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公开(公告)号：CN106129058A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610732260.7
申请日：2016-08-27
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/8222 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L21/76224 , H01L21/8222
Abstract: 本发明沟槽引出的集成型低压双向瞬时电压抑制器，包括第一导电类型衬底；在衬底上有第二导电类型的外延层；在第二导电类型外延层上有第一导电类型外延层；第一隔离沟槽进入第一导电类型衬底，并形成第一区域和第二区域；第一区域中由第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区及第一类型的外延形成二极管Z1，第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D1；第二区域中由第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区及第一类型的外延形成二极管Z2，第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D2；第二引出沟槽，进入第二导电类型外延层，内填高浓度第二导电类型多晶硅；由第一金属线IO1连接所述二极管Z1和D2，第二金属线IO2连接所述二极管Z2和D1。
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公开(公告)号：CN106098792A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610735415.2
申请日：2016-08-27
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/66136
Abstract: 本发明公开了双向电压完全对称带有超深沟槽超低漏电的TVS器件及制法，其包括：步骤A：在重掺杂P型硅衬底生长一层轻掺杂N型外延层；步骤B：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入；步骤C：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入；步骤D：沉积一层1.5‑2μm的二氧化硅膜作为刻蚀超深隔离沟槽的硬掩膜；步骤E：在步骤D的硬掩膜上进行光刻和二氧化硅腐蚀，刻蚀出两条定位隔离沟槽窗口，该定位沟槽窗口作为步骤F中刻蚀超深隔离沟槽的参照位置；步骤F：在外延上刻蚀超深隔离沟槽一直延伸到P型衬底；步骤G：用二氧化硅膜填充步骤D中形成的超深隔离沟槽；步骤H：接触孔刻蚀；步骤I：金属布线。
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公开(公告)号：CN102176624A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110058804.3
申请日：2011-03-11
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及一种低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的过压保护器件由低电容TVS管和低钳位管并联构成，低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护，低钳位管用于降低整个器件的钳位电压，其中，低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连，低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连，低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连。优点是：利用PIN管的低电容特性和低钳位管的低通态压降特性构成了低电容、低钳位瞬态电压抑制器件，克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求；实现用于差共模保护的三端低电容、低钳位瞬态电压抑制器，差分应用电容更低；实现具有低钳位、高浪涌能力的双向双端瞬态电压抑制器。
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公开(公告)号：CN102074929A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110058684.7
申请日：2011-03-11
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件，具有小触发电流应用下的低导通电阻特性，至少包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管Q1、Q2、Q3，第一、第二可变电阻元件、第一、第二电阻构成串联结构的导通路径，形成电路模块，其中，Q1的漏极与模块输入端相连，栅极与Q2的源极相连；Q2的漏极与模块输出端相连，栅极与Q1的源极相连；第一可变电阻元件连接Q1的源极和Q3的源极；第二可变电阻元件连接Q2的源极和Q3的漏极；Q3的栅极与第一电阻和第二电阻分别相连；第一电阻另一端与模块输入端相连，第二电阻另一端与模块输出端相连。本发明能够特定地保护单个负载，且可用在高带宽的系统中。
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公开(公告)号：CN109300994A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811130910.6
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/0684 , H01L29/66136
Abstract: 本发明公开了一种伪负阻型低残压TVS器件及其制备方法，其特征在于，包括采用薄片负阻工艺与辐照改性工艺。TVS器件在防护雷击浪涌时，较低的残压有利于更好的保护后级电路。高的浪涌能力有利于适用更高浪涌等级要求。且负阻稳定点不能低于工作电压(针对于电源口，如低于工作电压会造成回路电压倒灌入TVS器件)。本发明使用P型薄片负阻工艺和辐照改性工艺相结合，在降低残压、提高浪涌能力的同时实现负阻稳定点电压可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037316A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810887487.8
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本发明改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。
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公开(公告)号：CN108428699A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201711108418.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L21/8222 , H01L27/0255
Abstract: 本发明公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND-IO路径上横向的PNPN结构和一个IO-GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口电路上的应用优势十分明显。
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公开(公告)号：CN108417566A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201711397731.4
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种两通路TVS器件，其包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。传统TVS器件是单路器件，通过单芯片或者两颗芯片或者多颗芯片串联叠加实现，无法在得到大浪涌能力的同时对两路电路同时保护。本发明通过两颗芯片并联后与第三颗芯片叠加的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和多路保护的特性，并且器件具有封装体积小，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN101771042B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200910248044.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及低电容电压可编程TVS器件及其制造方法，由闩锁通路和限压保护通路构成，在闩锁通路上，PNP三极管和NPN三极管构成闩锁结构，输入端接PNP三极管的发射极，PNP三极管的集电极接NPN三极管的基极，PNP三极管的基极接NPN三极管的集电极，NPN三极管的发射极接输出端，且PNP三极管的集电极与TVS管的阳极相连，PNP三极管的基极与TVS管的阴极连接，构成器件的门极；在限压通路上，由两个降容二极管和一TVS器件组成，TVS管阳极与第一导向二极管阳极连接，TVS管阴极与第二导向二极管阴极连接，第二导向二极管阳极接输入端，第一导向二极管阴极接输出端；通过改变门极电位，实现在TVS击穿电压以内的可编程保护和过压保护。
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公开(公告)号：CN101771042A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910248044.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及低电容电压可编程TVS器件及其制造方法，由闩锁通路和限压保护通路构成，在闩锁通路上，PNP三极管和NPN三极管构成闩锁结构，输入端接PNP三极管的发射极，PNP三极管的集电极接NPN三极管的基极，PNP三极管的基极接NPN三极管的集电极，NPN三极管的发射极接输出端，且PNP三极管的集电极与TVS管的阳极相连，PNP三极管的基极与TVS管的阴极连接，构成器件的门极；在限压通路上，由两个降容二极管和一TVS器件组成，TVS管阳极与第一导向二极管阳极连接，TVS管阴极与第二导向二极管阴极连接，第二导向二极管阳极接输入端，第一导向二极管阴极接输出端；通过改变门极电位，实现在TVS击穿电压以内的可编程保护和过压保护。
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