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公开(公告)号:CN104124947B
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201310145633.7
申请日:2013-04-24
Applicant: 北京大学
IPC: H03K5/01
Abstract: 本发明公开了一种基线电压保持结构及直流耦合结构的脉冲整形器。本发明实现了对读出电路基线电压漂移的抑制,基线漂移值,即基线电压与参考电压的差值转换成电流值并进行放大,放大后的电流反馈回前级输入端,形成一个高增益、窄带宽的负反馈环路,从而使得基线电压固定在参考值。本发明的方法使得基线电压值由反馈环路确定,而不受电路元器件参数适配等非理想因素的影响;反馈环路的开关受主信号通路中有效信号的控制,保证了基线保持模块不对有效信号产生影响。本发明可以满足低功耗、低噪声辐射探测系统的要求,将会获得广泛的应用。
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公开(公告)号:CN103545302A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201210238431.2
申请日:2012-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种红外焦平面与实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片的三维集成方案,属光电子技术及微电子技术领域。该方案包括:红外焦平面;实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片;数字存储控制芯片与红外焦平面完成三维集成,并封装在同一封装内;数字存储控制芯片以三维集成方式与红外焦平面实现电连接;数字存储控制芯片与红外焦平面的互连通信可采用现有任意三维互连技术实现;数字存储控制芯片与红外焦平面的相对位置可任意,但处在不同平面上。与现有技术相比,本发明提供一种全新的数字存储控制芯片与红外焦平面的通信集成方案,解决现有校准信息存储方案低速低效、高成本高损耗的问题,提高了红外焦平面的整体性能。
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公开(公告)号:CN104124947A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201310145633.7
申请日:2013-04-24
Applicant: 北京大学
IPC: H03K5/01
Abstract: 本发明公开了一种基线电压保持结构及直流耦合结构的脉冲整形器。本发明实现了对读出电路基线电压漂移的抑制,基线漂移值,即基线电压与参考电压的差值转换成电流值并进行放大,放大后的电流反馈回前级输入端,形成一个高增益、窄带宽的负反馈环路,从而使得基线电压固定在参考值。本发明的方法使得基线电压值由反馈环路确定,而不受电路元器件参数适配等非理想因素的影响;反馈环路的开关受主信号通路中有效信号的控制,保证了基线保持模块不对有效信号产生影响。本发明可以满足低功耗、低噪声辐射探测系统的要求,将会获得广泛的应用。
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