公开(公告)号：CN103187424A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201310039941.1

申请日：2013-01-31

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 徐国庆 ,  刘向阳 ,  王仍 ,  储开慧 ,  汤亦聃 ,  乔辉 ,  贾嘉 ,  李向阳

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。

公开(公告)号：CN102201484B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110117457.7

申请日：2011-05-06

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李超 ,  李向阳 ,  许金通 ,  刘福浩 ,  张燕 ,  刘向阳 ,  乔辉

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本专利公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件及制备方法，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。

公开(公告)号：CN101226971A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810033428.0

申请日：2008-02-01

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 乔辉 ,  周文洪 ,  叶振华 ,  蒋科 ,  贾嘉 ,  李向阳

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法。该方法是对离子注入后的碲镉汞样品进行光刻定义出氢离子处理区域，然后将样品置于氢离子氛围中进行处理；氢离子处理区域大小的确定是通过变面积方法来确定，自初始定义的离子注入区域大小开始逐渐扩大氢离子处理区域，对经过不同区域氢离子处理的碲镉汞样品进行电流－电压曲线测量，通过观察反向偏压下暗电流的增大现象来确定氢离子处理区域的大小。

公开(公告)号：CN113013026A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110100756.3

申请日：2021-01-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 徐国庆 ,  兰添翼 ,  刘向阳 ,  乔辉 ,  贾嘉 ,  李向阳

IPC: H01L21/265 ,  H01L31/18 ,  H01L31/103

Abstract: 本发明公开了一种用于提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法。本发明利用碲镉汞半导体材料中Te‑Hg键结合能低的特点，通过氩离子束刻蚀在n型碲镉汞体内产生大量的汞填隙原子，在表面形成汞原子的稳态扩散源，汞填隙原子在体内扩散的同时，对材料内部的汞空位进行填充，实现对n型碲镉汞载流子浓度的有效调整；刻蚀过程中，汞填隙原子在氩离子的碰撞中获得能量，扩散过程中能量的释放也会改善材料内部可能存在的应力和缺陷，从而提高n型碲镉汞载流子迁移率。本方法操作简单，工艺周期短，采用该方法处理后的n型材料载流子输运参数得到明显改善，大大提高了材料的成品率。

公开(公告)号：CN202134542U

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201120142481.1

申请日：2011-05-06

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李超 ,  李向阳 ,  许金通 ,  刘福浩 ,  张燕 ,  刘向阳 ,  乔辉

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101

Abstract: 本实用新型公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。

公开(公告)号：CN203134797U

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201320057160.0

申请日：2013-01-31

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 徐国庆 ,  刘向阳 ,  王仍 ,  储开慧 ,  汤亦聃 ,  乔辉 ,  贾嘉 ,  李向阳

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本实用新型的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。