一种无参考全景图像质量评价方法、系统、设备及介质

    公开(公告)号:CN113643262A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202110946915.1

    申请日:2021-08-18

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种无参考全景图像质量评价方法、系统、设备及介质,包括:对全景图像进行下采样,生成不同尺度的图像;对所述不同尺度的图像,计算每个尺度图像HSV特征;计算所述全景图像的MSCN系数,将MSCN系数拟合成广义高斯分布和非对称性广义高斯分布,从中提取BRI SQUE特征;将得到的不同尺度图像的HSV特征和BRI SQUE特征组合在一起,作为整体特征输入到回归模型中进行训练及预测,得到全景图像的最终质量分数。通过本发明,结合了全景图像的统计特性以及人类视觉系统的观察特性,与其他的无参考图像质量评价相比,具有更好的准确性。

    一种基于SOFI的超高分辨平面波超声成像方法

    公开(公告)号:CN108095756B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201711232982.7

    申请日:2017-11-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOFI的超高分辨平面波超声成像方法。本方法是:在超声造影剂(微泡)的介入下,对成像对象进行超声平面波成像,获取不同时刻的一组平面波超声图像;对获取的所有平面波超声图像进行滤波操作,以去除平面波超声图像中包含的噪声;基于成像区域仅包含单个微泡的超声平面波数据,通过测得横向半高宽FHWMx与纵向半高宽FHWMy计算得到横向标准差δx与纵向标准差δy,生成点扩散分布模型;最后,以滤波后的动态超声平面波图像为输入数据,计算得到二阶(或者高阶)平衡后的SOFI图像。本发明提出的方法不仅能够极大提高超声平面波成像的空间分辨率,而且还能提高超声成像的时间分辨率,适用于快速的超高分辨超声成像。

    一种热电材料及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119433322A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411597717.9

    申请日:2024-11-11

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 刘欣 骆军 董子睿

    Abstract: 本发明涉及一种低晶格热导率的双half‑Heusler合金热电材料及其制备方法,所述热电材料为p型热电材料或n型热电材料中的任一种,所述p型热电材料的化学式为Sc0.6V0.5Co1‑xNixSb,0≤x≤0.12;所述n型热电材料的化学式为Sc0.5V0.6Co1‑yNiySb,0≤y≤0.30。该制备方法包括以下步骤:将Sc、V、Co、Ni、Sb混合后研磨,依次进行烧结、真空封装处理,得到热电材料圆片,将热电材料圆片进行高温退火处理,得到低晶格热导率的双half‑Heusler合金热电材料。与现有技术相比,本发明通过异价元素替代制备的双half‑Heusler合金热电材料,精确调控Sc/V比值,成功获得基于相同母体化合物的p型和n型热电材料,两种材料均表现出有前途的热电性能。

    一种基于SOFI的超高分辨平面波超声成像方法

    公开(公告)号:CN108095756A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711232982.7

    申请日:2017-11-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOFI的超高分辨平面波超声成像方法。本方法是:在超声造影剂(微泡)的介入下,对成像对象进行超声平面波成像,获取不同时刻的一组平面波超声图像;对获取的所有平面波超声图像进行滤波操作,以去除平面波超声图像中包含的噪声;基于成像区域仅包含单个微泡的超声平面波数据,通过测得横向半高宽FHWMx与纵向半高宽FHWMy计算得到横向标准差δx与纵向标准差δy,生成点扩散分布模型;最后,以滤波后的动态超声平面波图像为输入数据,计算得到二阶(或者高阶)平衡后的SOFI图像。本发明提出的方法不仅能够极大提高超声平面波成像的空间分辨率,而且还能提高超声成像的时间分辨率,适用于快速的超高分辨超声成像。

    一种基于Cu2Se和BaCu2Se2复合形成的P型热电材料及制备方法

    公开(公告)号:CN116615084A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310655608.7

    申请日:2023-06-05

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于Cu2Se和BaCu2Se2复合形成的P型热电材料,其中,x的取值范围为0≤x≤0.04。本实验还提供了(Cu2Se)(1‑x)(BaCu2Se2)x材料的制备方法,该材料无毒,和纯Cu2Se相比具有较低的热导率,并在工作温度范围内具有良好的热电性能。由于是复合样品,重点在于两相混合的过程,采用了机械球磨法。本发明最终对样品的性能测试是根据循环测试对比材料的稳定性,利用ZEM测试电导率,多次循环进行对比,再根据高温下的XRD判断离子是否在两相之间有迁移。

    基于格子波尔兹曼模型的光在介质中传播的描述方法

    公开(公告)号:CN106404730B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201610766088.7

    申请日:2016-08-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明提供一种基于格子波尔兹曼模型的光在介质中传播的描述方法,其包括以下步骤:步骤一,初始化组织体的尺寸、获取光源和检测器的位置,设置组织体的组织参数;步骤二,荧光团受激发出荧光;步骤三,使用提出的格子波尔兹曼模型分别模拟激发光和荧光的扩散过程;步骤四,根据步骤三得到的结果,采用重建算法重建组织体内的荧光团浓度。本发明可适用于诸如光学成像、光声成像、电磁源成像、微波成像、电阻抗成像等图像重建中前向模型的建立和求解。本发明基于该模型构建了新型荧光断层成像系统,相比于蒙特卡罗法,大大提高了荧光团重建效率;相对于有限元法,在具有相当的重建精度基础上,大幅提高了计算效率。

    一种基于压缩感知的超高分辨超声成像方法

    公开(公告)号:CN109998589A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910278107.5

    申请日:2019-04-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于压缩感知的超高分辨超声成像方法。本方法是:对成像区域进行超声平面波扫描,获取不同时刻的一组平面波超声图像;对获取的所有平面波超声图像进行滤波操作;计算得到图像中多个微泡的横向标准差与纵向标准差,进而得到所有微泡的平均横向标准差和纵向标准差;基于此,可以得到成像系统的PSF;基于得到的PSF,生成测量矩阵;根据超声图像和微泡分布信息之间存在的线性关系,将微泡的位置信息从超声图像中求解出来;最后,将所有超声图像的微泡位置重叠到一张图像中,就得到了最终的超分辨超声成像结果。本发明的方法不仅能够极大提高超声成像的空间分辨率,而且还能提高超声成像的时间分辨率,适用于快速的超分辨超声成像。

    双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法

    公开(公告)号:CN113299800B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202110312954.6

    申请日:2021-03-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法,特别的是,通过双配体材料在相对湿度低于60%的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域,并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料,通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法,在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单,操作方便,成本低廉,适于工业生产。

    一种基于非标记透射细胞显微图像的荧光标记预测方法

    公开(公告)号:CN114092391A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111134370.0

    申请日:2021-09-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于非标记透射细胞显微图像的荧光标记预测方法,包括以下步骤:构建深度学习细胞荧光标记预测模型;根据构建好的深度学习细胞荧光标记预测模型,对构建好的深度学习细胞荧光标记预测模型进行训练;输入待标记数据,对待标记数据基于已训练完成的深度学习细胞荧光标记预测模型进行荧光标记;建立计算性能指标,将被标记的数据进行相似度和峰值信噪比评估。本发明的一种基于深度学习的细胞荧光标记预测方法,可从非标记的透射光图像中预测荧光标记,准确预测细胞核和细胞膜的位置和强度以及细胞的健康状况。该方法绕过了传统的荧光标记过程,节省了时间和成本。

    双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法

    公开(公告)号:CN113299800A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110312954.6

    申请日:2021-03-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法,特别的是,通过双配体材料在相对湿度低于60%的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域,并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料,通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法,在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单,操作方便,成本低廉,适于工业生产。

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