公开(公告)号：CN100521207C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200710002236.9

申请日：2007-01-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 都筑幸夫 ,  户仓规仁

IPC: H01L27/06

Abstract: 一种半导体器件包括：具有第一侧和第二侧的衬底(1、1a、2a、2b、3a、4a、5、6、8、10、11、T1、T2)；IGBT(100i、104i、105i)；以及二极管(100d、104d、105d)。衬底(1、1a、2a、2b、3a、4a、5、6、8、10、11、T1、T2)包括：第一层(1)；第一层(1)上的第二层(2a)；第二层(2a)上的第一侧的N区(3a)；第二侧的N区和P区(5、6)，位于第一层(1)的第二侧；第一沟槽(T1)中的第一电极(8)，用作栅极；第二电极(10)，位于第一侧的N区(3a)上并且在第二沟槽(T2)中，用作发射极和阳极；以及第三电极(11)，位于第二侧的N区和P区(5、6)上，用作集电极和阴极。所述第一沟槽(T1)穿过第一侧的N区(3a)和第二层(2a)，并且到达第一层(1)。第二沟槽(T2)穿过第一侧的N区(3a)，并且到达第二层(2a)。

公开(公告)号：CN100490172C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200610077712.9

申请日：2006-04-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 都筑幸夫 ,  户仓规仁 ,  尾关善彦 ,  山本建策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

Abstract: 一种沟槽栅型半导体装置包括：第一半导体层(1，21)；在第一半导体层(1，21)上的第二半导体层(2)；在第二半导体层(2)上的第三半导体层(3)；在第三半导体层(3)的表面部分的一部分中的第四半导体层(4)；穿过第四半导体层(4)和第三半导体层(3)并到达第二半导体层(2)的沟槽(5)；在沟槽(5)的内壁上的栅极绝缘薄膜(6)；在沟槽(5)中栅极绝缘薄膜(6)上的栅电极(7)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。沟槽(5)包括具有弯曲表面的底部(5a)，弯曲表面的曲率半径等于或小于0.5μm。

公开(公告)号：CN101000911A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710002236.9

申请日：2007-01-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 都筑幸夫 ,  户仓规仁

IPC: H01L27/06

Abstract: 一种半导体器件包括：具有第一侧和第二侧的衬底(1、1a、2a、2b、3a、4a、5、6、8、10、11、T1、T2)；IGBT(100i、104i、105i)；以及二极管(100d、104d、105d)。衬底(1、1a、2a、2b、3a、4a、5、6、8、10、11、T1、T2)包括：第一层(1)；第一层(1)上的第二层(2a)；第二层(2a)上的第一侧的N区(3a)；第二侧的N区和P区(5、6)，位于第一层(1)的第二侧；第一沟槽(T1)中的第一电极(8)，用作栅极；第二电极(10)，位于第一侧的N区(3a)上并且在第二沟槽(T2)中，用作发射极和阳极；以及第三电极(11)，位于第二侧的N区和P区(5、6)上，用作集电极和阴极。所述第一沟槽(T1)穿过第一侧的N区(3a)和第二层(2a)，并且到达第一层(1)。第二沟槽(T2)穿过第一侧的N区(3a)，并且到达第二层(2a)。

公开(公告)号：CN103745979B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410009511.X

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L23/58 ,  H02M7/537

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN102376773A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110226614.8

申请日：2011-08-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山本贵生 ,  户仓规仁 ,  加藤久登 ,  中川明夫

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824

Abstract: 一种具有横向二极管的半导体装置包括半导体层(1c，1f，1g)、半导体层中的第一半导体区域(2)、杂质浓度大于第一半导体区域的接触区域(4)、位于半导体层中并与接触区域分开的第二半导体区域(6)、通过接触区域电连接到第一半导体区域的第一电极(10)、以及电连接到第二半导体区域的第二电极(11)。所述第二半导体区域包括低杂质浓度部分(7)、高杂质浓度部分(8)和扩展部分(9)。所述第二电极与所述高杂质浓度部分形成欧姆接触。扩展部分的杂质浓度大于低杂质浓度部分的杂质浓度并在半导体层的厚度方向上延伸。

公开(公告)号：CN102332468A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110154131.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H02M7/515 ,  H02M1/36 ,  G01R19/00

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN101325198A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810109479.7

申请日：2008-06-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  曾根弘树 ,  天野伸治 ,  加藤久登

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7397

Abstract: 一种半导体器件，包括形成在同一半导体衬底(31)中的间隔沟道IGBT和反并联二极管。IGBT包括基极层(32)和绝缘栅沟槽(GT)，通过该绝缘栅沟槽(GT)将基极层(32)划分成连接于发射电极(E)的体区域(32b)和与发射电极(E)断开的浮置区域(32f)。在IGBT区域的单元区域中形成IGBT，且在二极管区域中形成二极管。IGBT区域的边界区域位于单元区域与二极管区域之间。边界区域中的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wx)小于单元区域中的其间设置浮置区域(32f)的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wf)。