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公开(公告)号：CN103807647A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410049737.2
申请日：2014-02-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21S2/00 , F21V13/02 , F21V29/02 , F21Y101/02
Abstract: 一种LED准朗伯面光源，包括：一带散热风扇挤压铝型材散热板；一驱动电路，所述带散热风扇挤压铝型材散热板位于LED恒流驱动电路上面；一LED阵列，其与LED恒流驱动电路电性连接，位于LED恒流驱动电路之上；一光学色散补偿膜，其位于LED阵列之上；一光学扩散板，其位于光学色散补偿膜之上，并与光学色散补偿膜贴合。本发明可以产生可见波段内可调的面光源。因LED的高可靠性及高稳定性，该面光源可用作标准测量装置中的标准光源。
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公开(公告)号：CN103326243A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310106031.0
申请日：2013-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列，包括：N型衬底；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层；形成于该N型缓冲层之上的N型限制层；形成于该N型限制层之上的有源层；形成于该有源层之上的P型限制层；以及形成于该P型限制层之上的P型盖层；其中，对该P型盖层和该P型限制层进行刻蚀或腐蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列，该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区，位于该电流注入区两侧的是第一无源损耗区和第二无源损耗区。利用本发明，通过对注入载流子分布的调制实现基模激射，同时有效地改善水平方向的远场发散角，获得高亮度激光输出。
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公开(公告)号：CN103259188A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310157583.4
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。
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公开(公告)号：CN108490650A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810314033.1
申请日：2018-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种周期性交错波导结构、以及使用它的电光调制结构和MZI结构，周期性交错波导结构呈脊型，沿波导延伸方向在脊型波导中心形成有条状插指形n型Si掺杂区，在插指间形成有p型SiGe掺杂区，n型Si掺杂区和p型SiGe掺杂区周期性交错排列，n型Si掺杂区在其插指的一侧连接且与脊型波导中心底部连接，n型Si掺杂区的插指底部与在脊型波导中心底部连接的n型Si掺杂区的上表面之间设置有空隙，在该空隙设置有p型SiGe掺杂区而使在插指间形成的p型SiGe掺杂区相连。由此，SiGe材料载流子有效质量减小，自由载流子等离子色散效应增强，而使SiGe材料的折射率变化增大，从而优化了调制效率、调制速度、调制功耗，获得了尺寸降低而调制性能提升的效果。
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公开(公告)号：CN105405938B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201511006149.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用单芯片白光LED，所述LED包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的上表面；n型半导体层，形成于所述缓冲层的上表面，所述n型半导体层的一侧向下形成有台面，所述台面的深度小于所述n型半导体层的厚度；复合发光区，形成于所述n型半导体层除台面外的上表面；p型半导体层，形成于所述复合发光区的上表面；透明导电层，形成于所述p型半导体层的上表面；p电极和n电极，分别形成于所述透明导电层和n型半导体层的一侧台面上。本发明还提供一种可见光通信用单芯片白光LED的制备方法。根据本发明可以得到一种高光效、高带宽的双波段可见光通信用单芯片白光光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104917052B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510388711.5
申请日：2015-07-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125
Abstract: 一种变周期倾斜光栅激光器的制备方法，包括：在一衬底上依次生长n‑型限制层、n‑型波导层、有源层、p‑型波导层、p‑型限制层、p‑型接触层；在p‑型接触层、p‑型限制层及p‑型波导层上制作出倾斜两光栅条，该两光栅条之间为倾斜的注入区；光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构，另一光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构和倾斜的横向分布的变周期光栅结构上制作绝缘层；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构以及他们之间的注入区上生长正电极；将衬底减薄抛光；在减薄抛光后的衬底的背面制作背电极；退火，解理成矩形的芯片，完成制备。
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公开(公告)号：CN107046071A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710220056.1
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/112
CPC classification number: H01L31/03044 , H01L31/02327 , H01L31/03042 , H01L31/112
Abstract: 一种基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片，包括：一衬底；形成于衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的底部多孔DBR层；形成于底部多孔DBR层上的n型GaN层，n型GaN层的一侧向下形成有台面，另一侧为凸起；形成于n型GaN层上的有源区；形成于有源区上的p型GaN层；一侧壁钝化层，形成于所述p型GaN层部分的上表面及凸起的n型GaN层、有源区和p型GaN层的侧壁，该p型GaN层上表面的侧壁钝化层中间有一窗口；形成于侧壁钝化层及其窗口处p型GaN层上的透明导电层；形成于n型GaN层的台面上的n电极；制作在侧壁钝化层上表面周围的p电极；形成于透明导电层及p电极上的顶部介质DBR层。
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公开(公告)号：CN103887702B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410104143.7
申请日：2014-03-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S4/00
Abstract: 本发明涉及微纳光电子与激光技术以及光电子集成领域，提出一种适用于片上集成的共面电极电注入表面等离子微纳结构波导输出激光源，包括半导体有源层、绝缘介质层、金属薄膜层，金属薄膜层与半导体有缘层之间间隔所述绝缘介质层，金属薄膜层上形成有金属条形波导，在半导体有源层上制作有半导体条形波导以及两个载流子注入区，金属条型波导与半导体条型波导相垂直，在交叉处的MIS结构中形成表面等离子体亚波长腔。两个载流子注入区位于所述金属条形波导的正上方，作为亚波长腔的一部分；半导体有源层上实现横向电注入进行泵浦。本发明以半导体大增益材料抵消金属吸收损耗实现微腔中光的激射，最终耦合进入半导体波导输出。
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公开(公告)号：CN103904556B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410112845.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，包括：叠层结构，该叠层结构包括：N型衬底；形成于N型衬底下表面的下电极；形成于N型衬底上表面的N型限制层；形成于N型限制层之上的光子晶体；形成于光子晶体之上的有源层；形成于有源层之上的P型限制层；及形成于P型限制层之上的P型盖层；从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀于叠层结构上部中间位置形成的端面为正梯形的脊型结构；于具有脊型结构的叠层结构之上形成的SiO2绝缘层；以及去除脊型结构上表面的SiO2绝缘层并于露出的P型盖层之上及未被去除的SiO2绝缘层表面形成的上电极。利用本发明可以降低窄垂直发散角光子晶体半导体激光器的制作成本，提高激光器的综合性能。
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公开(公告)号：CN104092096A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410301042.9
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源，该激光光源包括叠层设置的锥形(Taper)增益结构和SOI脊型波导结构，其中该锥形增益结构通过回流焊技术倒装贴合于该SOI脊型波导结构之上。本发明通过在周期性微槽混合激光器中引入III-V族Taper结构并生长光学下限制层，提高了有源区限制因子，从而增加了III-V族中的模式增益；同时Taper结构的引入保证了III-V族结构与硅波导的高效耦合，实现单纵模激光从硅波导输出。本发明制作成本较低，可用于硅基光互连，光通信中的激光光源，提高了III-V族光源与硅波导的耦合效率，实现了高效耦合的单模混合硅基半导体激光光源。
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