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公开(公告)号：CN104681374B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510093713.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射-接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。
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公开(公告)号：CN105374903A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510967933.2
申请日：2015-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/03048 , H01L31/101 , H01L31/1848
Abstract: 一种AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法，该AlxGa1-xN基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积。
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公开(公告)号：CN105118762A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510520866.X
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极生长于衬底的正面；一金属电极制作在衬底的背面；形成阴极；一玻璃基板；一透明导电层制作在玻璃基板上；一第一绝缘层制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极制作在第一绝缘层上，中间为窗口；一第二绝缘层制作在金属栅极上，中间为窗口；形成阳极；将该阳极的第二绝缘层与该阴极的氮化铝薄膜阴极扣置连接，形成倒装阳极的纳米真空三极管结构。本发明可以克服已有纳米真空三极管结构的不足，提出同时具有避免阴极氧化、提高阳极收集电子能力、以及便于倒装集成的多重优点。
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公开(公告)号：CN104734015A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510052314.0
申请日：2015-02-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器，包括：一氮化镓同质衬底；一n型GaN同质外延层，其制作在氮化镓同质衬底上；一n型AlGaN限制层，其制作在n型GaN同质外延层上；一n型GaN波导层，其制作在n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN量子阱有源区，其制作在n型GaN波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层，其制作在InGaN/GaN量子阱有源区上；一p型GaN波导层，其制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型AlGaN限制层，其制作在p型GaN波导层上，该p型AlGaN限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层，其制作在p型AlGaN限制层凸起的脊形上；一p型欧姆电极，其制作在p型掺杂/p型重掺接触层上；一n型欧姆电极，其制作在氮化镓同质衬底的下表面。
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公开(公告)号：CN104681374A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510093713.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射-接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104658830A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094613.0
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一SiC纳米尖端结构，其制作在n型SiC衬底上表面，其与n型SiC衬底的材料相同；一AlN冷阴极薄膜，其制作在SiC纳米尖端结构的上表面；一电压源，其正极与AlN冷阴极薄膜连接，负极与n型金属电极连接；一金属阳极，其位于AlN冷阴极薄膜的上面，且不与AlN冷阴极薄膜接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极连接n型金属电极。本发明是利用负电子亲和势进行电子发射，进一步提高电子发射密度。
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公开(公告)号：CN104617487A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510012720.4
申请日：2015-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法，包括：在氮化镓同质衬底上依次外延生长n型GaN同质外延层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型掺杂/p型重掺接触层，其中量子阱有源区中的阱层和垒层在相同的温度下生长；在p型掺杂/p型重掺接触层一侧采用光刻的方法刻蚀出脊型结构；在脊型结构的上表面制作一p型电极；在氮化镓同质衬底的下表面制作n型电极。本发明减少由于阱层和垒层生长温度不同导致的翘曲程度不同以及量子阱界面平整度的下降，从而增强量子阱内载流子的发光复合率，提高激光器的性能。
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公开(公告)号：CN102832272B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210319268.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。
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公开(公告)号：CN104538524A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410784663.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种InGaN量子点的外延结构及生长方法，其中InGaN量子点的外延结构，包括：一衬底，该衬底的表面具有原子级的台阶形貌，台阶斜切角为0.05°-10°；一低温GaN缓冲层，其生长在衬底上，其表面具有与衬底相同的台阶形貌；一高温GaN层，其生长在低温GaN缓冲层上，且其表面刻蚀有凹槽，使得该高温GaN层的表面为错开的台阶状形貌，其表面形成网格状结构；多个InGaN量子点，其分布生长在高温GaN层表面的网格状结构上；一GaN覆盖层，其生长在高温GaN层上，并覆盖多个InGaN量子点；多个InGaN量子点和GaN覆盖层，其依次重复生长在GaN覆盖层上。
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公开(公告)号：CN104393088A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410592387.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/0725 , H01L31/03044 , H01L31/035209 , H01L31/0735
Abstract: 一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以增加多量子阱太阳能电池吸收层的总电场，提高载流子的分离效率，从而提高太阳能电池的转换效率。
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