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公开(公告)号：CN102751173B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210067142.0
申请日：2012-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种处理装置。该处理装置抑制在利用高压流体对被处理基板进行处理的处理容器中产生颗粒，确保处理容器内的气密性。以围绕处理腔室(2)的输送口(31)的方式设置密封构件(62)，利用盖体(7)封堵输送口(31)，利用锁板(15)限制盖体(7)因处理腔室(2)内的压力而后退，同时在处理腔室(2)内利用高压流体对晶圆(W)进行干燥处理。在干燥处理的期间，由于上述密封构件(62)被处理腔室(2)的内部气氛加压而被向盖体(7)侧按压，因此，能够将上述盖体(7)与处理腔室(2)之间的间隙气密地封堵。另外，由于密封构件(62)不会相对于处理腔室(2)、盖体(7)滑动，因此，能够抑制产生颗粒。
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公开(公告)号：CN102087486A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201110032741.4
申请日：2006-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法，本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。
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公开(公告)号：CN1854908B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610066684.0
申请日：2006-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。
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公开(公告)号：CN119133012A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411217626.8
申请日：2019-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧的泵；与循环通路中的泵的下游侧连接，使液体状态的处理流体从分支部分支的分支通路；设置在分支部的下游侧，对液体状态的处理流体进行加热以生成超临界状态的处理流体的加热部；设置在循环通路中的加热部的下游侧且气体供给通路的上游侧，对超临界状态的处理流体进行减压以生成气体状态的处理流体的调压部。由此，能够在将液体状态的处理流体由泵送出时降低由上述泵产生的脉动的影响。
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公开(公告)号：CN114678292A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111516671.X
申请日：2021-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供在使用超临界状态的处理流体的干燥处理时，能够抑制晶片的图案倒塌的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理容器和对其供给超临界状态的处理流体的处理流体供给部，处理流体供给部包括：一侧与流体供给源连接，另一侧与处理容器连接的流体供给管线；插设在流体供给管线，冷却气体状态的处理流体而生成液体状态的处理流体的冷却部；插设在流体供给管线，设置在冷却部的下游侧的泵；插设在流体供给管线，设置在泵的下游侧，加热液体状态的处理流体而生成超临界状态的处理流体的加热部；插设在流体供给管线，设置在泵与加热部之间，调节对处理容器供给的处理流体的供给流量的第一流量调节部；和控制第一流量调节部的控制部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068360A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110872158.8
申请日：2021-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体，而对所述基板进行干燥。所述基板处理装置包括压力容器、盖体以及支承体。所述压力容器在内部形成所述基板的干燥室。所述盖体封闭所述干燥室的开口。所述支承体在所述干燥室中水平地支承所述基板。所述支承体固定于所述干燥室。
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公开(公告)号：CN107154342B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201710123005.7
申请日：2017-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。防止向基板处理容器内输入的晶圆上的液体干燥。基板处理装置(3)包括基板处理容器主体(31A)以及保持构件(42)，所述保持构件(42)从该基板处理容器主体(31A)外方将晶圆(W)向基板处理容器主体(31A)内输送，并在处理过程中保持晶圆(W)。在基板处理容器主体(41)的外方设置有支承晶圆(W)的基板支承销(49)和对保持构件(42)进行冷却的冷却板(45)。
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公开(公告)号：CN107086172B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710086419.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
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公开(公告)号：CN110957239A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910899672.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧的泵；与循环通路中的泵的下游侧连接，使液体状态的处理流体从分支部分支的分支通路；设置在分支部的下游侧，对液体状态的处理流体进行加热以生成超临界状态的处理流体的加热部；设置在循环通路中的加热部的下游侧且气体供给通路的上游侧，对超临界状态的处理流体进行减压以生成气体状态的处理流体的调压部。由此，能够在将液体状态的处理流体由泵送出时降低由上述泵产生的脉动的影响。
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公开(公告)号：CN102207693B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110182985.0
申请日：2007-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B17/0025 , F27B5/04 , F27D5/0037 , F27D15/02 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/67784 , Y10S414/139
Abstract: 具有冷却板和热板的加热装置中，利用气体使基板从冷却板和热板上浮起，通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动，实现加热装置的薄型化。加热装置(2)中，在冷却板(3)和热板(6)上沿晶片W的移动通路形成喷出孔(3a、6a)，其朝向晶片W的移动通路的冷却板(3)侧斜向上方喷出使基板浮起的气体，利用推压部件(51)推压晶片W移动时的后方侧，抵抗从喷出孔(3a、6a)喷出的气体产生的试图使晶片W移动的推压力，使晶片W向与气体喷出方向相反侧的热板(6)侧移动，或在利用喷出孔(3a、6a)喷出的气体使晶片W移动时的前方侧推压推压部件(51)的状态下，使该推压部件(51)向与气体的喷出方向相同的方向的冷却板(3)侧移动。
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