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公开(公告)号：CN102024892B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010285753.3
申请日：2010-09-15
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光提取性能改善的III族氮化物半导体发光器件，包括导电基底；设置在基底上的p-电极；由III族氮化物半导体形成并依次设置在p-电极上的p-型层、有源层和n-型层；和连接n-型层的n-电极。根据一个实施方案，发光器件包括从p-型层在p-电极侧上的表面延伸到n-型层的第一沟槽；与用作第一沟槽底部的n-型层表面接触但不接触第一沟槽侧壁的辅助电极；和具有透光性并覆盖辅助电极和第一沟槽的底部和侧壁的绝缘膜。根据另一实施方案，发光器件包括第二沟槽，其设置在沿垂直于器件主表面的方向面对部分辅助电极的区域中并从n-型层在p-电极侧的相反侧上的表面延伸到辅助电极；并且n-电极仅由焊盘部分形成并设置在辅助电极的通过第二沟槽暴露的部分上。
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公开(公告)号：CN100411198C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410005369.8
申请日：2004-02-11
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 上村俊也
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/20 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/05599 , H01L2224/05124 , H01L2924/00012
Abstract: 一种发光装置，具有：半导体发光元件，该半导体发光元件从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面发射光；引线框，该引线框通过导线与形成在电极形成表面上的电极电连接；透明结构，该透明结构与发光表面光连接，并具有基于其三维形状的光分布特性；以及光传输树脂，该光传输树脂密封半导体发光元件和透明结构。
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公开(公告)号：CN1271681C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN03158766.6
申请日：1997-11-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/324 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。
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公开(公告)号：CN1263172C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02811198.2
申请日：2002-06-03
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 上村俊也
CPC classification number: H01L33/42 , H01L21/28575 , H01L33/32
Abstract: p座电极层压到透光电极形成层后，进行第一个加热步骤和第二个加热步骤以合金化这两层。在第一个加热步骤中，在含氧气氛中在相当低的温度下进行热处理。在第二个加热步骤中，在不含氧的气氛中在相当高的温度下进行热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1206747C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN00819587.0
申请日：2000-12-25
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法，在基片11的背面(基片面11b)形成反射层10，该反射层10在发光元件侧壁21a的蓝宝石基片附近的外周大致一周上设有扩张部10a。这样反射层形成面(基片面11b)外周附近的反射层10与基片的粘着性通过上述扩张部10a的形成被大幅度增强，所以反射层10以反射层形成面的外周附近作为起点的剥离没有了。所以即使设置把粘着片贴在反射层10上、把发光元件100固定在粘着片上的工序，也不会发生有反射层剥离的不合格品。这样可大幅度提高为提高发光效率设置了反射层10的半导体发光元件100的质量和生产性。侧壁21a上也可设置限制反射层10过于扩张的短路防止槽。
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公开(公告)号：CN1513212A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811199.0
申请日：2002-06-03
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/14 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171
Abstract: 在倒装晶片型第III族氮化物化合物半导体发光元件中，在p侧电极表面和n侧电极表面的每一个上配置一个Au层，并插入有Ti层。
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公开(公告)号：CN1150632C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN97129713.4
申请日：1997-11-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 用汽相淀积在p+层上形成包括钴(Co)的层，并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化，以便形成透光电极。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。此外，由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素，所以可获得令人满意的欧姆特性。
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公开(公告)号：CN1380703A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02106080.0
申请日：2002-04-09
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光装置,它能稳妥且容易地使光的混合比达到所需平衡并具有稳定的发光特性。该发光装置具有能发出在小于400nm的波长有强峰的初次光的发光元件(106)、覆盖发光元件的硅氧烷树脂(111)和硅氧烷树脂是含的吸收初次光后发出可见光的荧光体(110),即使发光元件波长偏移,色调也不变化。
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公开(公告)号：CN1189701A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：CN97129713.4
申请日：1997-11-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 用汽相淀积在P+层上形成包括钴(Co)的层,并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化,以便形成透光电极。因此,透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性,并长时间内提供稳定的发光图形。此外,由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素,所以可获得令人满意的欧姆特性。
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