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公开(公告)号：CN101449377A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018377.8
申请日：2007-05-15
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/145 , H01L23/3735 , H01L23/3737 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/01049
Abstract: 本发明提供了半导体器件1，其包括其上安装有第一半导体芯片2的第一基板3，其上安装有第二半导体芯片5的第二基板5，和与第一基板3和第二基板5电连接的连接部件6。第一基板3具有叠层31A和31B，在每一个叠层中，含有树脂的绝缘层311和导体互连层312，313交替层叠，导体互连层312通过形成于绝缘层311的通孔中的导电层314被连接。第二基板5也具有叠层31A和31B。在第一基板3和第二基板5中的至少之一的叠层的至少一个绝缘层311，25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板面内方向的平均热膨胀系数是35ppm/℃或更少，且25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板厚度方向的平均热膨胀系数是35ppm/℃或更少。
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公开(公告)号：CN100479124C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200680002272.9
申请日：2006-03-09
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/563 , H01L23/14 , H01L23/5222 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/05085 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置(100)设有BGA基板(110)、半导体芯片(101)、凸块(106)和用在凸块(106)周围的底部填充料(108)。半导体芯片(101)的层间绝缘膜(104)由低介电常数膜组成。凸块(106)由无铅焊料组成。底部填充料(108)由弹性模量为150MPa或以上但不高于800MPa的树脂材料组成，且BGA基板(110)在基板平面方向(planar direction)的线性膨胀系数小于14ppm/℃。
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公开(公告)号：CN101395708A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007229.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L24/16 , H01L2221/68345 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 半导体装置1包括基板3、安装在基板3上的半导体芯片4、连接基板3和半导体芯片4的凸块5和填充凸块5周围的底填料6。当凸块5是熔点为230℃或以上的高熔点焊料时，底填料6是弹性模量为30MPa～3000MPa的树脂材料。当凸块5是无铅焊料时，底填料6是弹性模量为150MPa～800MPa的树脂材料。在25℃～玻璃转化温度之间，装配层31的绝缘层311在基板面内方向的线性膨胀系数为35ppm/℃或以下。
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公开(公告)号：CN101103450A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680002272.9
申请日：2006-03-09
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/563 , H01L23/14 , H01L23/5222 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/05085 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置(100)设有BGA基板(110)、半导体芯片(101)、凸块(106)和用在凸块(106)周围的底部填充料(108)。半导体芯片(101)的层间绝缘膜(104)由低介电常数膜组成。凸块(106)由无铅焊料组成。底部填充料(108)由弹性模量为150MPa或以上但不高于800MPa的树脂材料组成，且BGA基板(110)在基板平面方向(planar direction)的线性膨胀系数小于14ppm/℃。
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