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公开(公告)号：CN113299800A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110312954.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/032 , H01L31/08
Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法，特别的是，通过双配体材料在相对湿度低于60％的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域，并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料，通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法，在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单，操作方便，成本低廉，适于工业生产。
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公开(公告)号：CN108904800B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810740091.0
申请日：2018-07-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米钯异质生长的上转换纳米杂化体系的制备方法，其是利用种子生长法，在稀土上转换发光纳米颗粒表面异质成核生长纳米钯形成的纳米杂化体系，所述稀土上转换发光纳米颗粒的表面包覆一层惰性NaGdF4，并且在形成的纳米杂化体系的表面还要经过有机配体的进一步改性使其具有良好的水溶性，最终的纳米杂化体系用于双模态成像诊断引导的光热治疗。本发明提供的制备方法具有工艺简洁、高效的优势；本发明提供的纳米杂化体系稳定性好、生物相容性好，并且光热转换效率可达80％～90％，应用于上转换荧光成像、磁共振成像以及作为高转换效率的光热剂用于光热治疗，可满足临床诊疗一体化的需求。
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公开(公告)号：CN108949151B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810740077.0
申请日：2018-07-07
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/06 , C09K11/02 , C09K11/85 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N21/64 , A61K41/00 , A61K49/00 , A61K49/08
Abstract: 本发明公开了一种表面生长过渡金属二硫化物的上转换发光纳米复合材料的制备方法，其包括如下步骤：(1)采用溶剂热法合成表面包裹有惰性NaGdF4层的油溶性稀土上转换发光纳米晶形成第一分散液；(2)将过渡金属氯化物与单质硫溶解在混合溶液中，以第一分散液为底物，生长纳米晶体，并分散在三氯甲烷中，形成第二分散液；(3)预备两亲性聚合物配体，并在常温条件下与第二分散液搅拌，对材料进行水溶性改性，即得到水溶性的表面生长过渡金属二硫化物的上转换发光纳米复合材料。本发明还公开了其制备的材料与应用。该材料同时具有光热治疗、荧光成像、磁共振成像等多种应用价值，且粒径较小，在肿瘤诊断和治疗等领域具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101587913B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910053877.6
申请日：2009-06-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新型SINP结构硅蓝紫光电池及其制备方法。本发明采用热扩散磷形成浅结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射ITO减反射/收集电极膜制备了一种新型ITO/SiO2/np蓝紫光增强型SINP硅光电池。本发明的制备方法是：选用P型、晶向为(100)、电阻率为2Ω·cm、厚度220μm的硅单晶片为衬底。经常规化学清洗及制绒后，用POCl3液态源热扩散形成n区(本文采用不同热扩散工艺制作两块新型SINP光电池，其中一块是发射区方块电阻10Ω/□，结深1μm的(深结)常规SINP光电池；另一块为发射区方块电阻37Ω/□，结深0.4μm的(浅结)SINP硅蓝紫光电池)。去除正面的磷硅玻璃(HF∶H2O＝1∶10)；然后在硅片背面蒸Al；将硅片在400～500℃，N2∶O2＝4∶1条件下热氧化15～30分钟生长一层15～20超薄SiO2层，背面Al合金化同时进行。继而射频磁控溅射高透光率、高导电率的ITO减反射/收集电极膜(ITO薄膜也被沉积在玻璃上以研究其光电特性)，通过金属掩模版直流磁控溅射Cu栅指电极。最后用金刚石外圆下切割/划片机切去电池片边缘部分，防止光电池边缘短路。
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公开(公告)号：CN113564468B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110798218.6
申请日：2021-07-15
Applicant: 振石集团东方特钢有限公司 , 芜湖美的厨卫电器制造有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种节镍型热水器加热管用不锈钢及其制备工艺，其按质量百分比由以下化学成分组成：C：≤0.05%；Si：0.30~0.80%；Mn：1.0~2.0%；P：≤0.040%；S：≤0.005%；Cr：22.0~23.0%；Ni：14.0~15.0%；N：0.08~0.16%；Mo：1.8~2.5%；余量为Fe及不可避免的杂质；其制备工艺流程为：真空中频感应炉冶炼→铸锭模浇铸→铸锭扒皮→铸锭锻造→热轧→抛丸→酸洗→冷轧→保护气氛退火→钢带分条。与现有的310S不锈钢相比，本节镍型热水器加热管用不锈钢的平均腐蚀速率大大降低，因此具有很好的耐腐蚀性，更加适用于高温多离子水环境条件，并且在满足焊管、扩管等多道材料形变加工后还具有良好的焊接耐腐蚀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106620729B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201710031214.9
申请日：2017-01-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种双介孔核壳结构的无机‑无机纳米杂化材料及其制备方法与应用。首先，在表面活性剂存在的条件下，利用抗坏血酸对金属盐进行还原，得到介孔无机纳米粒子；然后十六烷基三甲基溴化铵作为表面活性剂在其表面包裹一层介孔二氧化硅；介孔二氧化硅壳层经氨基修饰后，共价嫁接二乙基三胺五乙酸；最后，将其与金属离子进行配位，即得到核壳结构双介孔无机‑无机纳米杂化材料。所得的材料具有核壳结构，核为介孔无机纳米粒子，外壳为介孔二氧化硅壳层，且该介孔二氧化硅壳层表面经过无机金属杂化修饰。其具有尺寸均一、生物相容性好等优点，且光稳定性高、光热转化率高、磁共振成像分辨率高，可实现磁共振造影与光热治疗一体化。
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公开(公告)号：CN108904800A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810740091.0
申请日：2018-07-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米钯异质生长的上转换纳米杂化体系的制备方法，其是利用种子生长法，在稀土上转换发光纳米颗粒表面异质成核生长纳米钯形成的纳米杂化体系，所述稀土上转换发光纳米颗粒的表面包覆一层惰性NaGdF4，并且在形成的纳米杂化体系的表面还要经过有机配体的进一步改性使其具有良好的水溶性，最终的纳米杂化体系用于双模态成像诊断引导的光热治疗。本发明提供的制备方法具有工艺简洁、高效的优势；本发明提供的纳米杂化体系稳定性好、生物相容性好，并且光热转换效率可达80％～90％，应用于上转换荧光成像、磁共振成像以及作为高转换效率的光热剂用于光热治疗，可满足临床诊疗一体化的需求。
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公开(公告)号：CN107137723A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710308604.6
申请日：2017-05-04
Applicant: 上海大学
IPC: A61K49/00 , A61K49/08 , A61K49/18 , A61K31/704 , A61K47/60 , A61K41/00 , A61P35/00 , B82Y30/00 , B82Y5/00
Abstract: 本发明公开了一种用于多模态诊疗一体化的纳米体系制备方法，采用原位生长纳米金修饰的稀土上转换纳米粒子方法，将柠檬酸具有核壳结构的油溶性上转换发光纳米粒子配体交换改性为水溶性，纳米粒子表面进行柠檬酸配体修饰；通过原位晶体生长的方法，在其表面均匀生长纳米金颗粒，得到原位生长纳米金修饰的上转换发光纳米粒子；将含有腙键和硫醇的聚乙二醇‑盐酸阿霉素链接到纳米金表面，即得到稀土上转换纳米体系。本发明还提供了纳米体系及其应用。本发明提供的纳米体系尺寸均一、稳定性好、生物相容性好，同时具有化疗和光热理疗的作用，可应用于上转换荧光成像、磁共振成像、抗癌药物输送和癌症的光热理疗等领域。
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公开(公告)号：CN102520718B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110394258.0
申请日：2011-12-02
Applicant: 上海大学
IPC: G05D1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于物理建模的机器人避障路径规划方法，步骤如下：设立机器人工作区域的引力场栅格和距离信息栅格，建立机器人双重栅格信息图；基于上述双重栅格信息图，采用有向遍历法搜索所有可行路径，计算出引力值和距离值的综合评价值，取最大值所对应的路径方案即为机器人最优避障路径规划方案。该方法克服了机器人路径规划中对运动物体和障碍物几何属性不作考虑的缺点，该方法建立双重栅格后，进行路径搜索时，根据双重栅格的值进行机器人避障路径规划，兼顾了路径最短和运动安全的问题，提高了路径规划的效率，降低在进行路径寻优中可能发生的损害事故。
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公开(公告)号：CN102034902A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010529610.2
申请日：2010-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种直流磁控溅射AZO/SiO2/p-SiSIS异质结光电器件的制备方法，属硅基异质结光电器件制备方法技术领域。本发明采用低温热氧化生长超薄SiO2层、直流磁控溅射AZO发射极、减反射、收集电极膜，成功制备了一种新型AZO/SiO2/p-SiSIS紫外—可见—近红外广谱异质结光电器件。所制新型AZO/SiO2/p-SiSIS异质结I—V曲线具有很好的整流特性，反向暗电流很小，这说明AZO与p-Si之间形成良好的异质结二极管。在AM1.5光照条件下，开路电压VOC高达230mV，光电转换效率η为0.025%，具有明显的光生伏特效应。SIS异质结结合AZO宽带隙和Si材料相对窄带隙的不同特性相互补充，不仅可以开发成为低成本的太阳电池，而且可以成为性能优良的紫外—可见—近红外增强型广谱光电探测器。
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