开多个等间距排布的长直矩形缝隙形成。金属极化栅(1)的数量为多个,共轴层叠放置,相邻金属极化栅(1)通过轴承(2)相连。多个金属极化栅(1)位于天线(3)上方,最底层金属极化栅(1)与天线(3)通过轴承(2)相连。本发明通过采用金属极化栅(1),使极化旋转系统为全金属结构,结构件的热膨胀系数一致性好,解决了传统极化旋转系统在温度变化较大时易发生形变,减少使用寿命的问题。

    一种硅基固体等离子体频率可重构天线

    公开(公告)号:CN119786958A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411943898.6

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明提供了一种硅基固体等离子体频率可重构天线,涉及频率可重构天线技术领域。该天线的本征硅基结构与金属地板堆叠设置,本征硅基结构远离金属地板的一侧设置多个二极管,本征硅基结构沿其高度方向分别设置有直流馈电铜柱和金属通孔,直流馈电系统设置于金属地板远离本征硅基结构的一侧,直流馈电铜柱的一端与二极管连接,直流馈电铜柱的另一端穿过金属地板与直流馈电系统连接;馈电接头设置于金属地板远离本征硅基结构的一侧,馈电接头穿过金属地板嵌设于金属通孔中,馈电接头远离金属地板的一端通过微带馈线与二极管连接。其通过控制二极管处于开启状态的数量,实现快速频率的可重构性。当部分二极管处于非工作状态时,可有效降低天线的RCS。

    一种紧凑型脊波导到矩形波导正交极化变换器

    公开(公告)号:CN108183336B

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201711180003.8

    申请日:2017-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种紧凑型脊波导到矩形波导正交极化变换器,包括:C型非标准脊波导腔(1)、极化正交变换脊波导腔(2)和矩形波导腔(3)。C型非标准脊波导腔(1)为C型波导腔,上方波导腔较下方波导腔短。极化正交变换脊波导腔(2)为中心脊向一侧偏移的U型波导腔,偏移一侧的波导腔较另一侧的波导腔高,极化正交变换脊波导腔(2)的一端与C型非标准脊波导腔(1)的一端相连;极化正交变换脊波导腔(2)的另一端与矩形波导腔(3)的一端相连。本发明技术能够同时完成由C型非标准脊波导腔(1)到矩形波导腔(3)的极化变换、工作模式变换和匹配变换,缩减了变换器的尺寸,提高了系统的集成度。

    一种紧凑型脊波导到矩形波导正交极化变换器

    公开(公告)号:CN108183336A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201711180003.8

    申请日:2017-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种紧凑型脊波导到矩形波导正交极化变换器,包括:C型非标准脊波导腔(1)、极化正交变换脊波导腔(2)和矩形波导腔(3)。C型非标准脊波导腔(1)为C型波导腔,上方波导腔较下方波导腔短。极化正交变换脊波导腔(2)为中心脊向一侧偏移的U型波导腔,偏移一侧的波导腔较另一侧的波导腔高,极化正交变换脊波导腔(2)的一端与C型非标准脊波导腔(1)的一端相连;极化正交变换脊波导腔(2)的另一端与矩形波导腔(3)的一端相连。本发明技术能够同时完成由C型非标准脊波导腔(1)到矩形波导腔(3)的极化变换、工作模式变换和匹配变换,缩减了变换器的尺寸,提高了系统的集成度。

    二极管阵列的基本单元、结构、系统和制造方法

    公开(公告)号:CN118156315A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410281295.8

    申请日:2024-03-12

    Abstract: 本发明属于二极管技术领域,具体涉及一种二极管阵列的基本单元、结构、系统和制造方法。一种二极管的阵列基本单元,包括本征硅衬底和本征硅I区,本征硅I区的顶部嵌设有P掺杂区和N掺杂区;P掺杂区的顶部设有正电极片,该正电极片通过馈电结构用于与控制电路系统的正极相连,且该馈电结构贯穿本征硅I区和本征硅衬底后延伸至本征硅衬底的底部;N掺杂区的顶部设有负电极片,该负电极片通过馈电结构用于与控制电路系统的负极相连,且该馈电结构贯穿本征硅I区和本征硅衬底后延伸至本征硅衬底的底部。本发明所提供的二极管的阵列基本单元通过设计硅基背馈直流馈电结构,改变了传统直流控制电路与PIN二极管共面平行互连的形式。

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