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公开(公告)号：CN105118762B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510520866.X
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极生长于衬底的正面；一金属电极制作在衬底的背面；形成阴极；一玻璃基板；一透明导电层制作在玻璃基板上；一第一绝缘层制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极制作在第一绝缘层上，中间为窗口；一第二绝缘层制作在金属栅极上，中间为窗口；形成阳极；将该阳极的第二绝缘层与该阴极的氮化铝薄膜阴极扣置连接，形成倒装阳极的纳米真空三极管结构。本发明可以克服已有纳米真空三极管结构的不足，提出同时具有避免阴极氧化、提高阳极收集电子能力、以及便于倒装集成的多重优点。
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公开(公告)号：CN105118762A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510520866.X
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极生长于衬底的正面；一金属电极制作在衬底的背面；形成阴极；一玻璃基板；一透明导电层制作在玻璃基板上；一第一绝缘层制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极制作在第一绝缘层上，中间为窗口；一第二绝缘层制作在金属栅极上，中间为窗口；形成阳极；将该阳极的第二绝缘层与该阴极的氮化铝薄膜阴极扣置连接，形成倒装阳极的纳米真空三极管结构。本发明可以克服已有纳米真空三极管结构的不足，提出同时具有避免阴极氧化、提高阳极收集电子能力、以及便于倒装集成的多重优点。
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公开(公告)号：CN104299988A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410504100.8
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及制作方法。所述方法包括：衬底；背电极，其制作在衬底的背面；平面冷阴极，其制作在衬底的正面；第一绝缘层，其制作在平面冷阴极上；栅层，其制作在第一绝缘层上；第二绝缘层，其制作在氧化铟锡薄膜栅层上；圆柱型小孔，其贯穿第一绝缘层、栅层和第二绝缘层而形成；栅层台阶，其是通过刻蚀第二绝缘层到栅层形成的；阳极层，其制作在第二绝缘层上；其中，所述第一绝缘层、氧化铟锡薄膜栅层、第二绝缘层的总厚度在10-100纳米之间。本发明克服了尖端结构电子发射密度不均匀、尖端容易损坏的缺陷，同时氮化铝材料所具有的负电子亲和势特性又弥补了平面型阴极需要更高阈值电场强度的不足。
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公开(公告)号：CN104299988B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410504100.8
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及制作方法。所述方法包括：衬底；背电极，其制作在衬底的背面；平面冷阴极，其制作在衬底的正面；第一绝缘层，其制作在平面冷阴极上；栅层，其制作在第一绝缘层上；第二绝缘层，其制作在氧化铟锡薄膜栅层上；圆柱型小孔，其贯穿第一绝缘层、栅层和第二绝缘层而形成；栅层台阶，其是通过刻蚀第二绝缘层到栅层形成的；阳极层，其制作在第二绝缘层上；其中，所述第一绝缘层、氧化铟锡薄膜栅层、第二绝缘层的总厚度在10‑100纳米之间。本发明克服了尖端结构电子发射密度不均匀、尖端容易损坏的缺陷，同时氮化铝材料所具有的负电子亲和势特性又弥补了平面型阴极需要更高阈值电场强度的不足。
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