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公开(公告)号：CN102270603A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110230266.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法，属于微电子封装领域。本方法为：1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆；2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度，并制备所述硅晶圆的硅通孔；3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层；4)在所述硅晶圆背面制作电镀掩膜，电镀导电材料填充硅通孔，形成凸点；然后在凸点上制作焊盘，并暴露出凸点周围的绝缘层；5)将所述硅晶圆背面粘接到一晶圆上，剥离所述玻璃晶圆；在所述硅晶圆正面，刻蚀掉硅通孔底部所沉积的绝缘层，制作一重新布线层电连接硅通孔中所沉积的种子层与所述微电子电路，并制作所述重新布线层的焊盘。本发明便于种子层沉积效果、电镀填充效果监测，降低了工艺的技术难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN103545302A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210238431.2
申请日：2012-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种红外焦平面与实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片的三维集成方案，属光电子技术及微电子技术领域。该方案包括：红外焦平面；实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片；数字存储控制芯片与红外焦平面完成三维集成，并封装在同一封装内；数字存储控制芯片以三维集成方式与红外焦平面实现电连接；数字存储控制芯片与红外焦平面的互连通信可采用现有任意三维互连技术实现；数字存储控制芯片与红外焦平面的相对位置可任意，但处在不同平面上。与现有技术相比，本发明提供一种全新的数字存储控制芯片与红外焦平面的通信集成方案，解决现有校准信息存储方案低速低效、高成本高损耗的问题，提高了红外焦平面的整体性能。
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公开(公告)号：CN102280456A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110121051.6
申请日：2011-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/20 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括：包括第一硅晶圆、第二硅晶圆，第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件，第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连，红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接，焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接；第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件；第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰，提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。
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公开(公告)号：CN102280456B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110121051.6
申请日：2011-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/20 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括：包括第一硅晶圆、第二硅晶圆，第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件，第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连，红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接，焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接；第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件；第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰，提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214624B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110128047.2
申请日：2011-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 本发明公开了一种具有通孔的半导体结构及其制造方法，半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔，环形通孔和实心通孔嵌于衬底中；实心通孔是金属填充的通孔；环形通孔是实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。其制造方法为：1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)形成金属层；3)在衬底第一表面上粘附干膜，图形化所述干膜，使干膜在一部分深孔上形成开口；4)向干膜上有开口的的深孔填充金属，去掉所述干膜；5)向剩余深孔中填充介质，形成实心介质塞；6)减薄所述衬底的第二表面。本发明的半导体结构的实心通孔可以用于叠层芯片散热，改善电源完整性；环形通孔则可以改善通孔结构的应力，以及翘曲变形等问题。
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公开(公告)号：CN102937695A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210400993.2
申请日：2012-10-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法。该测试结构包括一带有重新布线层的转接板，该转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与带有重新布线层的转接板通过临时键合形成电学连接后，采用普通平面探针台或自动测试设备即可进行晶圆测试，转接板对超薄晶圆提供了良好地机械支撑，不会产生翘曲或碎裂，有利于快速、准确地进行晶圆测试。
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公开(公告)号：CN102214662B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110105424.0
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/22 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆，硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面；硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列，第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路，硅晶圆上设有硅通孔微互连，红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比，本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离，降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量，提高了信号处理电路的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN102437110A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110391525.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片的方式进行堆叠并形成三维集成结构。石墨烯由于其特有的弹道疏运机制，具有非常高的电导率，有利于提高垂直互连结构的电信号传输性能，特别有利于高频高速电信号的传输，可减小垂直互连结构间及对其它电路的干扰。
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公开(公告)号：CN102024782A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010513047.X
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/50 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/0557 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环，所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接，与所述第一导电环内径相同且圆心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片，所述第一通孔内具有第一微型导电柱。本发明的三维垂直互联结构提高了微电子器件制作中三维互联叠层间电互联和粘合强度，提高了成品率。
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