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公开(公告)号：CN109065438B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810810552.7
申请日：2018-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种AlN薄膜的制备方法，包含以下步骤：步骤1：将外延用的基底退火；步骤2：在基底上生长第一AlN层，生长温度与步骤1退火温度相同；步骤3：在第一AlN层上生长第二AlN层，该第二AlN层的生长温度和Al源流量是渐变的；步骤4：在第二AlN层上生长恒温恒源的第三AlN层。本发明的方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的低位错AlN外延材料制备。
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公开(公告)号：CN110164757A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910468088.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种化合物半导体及其外延方法，该外延方法包括：调节金属有机源与非金属族源进入反应室的速率比，从而在衬底上生长所述化合物半导体的第一材料层，第一材料层由所述金属有机源中的金属和非金属族源中的非金属组成的。利用本发明的外延方法，可以大大降低生长化合物半导体材料时不同反应源在输运到衬底反应之前的预反应，提高了源的利用效率，提高生长速率，同时由于预反应小，产生的络合物杂质减小，提高了材料质量，降低高温生长的缺陷密度，表面平整。
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公开(公告)号：CN109004018A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810810551.2
申请日：2018-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/872
Abstract: 本发明一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。本发明可以降低肖特基二极管正向开启电压，减小反向漏电流。
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公开(公告)号：CN101811871B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010033965.2
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/44 , C04B35/622 , C04B35/565 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘的制作工艺，包括以下步骤：在纯度≥98％、平均粒径0.5μm以下、具有流动性的碳化硅微粉中添加烧结助剂，采用干式混合法形成混合物；采用干压成型工艺压制成型以形成坯体；对坯体进行高温真空烧结；对烧结后的坯体磨削加工以形成衬托盘。本发明还涉及一种采用上述工艺制作而成的用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘。
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公开(公告)号：CN102054673B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910236706.7
申请日：2009-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/205
Abstract: 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102492937A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110451659.5
申请日：2011-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头，包括：一混气室，该混气室为一桶状，在混气室的上面或侧面连通有多个进气通道；一冷却匀气喷头，固接于混气室的下面。其中冷却匀气喷头包括：一上盖板、一下盖板和侧壁，该上盖板、一下盖板和侧壁构成密封的空间，该上盖板和下盖板之间贯通有多个进气通道，该进气通道的周围及上盖板和下盖板之间为冷却通道。
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公开(公告)号：CN101812674B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010033962.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置，包括：通过氮气管道连接到氮气气源的氮气分配管路，该氮气分配管路具有多个氮气分配支路；通过氢气管道连接到氢气源的氢气分配管路，该氢气分配管路具有多个氢气分配支路，其中，氮气分配管路的一个氮气分配支路与氢气分配管路的一个氢气分配支路连接，在连接处安装有连接处单向阀门，该连接处单向阀门打开时允许氮气通过其进入到氢气分配管路以执行吹洗操作、同时防止氢气通过其进入到氮气分配管路。本发明的气体分配装置可以实现气源气体的多路分配，准确控制各管路需要压力，从而实现不同使用目的的气体供应需要。
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公开(公告)号：CN101812673A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033960.X
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头，包括：封闭型外壳体，该外壳体包括上层板、中层板和下层板，在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室，在中层板和下层板之间形成冷却腔室，进气腔室被分隔成彼此隔离的多个扇形区域。对于每一个扇形区域，在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管，细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室，且细管的开口端与进气腔室连通，细管的出口端朝向邻近的衬底表面；进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。本发明可以使不同的反应气体通过扇形区域均匀送入反应室。通过控制衬底旋转速度，可以减少预反应，实现高质量的材料外延生长，也可以通过提高衬底转速，实现普通外延生长模式。
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公开(公告)号：CN101140252A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610112883.0
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温度，满足对气体传感器或半导体器件性能进行测试的不同温度条件需要；测试单元，用于测试在不同温度和不同浓度测试用气体下气体传感器或半导体器件电流电压特性的变化，实现对气体传感器或半导体器件性能进行的测试。利用本发明，实现了在高温下对气体传感器的气敏性能和半导体器件的电学性能进行测试，满足了对气体传感器和半导体器件研究测试的需要。
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公开(公告)号：CN101136432A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610127920.5
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
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