-
公开(公告)号：CN109599462A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811462579.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法，包括：步骤A：在Si衬底的表面利用氨源或氮气氮化一层Si3N4膜，该Si3N4膜的晶体取向为(001)方向；步骤B：在所述Si3N4膜的表面依次沉积生长AlN成核层以及AlN buffer层；步骤C：在所述AlN buffer层上外延生长GaN膜；步骤D：在所述GaN膜的表面外延生长富In组分的氮化物薄膜。本公开提供的基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法能够制备出低成本的N极性面富In组分氮化物材料及相应的微电子与光电子器件。
-
公开(公告)号：CN109461644A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811255896.2
申请日：2018-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件，其中，透明单晶AlN的制备方法包括：在PVT法生长的AlN单晶衬底上生长一层牺牲层，该牺牲层为：导电的多孔结构、热应力自分解的多孔结构或者低温生长得到的多晶缓冲层；在牺牲层上通过HVPE法生长单晶AlN；以及通过电化学腐蚀或激光剥离将牺牲层去除，或者直接利用热应力使牺牲层实现自分离，得到分离开的PVT法生长的AlN单晶衬底和HVPE法生长的单晶AlN。只需要对较薄的牺牲层进行简单去除，快速有效，同时避免了CMP带来的氧化问题，且PVT法生长的AlN单晶衬底得以保留，实现回收利用，有效降低了透明单晶AlN衬底材料的制作成本。而HVPE法生长的单晶AlN在紫外波段透射率高，更适合于制备紫外发光器件。
-
公开(公告)号：CN107256911A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710399111.8
申请日：2017-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/48 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；在深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，完成封装。本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，降低了封装成本；共晶封装工艺解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命。
-
公开(公告)号：CN103645033B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310616446.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分支光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。
-
公开(公告)号：CN103779453A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410028207.X
申请日：2014-01-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种控制半导体LED外延片内应力的装置，该装置包括：圆形或多边形结构的承载台(7)；安装于承载台(7)表面中心位置的升降台(5)；安装于升降台(5)上的应力机械手(6)；安装于承载台(7)表面升降台(5)两侧的第一样品支架垂直支柱(3)和第二样品支架垂直支柱(4)；安装于第一样品支架垂直支柱(3)顶端的第一样品支架水平夹(1)；以及安装于第二样品支架垂直支柱(4)顶端的第二样品支架水平夹(2)。利用本发明，可以改变LED外延片内的应力状态，提高LED发光效率；本设备也可以用来辅助测试LED内极化电场的强度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103645033A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310616446.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分光光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。
-
公开(公告)号：CN103325900A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310193912.0
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上，该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在台面上。本发明可以独立于材料生长过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合，并且可以实现小于10nm的近距离耦合。
-
公开(公告)号：CN101976712A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010263076.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层和衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该需要粗化的薄膜上形成一层纳米尺寸胶点；步骤3：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该需要粗化的薄膜；步骤4：湿法去除光刻胶并清洗，完成薄膜的粗化。本发明提供的这种粗化方法，具有低温、低成本、低污染及与传统的LED工艺相兼容等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101969088A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010263069.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，包括：步骤1：准备并清洗衬底；步骤2：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤3：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤4：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。本发明提供的这种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，具有易操作、低成本、低污染等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114284403A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111625701.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种LED的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层后，经过第一退火、第二退火处理后，得到第二样品；光刻第二样品的表面后，刻蚀至n型GaN层形成台面，得到第三样品；光刻第三样品的PN电极后，蒸镀第一金属层和第二金属层，剥离多余的金属层后进行第三退火处理，得到第四样品，在第四样品的表面蒸镀SiO2层后，光刻SiO2层，得到LED外延片。本公开通过激光退火处理技术，增大LED结构中的p型GaN层的空穴浓度，提高空穴的注入效率，导致量子阱结构中电子空穴对的辐射复合增大，从而提高LED的光输出功率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.071 seconds)
