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公开(公告)号：CN108011178A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610952955.6
申请日：2016-10-27
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于硅通孔的三维结构差分片上天线，包括：高阻硅基板（1）、顶层二氧化硅层（2）、底层二氧化硅层（3）和金属地板（4），还包括：硅通孔（5）、差分馈线（6）、顶层金属条带（7）、底层金属条带（8）和终端短路匹配线（9）。工作时，差分射频信号通过差分馈线（6）一端的信号硅通孔（5）进入与差分馈线（6）另一端连接的顶层金属条带（7），顶层金属条带（7）与底层金属条带（8）通过硅通孔（5）连接构成双层金属条带，射频信号通过双层金属条带向外辐射。本发明实现了基于硅通孔的片上天线三维化和小型化，满足天线与芯片互联时差分馈电的需求，适用于微系统天线与功能芯片的三维堆叠高度集成应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101143706A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710144470.5
申请日：2007-10-19
IPC: B81C5/00
Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体的厚度(t)为5－20μm。本发明在10～50GHz的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗＜－0.2dB、反射系数低于－20dB、相移量也具有非常好的线性关系。
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公开(公告)号：CN109599671A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811399084.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种共面波导馈电双频带圆极化天线，包括：SMA射频接头(1)、介质基板(2)、馈电线(3)和框形地板(4)，还包括：矩形枝节(5)、T形枝节(6)和矩形缝隙(7)。工作时，射频信号经由SMA射频接头(1)馈入，馈电线(3)与矩形枝节(5)相互耦合在特定频带产生圆极化辐射波；框形地板(4)使另一频带的电磁信号产生谐振，T形枝节(6)的结构特性使该频带信号具有圆极化辐射效果。本发明通过采用在共面波导地板上的特定位置加载一个T形枝节、一个矩形枝节和一个矩形缝隙，实现天线的双频带圆极化辐射特性；天线加工采用印制板工艺，在结构上具有低剖面特性，工艺技术成熟，造价低廉，具有很高的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN100586838C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710144470.5
申请日：2007-10-19
IPC: B81C5/00
Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体中部的厚度t为5-20μm。本发明在10～50GHz的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗＜-0.2dB、反射系数低于-20dB、相移量也具有非常好的线性关系。
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公开(公告)号：CN108011178B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610952955.6
申请日：2016-10-27
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于硅通孔的三维结构差分片上天线，包括：高阻硅基板（1）、顶层二氧化硅层（2）、底层二氧化硅层（3）和金属地板（4），还包括：硅通孔（5）、差分馈线（6）、顶层金属条带（7）、底层金属条带（8）和终端短路匹配线（9）。工作时，差分射频信号通过差分馈线（6）一端的信号硅通孔（5）进入与差分馈线（6）另一端连接的顶层金属条带（7），顶层金属条带（7）与底层金属条带（8）通过硅通孔（5）连接构成双层金属条带，射频信号通过双层金属条带向外辐射。本发明实现了基于硅通孔的片上天线三维化和小型化，满足天线与芯片互联时差分馈电的需求，适用于微系统天线与功能芯片的三维堆叠高度集成应用。
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公开(公告)号：CN109216883A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710545934.7
申请日：2017-07-06
Applicant: 北京遥感设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种低互耦相控阵天线辐射单元，包括：固定基座（1）、射频接头（2）和同轴段（3），还包括：钩型金属条带（4）和金属侧壁（5）。射频接头（2）与固定基座（1）的中心轴一致，射频接头（2）内嵌并焊接在固定基座（1）底端。工作时，射频信号经过位于固定基座（1）底端的射频接头（2）并通过同轴段（3）进入钩型金属条带（4），射频信号从钩型金属条带（4）耦合到金属侧壁（5），并通过金属侧壁（5）向外辐射；通过在金属侧壁（5）中央开通金属槽，有效降低了辐射单元间耦合强度，提高了隔离度。本发明在兼顾结构特性的同时，获得良好的辐射特性。
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