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公开(公告)号：CN208722877U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201821258225.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。本实用新型通过对芯片的正面和背面都进行版图设计，大幅度提升了TVS器件的浪涌电流能力，同时具有更低的钳位电压，且不需要额外增大版面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208400853U
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201821258829.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本实用新型改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208093558U
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201820078833.3
申请日：2018-01-17
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件，采用芯片集成的设计方法将超低电容且具有大骤回特性的TVS和共模电感有效结合。本实用新型的集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件结构可以有效的将多路TVS和共模滤波器分立方案优化为集成方案，节省50％的面积；共模电感具有较高的共模阻抗，对高速信号线差分通道的共模噪声干扰具有很强的抑制作用，同时，超低电容和大骤回特性的TVS阵列在ESD触发TVS开通时，可以输出更低的钳位电压，对后级IC起到非常好的保护作用，可广泛应用在MIPI，HDMI，MHL，USB等高频信号端口，提高系统的外延抗干扰能力和ESD静电防护水平。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211208450U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201921699866.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本实用新型提出了一种具有低触发电压的TVS器件，在P型衬底层上具有一层N型埋层，所述N型埋层上生长有P型外延层，在P型外延层上方设置有若干N阱区域和P阱区域，在N阱区域及P阱区域的表面有多个深槽，并在深槽内分别形成若干N+区和P+区，在至少一N+区内淀积有N+多晶硅，至少一P+区内形成PLD区，在N阱区域和P阱区域上方设置有一氧化层，氧化层外表面上设置有第一N+多晶硅，在该N+多晶硅外表面设置有第一介质层，在P型外延层上方淀积设置有若干第二介质层，介质层上设置有接触孔，在所述接触孔上分别淀积有至少一阴极和至少一阳极，本实用新型能够降低器件的触发电压，同时保持了其导通电阻极低的特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210272371U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201921723357.7
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/822
Abstract: 本实用新型公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件，包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离，本发提出的TVS器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209374445U
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201820078931.7
申请日：2018-01-17
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，用于防护核心电路输入/输出端、正电源端和负电源端之间的静电放电，其包括：一种衬底；形成在该衬底上方的多个P型阱区域和N型阱区域以及形成在阱区上的重掺杂区，由这些阱区和掺杂区构成了双向三极管器件和双向SCR器件，两种器件以并联方式连接在被保护的端口之间。本实用新型所形成的双向SCR器件结构简单，工艺层次少，可集成在CMOS工艺、BICMOS工艺、BCD工艺中；可通过调整关键注入区的浓度获得较低的完全对称的双向触发电压；所形成的双向半导体器件从输入端到输出端存在两条泄放大电流的路径，在相同的面积下提高了器件的抗浪涌能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208781854U
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201821258814.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/285 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本实用新型通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206742243U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720545992.5
申请日：2017-05-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公开了一种带有反并联二极管的双向TVS器件及其制备方法，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底正面均设有N型掺杂区域和P型掺杂区域，所述P型硅衬底正面的N型掺杂区域做金属引出，所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域做互连金属引出；所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域间距大于等于零。本实用新型的器件结构对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能，由于N+浓度较低使其具有超低的电容，这大大提高了TVS器件对信号的响应速度，可以应用在保护高频数据接口电路上。该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和散热优势明显。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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